芯片IO口Driving能力（Sourcing Current）测试方法

PMOS管测试步骤（Drive High Ability）

1、将IO PAD配置成output模式，DUT供电电压为可正常工作的最低电压，如依datasheet允许，下降10%（3.3V——>2.97V）等。

2、将IO PAD配置成最大Driving电流（Idrv-max）模式，例如，如果PAD driving能力有4/8 mA两档，则应该选择8mA这档进行测试。

3、将IO PAD连接电子负载设备（Electronic Load），电子负载设备设定灌电流为8mA。

4、将IO PAD持续输出高电平。

5、测量IO PAD端的压降，一般要求是高于Voh或者是大于供电电压的85%（2.97x0.85=2.5245）。

NMOS管测试步骤（Drive Low Ability）

1、将IO PAD配置成output模式，DUT供电电压为可正常工作的最低电压，如依datasheet允许，下降10%等（3.3V——>2.97V）。

2、将IO PAD配置成最大Driving电流（Idrv-max）模式，例如，如果PAD driving能力有4/8 mA两档，则应该选择8mA这档进行测试。

3、将IO PAD连接电子负载设备（Electronic Load），电子负载设备设定灌电流为8mA。

4、将IO PAD持续输出低电平。

5、测量IO PAD端的压降，一般要求是低于Vol或者是小于供电电压的15%（2.97x0.15=0.4455）。