CMOS
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)是把NMOS和PMOS制造在同一个芯片上组成集成电路,CMOS工艺制程技术是利用互补对称电路来配置连接PMOS和NMOS从而形成逻辑电路,这个电路的静态功耗几乎接近为零,这个理论可以很好地解决功耗问题,这一发现为CMOS工艺制程技术的发展奠定了理论基础。
DMOS
DMOS与CMOS器件结构类似,也是由源、漏和栅组成,但是DMOS器件的漏极击穿电压非常高。DMOS器件主要有两种类型,一种是VDMOS(Vertical Double Diffused MOSFET,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管),另一种是LDMOS(Lateral Double Diffused MOSFET,横向双扩散金属氧化物半导体场效应管)。
区别
构造:CMOS结构由P型和N型MOSFET组成,P型MOSFET的源极和漏极都是P型半导体,体区是N型半导体,而N型MOSFET则正好相反。DMOS结构则是一种N型MOSFET,它采用双扩散工艺,使得N型区域的掺杂浓度分布更加均匀,同时漏极和源极之间形成一个P型加强区。
工作原理:CMOS结构通过在P型和N型MOSFET之间交替地组合,实现了电路的低功耗、高速度和高集成度,因为当输入信号为高电平时,只有P型MOSFET导通,而N型MOSFET截止,反之亦然。DMOS结构则是一种单极性结构,只有N型MOSFET,其工作原理类似于普通的MOSFET,但由于P型加强区的存在,DMOS可以承受更高的电压和电流,因此被广泛应用于功率放大器和开关电源等领域。
应用:CMOS结构广泛应用于数字电路、微处理器、存储器等领域,因为它的功耗低、速度快、集成度高。DMOS结构则广泛应用于功率电子学领域,例如功率放大器、开关电源、马达驱动器等,因为它可以承受更高的电压和电流,同时具有较低的导通电阻和开关损耗。