模拟IC校招知识总结（二）

最新推荐文章于 2023-01-06 21:34:57 发布

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本文详细总结了模拟集成电路设计中的关键知识点，包括I-V特性、二级效应如体效应和沟道长度调制，深入探讨亚阈值导电性、短沟道效应及其影响，如DIBL和速度饱和，并介绍了FINFET和MOS电容器的基本原理。

摘要由CSDN通过智能技术生成

模拟IC校招知识总结（二）

MOS器件物理基础

I-V特性
二级效应
按比例缩小理论
短沟道效应
器件模型
FINFET
MOS电容器

I-V特性

电流I公式推导
ID与VDS的关系图
跨导的推导

二级效应

体效应

形成原因
对Vth的影响（增加Vth），公式

沟道长度调制效应

只存在在饱和区中。
沟道L越长，λ越小。L与1/λ正相关。

亚阈值导电性

电流公式
强反型：
弱反型：

按比例缩小理论

短沟道效应

DIBL

反短沟道效应

垂直电场引起的迁移率退化

速度饱和

速度=迁移率*电场强度

热载流子效应

导致漏-衬底电流

漏-源电压引起的输出阻抗的变化

器件模型

Cgs和Cgd随Vgs变化的曲线

FINFET

MOS电容器

CV曲线（Cgs与Vgs）积累区、弱反型、强反型

以上就是本节的全部内容了，欢迎留言讨论~

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