IO驱动电流 4,8,12mA如何定义的？

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PART01.

之前我写过一篇文章，我们解释了IC内部是如何实现GPIO的驱动电流可调，边沿快慢可调，内部实现Pu/Pd。

IC内部实现方法：IO Drive strength/slew rate/Pullup

今天我们对GPIO的驱动强度再做一点点更加深入的探讨，看看4/8/12/16mA是如何定义的。

PART02.

按照之前的阅读基础，我们了解了实际上GPIO的驱动强度，就是指它的output resistor，drive strength越强，output resistor越小，即PMOS导通电阻Ron越小。

首先给出2个定义的电压：

VDDIO：IC内部给IO电路供电的电压

VOH：TX端定义的logic high的电平

其中VOH通常达不到IO的供给电压，例如下面这颗AD5724 DAC,VOH只有DVCC-0.5V

驱动电流drive strength，实际上就是指IO能保证驱动到guarantee的logic high所流出的电流。

GPIO输出高电平时，由等效电路我们可以看到有下面的关系式：

IC开规格书的时候，就已经定义了spec，VOH需要达到多少电压，drive strength电流是多少mA？例如4/8/12/16mA。
drive strength goes up -> Ron goes down
drive strength goes down -> Ron goes up

所以，整个流程上是VOH+drive strength的规格，决定PMOS的Ron。PMOS的Ron又决定于CMOS集成电路制造工艺中的MOS管栅宽长比(W/L)。

VOH + drive strength -> Ron -> MOSFET W/L

所以，要制造出drive strength不同的GPIO，只要制造W/L宽长比不同的MOS管即可。

PART03.

最后做一点小结，IO的drive strength实际上指IO的output resistor，由CMOS集成电路制造工艺制造出的MOS管栅宽长比（W/L）决定。

通常，这个output resistor，也就只有几十ohm。

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