Sensor 结构——前照、背照、堆栈

        优异的工艺和技术可以使得即便不使用更新结构的CMOS，同样拥有更好的量子效率、固有热噪声、增益、满阱电荷、宽容度、灵敏度等关键型指标。在相同技术和工艺下，底大一级的确压死人（全画幅和aps-c）。人类的进步就是在不断发现问题，解决问题。背照式以及堆栈式CMOS的出现，也是为了解决之前CMOS的种种问题。

前照式

        传统CMOS sensor 工艺又称为FSI（Front Side Illumination）工艺，与传统的半导体工艺一样，它首先装夹固定好一片wafer（硅片），从wafer的一侧开始制造光敏PN结以及控制和读出电荷所需的晶体管，然后制造连接晶体管所需的金属线路（铝或铜），接下来制造Bayer滤光膜和微透镜。在整个制造过程中wafer只装夹固定一次，直到制造完成，最后的wafer大概就是下图所示的样子。

        在FSI工艺下，光线需要穿越多层电路结构才能抵达硅感光区，其组成结构由上到下依次是：片上透镜、滤光片、金属排线（电路层）