TSV（Through Silicon Via）即硅通孔技术和DFT

一种集成电路制造中的先进封装技术。它通过在芯片上穿孔并填充导电材料（如铜、钨、多晶硅等），实现芯片内、芯片间以及芯片与封装之间的垂直连接。以下是TSV的主要制造工艺流程：

1. 硅片准备：选择合适的硅片作为开始工艺的基础。
2. 深硅蚀刻：使用深反应离子刻蚀（DRIE）法等干法或湿法蚀刻技术在硅片上蚀刻出垂直的孔洞。这是TSV制造中的关键工艺，要求孔洞具有高深宽比和精确的尺寸。
3. 孔洞隔离：在孔洞内沉积一层绝缘材料（如氧化硅），以隔离TSV孔洞，防止电流泄露。这一步骤通常使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法进行。
4. 种子层沉积：通过物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等方法，在TSV孔洞内壁沉积一层导电材料（如铜），作为后续电镀填充的导电基底。这一层被称为种子层，其连续性和均匀性对后续的铜填充至关重要。
5. 电镀填充：使用电镀技术将铜填充到TSV孔洞中，形成垂直的导电通道。电镀过程中需要控制电流、电压和电镀液的成分等参数，以确保填充的铜具有良好的导电性和机械性能。
6. 平面化：使用化学机械抛光（CMP）等方法去除晶圆表面和TSV顶部多余的铜和绝缘材料，实现晶圆和TSV的平整化。这一步骤对于后续的封装和测试至关重要。
7. 晶圆减薄：TSV要求晶圆减薄至一定厚度（如50μm甚至更薄），以使硅孔底部的铜暴露出来，为下一步的互连做准备。晶圆减薄可以通过机械研磨、化学机械抛光、湿法及干法化学处理等不同的加工工序来实现。
8. 晶圆键合：将减薄后的晶圆与另一个晶圆或封装基板进行键合，形成垂直堆叠的结构。键合过程中需要控制温度、压力和时间等参数，以确保键合的强度和可靠性。
9. 测试与封装：完成TSV的制造后，进行电气性能测试，确保TSV的导电性能和可靠性满足设计要求。然后进行后续的封装工艺，如封装外壳的制作、引脚的焊接等。

制造常见问题：空隙、界面分层和对基板短路

TSV的DFT方法：

1. 扫描设计
2. 内建自测试（BIST)
3. 边界扫描设计