模拟电路:晶体管的结构

本文详细介绍了双极性晶体管的结构和工作模式,包括主动模式、大信号模型和小信号模型。讨论了集电极电流计算、IV特征曲线、跨导以及厄利效应。还特别提到了晶体管在饱和状态和PNP类型的情况。
摘要由CSDN通过智能技术生成

概述

双极性晶体管可以视为一个电压控制的电流源,如下图所示,放大增益为 A V = − K R L A_V=-KR_L AV=KRL,增益只和负载电阻和受控电流源的特性有关,和输入内阻 r i n r_{in} rin无关
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双极性晶体管的结构

Active mode

发生结正偏,集电结反偏称之为active mode

大信号模型

  1. 为了保证 β \beta β的比率,等效二极管的横截面积是实际二极管的 1 β \frac{1}{\beta} β1
  2. 当二极管为理想二极管的时候,该电路经常用于故障检测,此时仅仅需要对基极电流进行粗略的估计
  3. 当取 V B E V_{BE} VBE=0.7V(锗管=0.3V)的时候,称之为二阶近似,更为常用
  4. 称之为大信号模型的原因是,该电路适用于任何情况下的分析,比如当电压变化范围很大的时候
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计算

  1. 集电极电流: I C = I S exp ⁡ ( V B E V T ) I S = A E q D n n i 2 N B W B I_C=I_S\exp(\frac{V_{BE}}{V_T})
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