模拟电路设计（2）--- 三极管（BJT）

整理了一些电子工程类的资料，分享给大家，目前有模拟电路、单片机、PCB设计、FPGA、EMC、物联网、Linux相关学习资料，还有针对大学生的资料包，后续还会有更多资料分享给大家，助力大家学习，成就梦想~

博主福利：免费获取电子工程类学习资料https://mp.weixin.qq.com/mp/appmsgalbum?__biz=MzkzOTM5NTE0OQ==&action=getalbum&album_id=2532293941282209792#wechat_redirect下面言归正传~

什么是双极型三极管（BJT）？

基本组成结构仍然是pn结，pn结的知识可看这文章模拟电路设计（1）---PN结

如下图，比二极管多一个电极引出。

三极管在电子电路中功劳最大、最宝贵的作用就是电流的放大作用，电流放大特性示意图如下：

电流放大特性示意图

如图所示是一个NPN型三极管，所谓N、P、N分别是发射区N型半导体，基区P型半导体，集电区N型半导体，由于半导体的特殊处理工艺，在BE正偏（Ub>Ue），CB反偏（Uc>Ub）时，发射节会有基区流向发射区的电流Ib，以及集电结反向导通，形成集电极的电流Ic，从集电区通过基区流向发射区。电流关系如下。

可以看出只要满足偏置条件，Ic就可以看做是Ib放大了β倍，β成为共射极电流放大系数。同理，PNP型三极管也有相同的特性，只是电源的要求相反，即BE反偏，CB正偏。

BJT共射极接法输入、输出特性如何？   

BJT共发射极接法测试原理图

CE接法就是指基极和发射极构成输入回路，集电极和发射极构成输出回路，共发射极就是指输入和输出共用了发射极。图中Eb为基极提供偏置电压、Ec为集电极提供偏置电压，Ube表示基极和发射极之间的电压，Uce表示集电极和发射极之间的电压。

BJT典型输出特性图

图中横坐标是Uce，当Uce很小时，不管Ib如何变化，Ic都不会有变化，（此时往往Uce接近或小于Ube），三极管处于饱和区；反之当Ib很小时，无论Uce如何变化Ic几乎不变，这时三极管就处于截止区。这两种状态会导致信号失真，要设计合理的偏置来避免。图中两阴影之间是放大区，Ic正比于Ib。当Uce增大到一定值，CE之间会击穿，导致Ic会突然增加，不受Ib控制，CE击穿容易损坏三极管，所以实际电路要考虑Uce之间的电压范围。

BJT的CE接法输入特性图示

CE的输入特性图中可知，当Uce为0时，三极管的输入特性类似二极管，但当Uce增大到3V时，Ube的正向导通压降升高了，在设计精密电路时，需要考虑。

BJT的参数有哪些？

在设计中需要考虑的BJT的安全使用范围，就要考虑BJT的参数。

β共射极电流放大倍数，Icbo集电极、基极反向饱和电流，Iceo集电极、发射极反向穿透电流，Iebo发射极、基极反向饱和电流，“反向”就是指pn结施加反向电压。还有一些极限参数需要注意如下

BJT的放大电路接法还有哪些？

BJT除了CE输入输出回路共用发射极之外，还有CB和CC接法，如下所示。分别适用不同的场景。

CE接法具有较高的放大倍数、适中的输入输出阻抗，适用于主放大电路。

CB接法的截止频率最高，适用于高频放大器或者振荡器设计

CC接法输入电阻高，传递信号源信号效率高；输出电阻低，带负载能力强，常用于需要负载隔离的地方。

BJT的H参数数学模型是啥？

BJT的H参数模型主要应用于BJT的中频电路计算

hie为输出端交流短路时的输入电阻，当晶体管的工作频率未达到Ft即特征频率时，hie=26mv/Ib；hfe为输出端交流短路时的正向电流放大系数，hre为输入端交流开路时的反向电压传递系数，在工程估算中可以忽略，hoe为输入端交流开路时的输出电导，在计算交流电路中，roe一般为几十几百k，所以hoe也可以忽略。BC结等效为受Ib控制的流控电流源。