SDRAM控制器读写

一、原理功能

1、读写突发模式

        在初始化里的模式寄存器配置中我们将读写的突发长度（BL）设置为4，列选通潜伏期（CL）设为3，突发类型为顺序模式（每一次突发只给出起始地址即可）。对于预充电选择（Auto Precharge）自动预充电，即外部不需要发送预充电命令。

2、读、写时序图 

                                                         图1写时序图 

                                                        图2读时序图

3、时序图解读

        由时序图可知，读写模块采用线性序列机设计比较简单。在每次读写突发之前都需要发送ACTIVE命令，同时给出bank地址和row地址，2拍后发出读或写命令，同时将A10拉高并给出col地址。对于写操作没有潜伏期，由于DQ是双向端口，所以需要一个三态门控制DQ总线方向，当写操作时为输出方向，读操作时为输入方向。对于读操作，发出读命令后会有CL拍的潜伏期，本实验里CL=3，即发出读命令后3拍，数据才会出现在DQ总线上。

转自：明德扬易老师 https://www.bilibili.com/read/cv19967263/ 出处：bilibili