二级效应

本文介绍了两种半导体器件——三极管和MOSFET的关键工作效应。对于三极管,重点讲解了基区宽度调制效应(厄利效应),即在放大区,输出电流对基极和发射极电压的敏感性。而对于MOSFET,讨论了沟道长度调制效应、体效应、亚阈值导电性和穿通效应,这些都影响其饱和电流和阈值电压。此外,还提到了MOSFET可能遇到的闩锁效应,即寄生双极性晶体管导致的正反馈问题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

三极管

  • 基区宽度调制效应(厄利效应)
    放大区,输出电流随着基极和发射极之间的电压向上略微偏移;与沟道长度调制效应相似

MOSFET

  • 沟道长度调制效应
    饱和电流随着漏源电压的增大而向上略微偏移
  • 体效应
    阈值电压随着衬底电压电压的较小而增大
  • 亚阈值导电性(背栅效应)
    栅源电压小于阈值电压时,漏极电流与栅源电压成指数关系
  • 穿通效应
    漏源电压很大,使得耗尽层达到源极周围,漏电流急剧增大
  • 闩锁效应
    寄生双极性晶体管互相提供基极电流,形成正反馈直到短路
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