1 二极管
2 CMOS
2.1 栅极、源极、漏极
2.2 内部结构![在这里插入图片描述](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/6f8143bdca940232a5c8b03328b787d2.png)
2.2 导电原理
- 原理:1.通过门级和衬底加一个垂直电场Ev,从而在两口井之间形成反形层2.如果加的电场足够强,反形层就可以把source(源极)和drain(漏极)这两口井连接起来 3.在source和drain之间加入电场就导通了4.垂直电场越大,形成的沟道(反形层)就越宽,导电能力就越强,漏源之间的电阻就越小
2.3PMOS和NMOS
NMOS特性分析
- 当VGS <VTH,没有垂直电场,相当于电阻很大,不管横向电场如何,没有导通
- 当VGS ≥VTH
- 当VGS 保持不变,VDS越大电流就越大,知道达到饱和区(saturation),缓慢增加
- 当VDS保持不变,VGS 越大,相当于沟道越宽,漏源极之前电阻越小,电流就越大
- 由于随着VDS的增大,沟道会斜上去,进一步导致夹断形成饱和区
CMOS反相器
- 需求:设计反相器
- 实现:
- 将上面的图重合,可以得到Vin与Vout的工作曲线
- 将上面的图重合,得到电流曲线
- [A.B],[C,D]区间只有一个管子导通
- [B,C]区域切换导通和截止
参考文献:
https://www.bilibili.com/video/BV11v4y1c7Xf/?spm_id_from=333.337.search-card.all.click&vd_source=40a11cc6d967bc17d5d770e1e50e743d