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一、激励端口设置
1.端口定义
HFSS中定义多种激励方式
主要有波端口激励(Wave Port)、集总端口激励(Lump Port)、Floquet端口激励(Floquet Port)、入射波激励(Incident Wave)、电压源激励(Voltage Source)、电流源激励(Current Source)和磁偏置激励(Magnetic Bias)
天线设计中,端口平面的激励方式多设置为波端口激励或者集总端口激励
Notes:
①如果端口平面和背景相接触,激励方式需要设置波端口激励
②如果端口平面在模型内部,激励方式需要设置为集总端口激励
2.波端口激励设置——HFSS
Notes:天线设计中,模式驱动和终端驱动的区别
①模式驱动求解类型是根据导波模式的入射和反射功率来计算S参数矩阵的解
②终端驱动求解类型是根据传输线终端的电压和电流来计算S参数矩阵的解
2.1模式驱动求解类型——操作
①设置一个平面
平面的尺寸,不包含接地平面
假设微带线的线宽为w,介质层厚度为h,
波端口的高度一般设置为6~10h
当w≥h时,波端口的宽度一般设置为10w
当w < h时,波端口的宽度一般设置5w或者3~4h
②设置波导端口激励
设置波端口激励方式是,需要设定端口的积分线(Integration Line)
目的:
确定电场的方向,积分线的箭头指向即为电场的正方向
设定端口电压的积分路径,用于计算端口电压等参数
积分线设置
归一化阻抗(50Ω)
③完成设置
下面为Gif具体操作流程
2.2终端驱动求解类型——操作
①设置一个平面
与上文波导端口设置一样
②端口设置(前提: 设置求解方式为终端求解)
要求用户指定终端线的参考导体,对于常用的微带线结构通常是把参考地面GND最为终端线的参考导体,即选中gnd
下面为Gif具体操作流程
2.3同轴线波端口积分线设置
同轴电缆波端口的积分线展示在图中的 红线
积分线是在最大电位差的两点之间绘制,即内导体外侧和外导体内侧之间
3.集总端口激励设置
集总激励端口(Lumped Port)类似于传统的波端口激励,与波端口激励不同的是集总端口激励需要设置在物体模型内部,且用户必须设定端口阻抗。
集总端口直接在端口处计算S参数设定的端口阻抗为集总端口上S参数的参考阻抗。
集总端口不计算端口处的传播常数。
3.1模式驱动求解类型——操作
①设置一个平面
②设置集总端口
选择指定端口的表面,然后点击 HFSS>Excitations>Assign>Lumped Port
打开Lumped Port: General 对话框,并定义端口阻抗
点击 下一页 到达 Lumped Port: Modes 对话框
Notes:由于集总端口只能仿真一种模式,故其Number of Modes不能够编辑
积分线设置与波导端口中的设置一样
下面为Gif具体操作流程
3.2终端驱动求解类型——操作
与波导端口设置一样,不同的是端口的平面的大小
二、波端口和集总端口的区别
参考文献
[1] 李明洋. HFSS天线设计[M]. 电子工业出版社, 2011.