晶体管底层器件特性

于 2021-08-07 17:29:05 发布
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分类专栏： 秋招准备 数字IC
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晶体管底层器件特性

阈值电压：区分mos管导通和截止的分界点
g：栅；s：源；d：漏
如下左图所示，当vgs到达阈值电压时，电路开启。
如下右图所示，随着vds变化，电路处于不同工作区。

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seu他山之石
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