MosFET/FinFET/GAFET ——鳍式晶体管还能走多远

最新推荐文章于 2022-07-15 10:56:10 发布
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分类专栏： 数字IC
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本文探讨了MosFET和FinFET的工作原理、优缺点，以及FinFET的发展前景，包括向GAFET结构的演进，以应对芯片制程的微缩挑战。
摘要由CSDN通过智能技术生成

MosFET/FinFET/GAFET ——鳍式晶体管还能走多远

之前的文章介绍了一下关于芯片7nm/5nm/2nm制程。
以及有关光刻机的相关文章。

先进工艺下使用的FET大多为finFET。

目前广泛使用的FET（场效应晶体管）分为mosFET和finFET，finFET又可成为鳍式晶体管或者3D晶体管，mosFET可称为平面晶体管。

在网上找了一张mosFET和finFET的示意图，以此说明两者的区别。
mosfet和finfet
上图第一行为平面式mosFET，第二行为finFET，外状酷似鱼鳍。
下面主要分四部分介绍：
1.mosFET管工作原理
2.finFET工作原理
3.mosFET和finFET的优缺点
4.finFET发展前景

1、mosFET工作原理
在这里插入图片描述
从网上找了一张P衬底N阱工艺 mosFET原理图。

Q1：mosFET有几个端点？
mosFET有四个端点

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seu他山之石
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FinFET与芯片制程
吴建明wujianming_110117
07-17 3391
FinFET与芯片制程 芯片制造商已经在基于 10nm 和/或 7nm finFET 准备他们的下一代技术了，但我们仍然还不清楚 finFET 还能坚持多长时间、用于高端设备的 10nm 和 7nm 节点还能延展多久以及接下来会如何。 在 5nm、3nm 以及更小节点，半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即使在今天，随着每个节点的工艺复杂度和成本的上升，传统的芯片尺寸缩减也在放缓。因此，能够负担先进节点芯片设计的客户越来越少。 理论上，正如英特尔所定义的那样，finFET 有望延展到 5nm 节点。
FinFET工艺流程图
xn_love_study的博客
02-17 9264
FIINFET工艺流程
【半导体先进工艺制程技术系列】FinFET工艺流程
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07-15 7845
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先进工艺22nm FDSOI和FinFET简介 新年新气象，吾爱 IC 社区的小编在此祝大家新年快乐！祝大家在新的一年里身体健康，工作顺利，工资翻倍。去年年初小编流片过一颗基于 22nm FDSOI 的芯片，芯片目前已经正式量产。今天简单和大家科普下先进工艺的一些基本知识。既然有了实际流片经验，作为数字 IC 后端领域的公众号号主，后续也会分享一些基于先进工艺的数字后端实现流程以及注意事项。 传统工艺的挑战 Leakage/Power consumption issue 泄漏功率仍然是 HKMG(Hi
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