MosFET/FinFET/GAFET ——鳍式晶体管还能走多远

本文探讨了MosFET和FinFET的工作原理、优缺点,以及FinFET的发展前景,包括向GAFET结构的演进,以应对芯片制程的微缩挑战。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

MosFET/FinFET/GAFET ——鳍式晶体管还能走多远

之前的文章介绍了一下关于芯片7nm/5nm/2nm制程。
以及有关光刻机的相关文章。

先进工艺下使用的FET大多为finFET。

目前广泛使用的FET(场效应晶体管)分为mosFET和finFET,finFET又可成为鳍式晶体管或者3D晶体管,mosFET可称为平面晶体管。

在网上找了一张mosFET和finFET的示意图,以此说明两者的区别。
mosfet和finfet
上图第一行为平面式mosFET,第二行为finFET,外状酷似鱼鳍。
下面主要分四部分介绍:
1.mosFET管工作原理
2.finFET工作原理
3.mosFET和finFET的优缺点
4.finFET发展前景

1、mosFET工作原理
在这里插入图片描述
从网上找了一张P衬底N阱工艺 mosFET原理图。

Q1:mosFET有几个端点?
mosFET有四个端点

### FinFET 标准单元概述 FinFET标准单元是在现代超大规模集成电路(VLSI)设计中采用的一种先进技术组件。随着摩尔定律的推进,传统平面MOSFET面临短沟道效应等问题,在亚微米节点之后变得难以维持高性能与低功耗的要求。为此,业界引入了三维结构的FinFET晶体管作为解决方案之一。 #### 结构特点 FinFET晶体管拥有独特的状结构,这种结构使得源极(Source)和漏极(Drain)之间的通道被垂直抬升形成“”,从而增加了栅极对沟道的有效控制面积[^1]。这不仅有助于抑制短沟道效应带来的不利影响,还能够显著改善器件的工作特性,比如降低泄漏电流并提高驱动能力。 对于基于FinFET的标准单元库而言,其内部布局遵循严格的网格化原则。具体来说,在22nm及以下制程中,所有元件均需按照特定间距排列于FinFET网格之上;例如台积电(TSMC)在其12nm工艺里规定了0.048μm这一固定间隔值,这意味着任何放置在此平台上的宏单元或其他逻辑模块都应满足此条件以确保兼容性和一致性[^3]。 #### 设计考量 由于FinFET技术带来了不同于以往的设计约束,设计师们不得不重新审视原有的方法论: - **版图规划**:考虑到新架构下的物理限制,如何高效利用有限的空间成为一大挑战; - **寄生参数提取**:相较于二维模型,三维几何形状会引发更为复杂的电磁现象,精确建模至关重要; - **验证流程优化**:为了应对日益增长的数据量以及更加严格的质量要求,自动化工具链的重要性愈发凸显。 综上所述,FinFET标准单元代表了一种融合创新设计理念和技术进步成果的重要组成部分,它为实现更高密度、更低能耗的芯片产品提供了坚实基础。 ```python # Python代码示例用于展示创建简单FinFET标准单元列表的方法 class StandardCell: def __init__(self, name, width, height): self.name = name self.width = width self.height = height cells = [ StandardCell("NAND", 0.48, 0.96), StandardCell("INV", 0.48, 0.48) ] for cell in cells: print(f"{cell.name}: Width={cell.width} μm Height={cell.height} μm") ```
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

seu他山之石

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付:¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足,请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值