波端口所在的位置就是S参数计算中的参考面,对于计算S参数的相位非常重要而且在所定义的位置上,电磁场只能是单向存在的。
由于矩形波导波端口的边界相当于理想导体边界,所以对于外围是开放结构的传输线,端口要做的足够大,避免端口边缘与信号线产生耦合,影响传输线的特性。端口通常使用一个矩形平面,施加在传输线的端点处。
一般来说,对于单根微带传输线或者耦合微带线的矩形波导激励,波端口宽度选为微带线宽度w的5倍,或者介质高度h的3倍(取两者间更大者),左右对称,高度为介质高度的5倍到10倍左右,端口的下边从地平面向上,不要跨越。
对于单根带状线或者耦合带状线的矩形波导激励,波端口边缘到带状线边缘的距离应为宽度w的3.5倍,或者介质高度h的1.5~2倍,左右对称,高度由上下两个地平面的距离决定。
对于无地共面波导的矩形波导激励,波端口宽度为2g+w的3倍左右,高度为介质高度h的4倍以上,传输线应当基本上在端口的上下位置的中央。
对于有地共面波导的矩形波导激励,波端口宽度为2g+w的3倍左右,高度为介质高度h的4倍以上,端口的下边框与地线位置一致。
在以上各种情况中,如果建立的端口高度或宽度超过波长的二分之一,则不要采用此规则,应该适当减小端口的尺寸,避免出现矩形波导模式。
此外,波端口提供了一种去嵌入技术(Deembed),可以帮助我们处理一些问题。比如在校验出现边界和激励报错时:
Port '1': A wave port must have 'solve inside' objects on one side only. An internal wave port requires a PEC object to be attached to and cover the opposite side before the solution can proceed.
此时可以将边界region边界设置到端口位置,使得端口的能量只能沿传输线辐射而无法沿反向传播。又或者点击激励,勾选使用Deembed,将其设置到边界处。
此外,在有些时候我们仿真出来的曲线明显不对。在使用端口模式求解时,海飞丝是通过扫频的方式求解,然后使用傅里叶变换得到的TDR曲线。如果需要较高求解精度,需要提高其频率的范围。
如图所示的微带线仿真其阻抗,最宽处为20mli,最窄处为6mil,介质层为FR4,5mil。Si9000计算的阻抗为宽处29.69欧,窄处60.49欧。
当扫频范围设置为2.5G~7.5G时,如下图所示,曲线明显有问题,两段阻抗都不对。
我们将频率设置到1G~50G,再看结果:
可以看到,最宽处和最窄处阻抗约29.2欧姆,最窄处60.2欧姆,与软件计算的值比较接近了。按照信号的传输速度6 in/ns来估算,微带线长度只有400mil,TDR只需要看前面150ns就足够了。这是端口模式求解阻抗需要注意的情况。