ENX2020 雪崩耐量测试系统

一、概述
向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。

功率器件雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试二极管、SCR、MOSFET雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出二极管、SCR、MOSFET的雪崩耐量。该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。
二、使用要求
进线电压： AC220V±10%
电压频率： 50Hz±1Hz
功率消耗： 1.5KW（最大功率）
环境温度： 10～50℃
工作湿度： 温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。
温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。
大气压力： 86Kpa～106Kpa
海拔高度： 不超过3000米。
三、技术指标
漏极电压：20-300V±2%，分辨率0.1V；
雪崩能量：实测
雪崩电流：0.01A-200A±2%，分辨率0.1A；
栅极电压：±30V±2%，分辨。率0.1V
雪崩电压：4500V
电感：50uH~10mH
电压波形：方波
脉冲宽度：100uS-800mS
测试频率：单次/重复
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