《炬丰科技-半导体工艺》 3D-TSV集成的材料和工艺研究进展

最新推荐文章于 2024-10-07 11:12:28 发布
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文章标签： 自动驾驶 物联网 stm32
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本文回顾了3D-TSV集成的材料和工艺研究，包括TSV技术、键合方法以及芯片和晶圆对准工艺。半导体技术遵循摩尔定律快速发展，3D集成在自动驾驶、物联网等领域具有重要应用。3D集成面临技术平台创建、关键工艺创新、基础设施开发等挑战。铜TSV与不同键合技术如CoC、CoW和WoW的材料选择和工艺细节被详细讨论。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：3D-TSV集成的材料和工艺研究进展

编号：JFKJ-21-755

摘要

3D集成中的各种过程需要考虑多种材料。这些材料对于关键工艺的发展至关重要，例如穿层过孔(TSV)、晶圆和芯片键合以及晶圆处理。本文回顾了一些可变材料和工艺的最新进展，比较了它们的优势和技术挑战，并讨论了实现完全三维TSV集成的选择。

介绍

半导体技术是过去半个世纪中最强大的技术之一，它遵循著名的摩尔定律呈指数级发展。从单核微处理器

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hlkn2020
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TGV(Through Glass Via,玻璃通孔)技术和TSV（Through Silicon Via，硅基通孔）
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TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）是两种用于实现不同层面之间电气连接的技术。TGV技术通过在玻璃基板上制作垂直贯通的微小通孔，并在通孔中填充导电材料，实现电气连接。TGV以高品质硼硅玻璃、石英玻璃为基材，通过一系列工艺步骤如种子层溅射、电镀填充、化学机械平坦化等实现3D互联。这种技术具有优良的高频电学特性，机械稳定性强，且制作成本相对较低。TGV在光通信、射频、微波、微机电系统、微流体器件和三维集成领域有广泛的应用前景。
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