现代工艺常用N阱还是P阱
现代工艺常牺牲PMOS优化NMOS所以常用N阱工艺。Q:为什么牺牲PMOS,优化NMOS?
n阱工艺:N阱CMOS工艺采用轻掺杂P型硅晶圆片作为衬底,在衬底上做出N阱,用于制作PMOS晶体管,而在P型硅衬底上制作NMOS晶体管。
p阱工艺:p阱CMOS工艺采用N型单晶硅作为衬底,在衬底上做出p阱,用于制作nMOS晶体管,而在n型硅衬底上制作pMOS晶体管。
双阱工艺:双阱cmos工艺采用p型硅晶圆片作为衬底,在衬底上做出N阱,用于制作PMOS晶体管,在衬底上做出p阱,用于制作nMOS晶体管。