在DDR2,DDR4,LPDDR4中支持RAS lockout功能。
为什么要有RAS lockout功能呢?
主要是为了解决ACT到读写带auto-precharge两者之间的时序参数与ACT到读写不带percharge的时序参数不一致的问题。
正常情况下,相同bank下,ACT到读写的时序参数是tRCD
ACT到PRECHARGE的时序参数是tRAS
很明显tRCD<tRAS。
所以正常情况下ACT到读写带auto-precharge的时序参数应该为tRAS。
但是为了简化控制器的设计,所以颗粒这边设计ACT到读写带auto-precharge的时间满足tRCD即可。颗粒内部自己控制precharge满足tRAS的需求。而且对于相同bank的ACT的时序参数tRC也要满足。
这样的话,控制器这边ACT到读写的时序参数只需要一个时序参数tRCD即可。