Landscape design-工艺-二级效应

• 所有的二级效应都对MOS管的沟道影响。
• 后仿网表，WPE,PSE。
• OSE特别大会报出来，但一般工艺不会。

WPE（Well Proximity Effect）

40nm和56nm就有要求：沟道距离阱的边缘有多少厘米、

LOD

多finger条件下，由于STI的存在会产生不同应力，可以加如dummy来调整应力。
从MOS基本特性角度讲，两者最大的差异是应力的效应（LOD effect），元件源漏两侧STI对沟道区的压应力会影响元件特性（电子迁移率减弱，空穴迁移率增强，禁带宽度变窄）。如果Multi=1，FN=n，则在同一个有源区中靠近边沿的finger受应力影响较大，靠中间区域的受影响较小。如果FN=1，Multi=n，则每颗元件受到应力的影响相同（假设每颗元件源漏区面积相同）。

多fInger可以在

OSE

参数飘逸。保持都是电流镜，同类型管子。OD spcee最优参数，电流并不最大或最小最好。

• OSE特别大会报出来，但一般工艺不会。超过工艺要求会报，但是不会报出来OD space。
  

PSE

Poly spce。单独的Poly都会做的歪歪的。

Antenna

镀铝和镀铜，一个是
把M1上的电荷洗掉。靠近M1做M2.做

防止
反向漏电流将其漏掉。