芯片IO口Driving能力(Sourcing Current)测试方法

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PMOS管测试步骤(Drive High Ability)

1、将IO PAD配置成output模式,DUT供电电压为可正常工作的最低电压,如依datasheet允许,下降10%(3.3V——>2.97V)等。

2、将IO PAD配置成最大Driving电流(Idrv-max)模式,例如,如果PAD driving能力有4/8 mA两档,则应该选择8mA这档进行测试。

3、将IO PAD连接电子负载设备(Electronic Load),电子负载设备设定灌电流为8mA。

4、将IO PAD持续输出高电平。

5、测量IO PAD端的压降,一般要求是高于Voh或者是大于供电电压的85%(2.97x0.85=2.5245)。

NMOS管测试步骤(Drive Low Ability)

1、将IO PAD配置成output模式,DUT供电电压为可正常工作的最低电压,如依datasheet允许,下降10%等(3.3V——>2.97V)。

2、将IO PAD配置成最大Driving电流(Idrv-max)模式,例如,如果PAD driving能力有4/8 mA两档,则应该选择8mA这档进行测试。

3、将IO PAD连接电子负载设备(Electronic Load),电子负载设备设定灌电流为8mA。

4、将IO PAD持续输出低电平。

5、测量IO PAD端的压降,一般要求是低于Vol或者是小于供电电压的15%(2.97x0.15=0.4455)。

 

 

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