3、光子(Photon)与量子效率(quantum efficiency)
1、Cmos sensor stack (以手机相机为例)
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/bf8c20c1e96428ecf8527868a60bf088.png)
如上的构造和堆栈类似,光线进入物镜、通过IR cut(过滤掉红外光)、进入Micolens (sensor 每个像素上都有一个微镜头,更利于聚光)、
ColorFilter(用来过滤出光线中的R\G\B颜色分量的滤光板)、透射到Sensor Array(像素阵列,是bayer格式)、最后是PCB电路板;
2、sensor floorplan (平面构造图)
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/ecedc8e79452c82f1682c11d639b2d37.png)
- Optical Black:光遮断黑电平,用金属遮盖住这一部分的光线,让其完全不感光,体现出的颜色就是Optical black;
- Dummy border: 不用的一部分像素;
- Power management:电源管理模块 ;
- Control/processing/memory:有OTP、....
- READOUT:输出电路,把感光元器件的感光值变为数字值,给读出来;
每个有效像素都是下图中的结构(反向偏置的感光二极管+MOS电容),当在二极管上施加反向偏置电压时,他就变成了一个电容,加反向电压就是给电容充电,在二极管里面形成电荷,对于这种光电二极管来说,当反向充电充满后,由于光子的摄入,会导致内部激发出新的电子和供缺对,与原来充电形成的电子和供缺对进行配对放电,形成电流(l_ph),由于光子的激发产生的光电流,光电流经过右边的电容器累计电荷进行充电的动作,把电流变成电压输出出去,这就是一个基本的感光元件的基本结构,不止camear sensor,其他光谱产品也是用的类似结构;
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/0a366aa0ac542013eebb1bb638908e88.png)
3、光子(Photon)与量子效率(quantum efficiency)
由于光线的波长及频率不同,则每种色光的光子所载有的能量是不同的,如下蓝色光光子是4.41E^-19焦耳;
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/4f75a73bcc24909e5bdcfc1d84ad2729.png)
光子能量:E=h(普朗克宏量)* c(光速)/ λ(光的波长)
总能量:Total_Power=sum_of (all photons) 所有光子能量的和 ;
量子效率:QE=1/3 in this case (如上图,3个光子形成1个电荷);
4、与量子效率QE有关的几个重要概念
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QE:是衡量某个颜色通道某个频率/波长的光子转换成电子的效率;
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IR cuter:cut near IR (用于去掉camrea近红外不可见光) ;
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Crosstalk:用于衡量整个成像模组的性能指标(包括lens、color filter、IR、Sensor),理想情况下经过Color filter每个RGB pixel都只感受其对应颜色的光,如图2所示,但现实是因为不同的模组,工艺,使得每个颜色通道的感光都是交叠的,如图1.所示,pixel不能完全被一个颜色通道的光所激发的情况叫Crosstalk,Crosstalk越小越好,所以ISP会有一个ccm的模块用来矫正这个问题(相当于我要算b通道的颜色分量时,要把g,r通道的响应要减去);
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Sensitivity = QE * Pixel_Size (Sensitivity也就是像素对光的敏感程度,即同样的光子我能激发多少的电荷);
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![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/e1bfaa146149f424ba357249e80a4716.png)
图1. 图2.
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/8c79a95d666d75bcb99e9704b7b2c40b.png)
5、感光过程
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/9155f6974e468703de056e52d6e08c68.png)
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充电:先对光电二极管进行充电,N是电子,P是空穴(模拟电路中的两种载流子,带有负电荷和正电荷),当对二极管施加反向电压时,就相当于对二极管的容性进行充电,在二极管上就形成了如图,上面4个电子,下面4个空穴;
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感光:当有光子进来时,光电二极管进行光电效应,就会激发一个电子和空穴的配对,就会与原来存在的电子和空穴进行融合(正负融合)就形成了光电流,光电流在mos电容上面形成充电效应,就会产生一个电压的变化,如果原来是0,现在增加的就是△V;
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放电:从二极管的角度来看,电荷数也就是电子数和空穴数变少了(光子激发了电子和空穴的配对),△Q(电荷变化) =Ne (光子数) * e (单个电荷的能量) * QE (光电转换效率);Q (电容)= V * C(电容的大小),△V =△Q/C (电容处输出的电压,对应上了电荷的变化,也就是把光电效应和输出电压联系起来了,实现了光子到电压的转换,后面会再有进一步的电路再去处理电压值);
6、读取过程
如下,经过感光过程得到从e到v的变化,实现了感光程度可以量化的一个数值,接着信号经过模拟放大器放大,接着通过AD转换器,变为数字信号;
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/73821e30b74dcab170f66c26dc59d622.png)
从时间轴上来看,Reset (充电过程),把所有光电二极管充满电,让其变为Full Well,接着等待一段时间进行感光(也就是曝光时间),最后读取电路,总共对Sensor操作的时间为:
Total_time =reset_teme + exposure_time +readout_time(reset_time比较小,有时计算不精确时,可以忽略掉);
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/09276578c3242b64762f4ba9251f6d84.png)
7、Sensor动态范围
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/78eb2dbd702d86a8edcde377d79c3e0a.png)
如上图,中间部分为器件感光部分(用来存储光生电荷的电场,叫势阱),势阱越大。能容纳的电子越多,Sensor的动态范围则越大,这涉及到如下几个概念:
1、Full well Capacity:电荷累积到一定程度,势阱满了,电荷就会溢出,所以电荷累计到什么程度势阱会满的程度就叫Full well;
2、Dark Current: 势阱底部始终存在不感光的电荷,他是与物理器件、半导体的工艺缺陷,是无法避免的,也是造成black level的原因;
3、Fill Factor:是中间感光部分的阱的面积除以整个PCB的面积;
Dynamic Range = Saturation/black level (Saturation由Full well决定,black level由Dark Current决定,对WDR的sensor来说是一个非常重要的指标);
8、Sensor 时序
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/2e0995281560a25b013396d648cd093c.png)
每次曝光结束时,就会有相应的读出电路,把信号读出来,就可以得到当前光电二级管的电压值,这就是sensor操作的一个时序;
9、Noise in Sensor
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时域噪声--- KTC Nosie(readout)、PhotonShoNoise、DarkCurrentNoise、PowerNoise
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空域噪声--- DefectPixel、ROW/ColumnNoise、PRNU、DSNU
10、Crosstalk 对 noise的影响
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/d03ee035fa8837c04adbf7f00017a039.png)
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