《炬丰科技-半导体工艺》 3D-TSV集成的材料和工艺研究进展

最新推荐文章于 2024-04-27 08:52:01 发布
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文章标签： 自动驾驶 物联网 stm32
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本文回顾了3D-TSV集成的材料和工艺研究，包括TSV技术、键合方法以及芯片和晶圆对准工艺。半导体技术遵循摩尔定律快速发展，3D集成在自动驾驶、物联网等领域具有重要应用。3D集成面临技术平台创建、关键工艺创新、基础设施开发等挑战。铜TSV与不同键合技术如CoC、CoW和WoW的材料选择和工艺细节被详细讨论。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：3D-TSV集成的材料和工艺研究进展

编号：JFKJ-21-755

摘要

3D集成中的各种过程需要考虑多种材料。这些材料对于关键工艺的发展至关重要，例如穿层过孔(TSV)、晶圆和芯片键合以及晶圆处理。本文回顾了一些可变材料和工艺的最新进展，比较了它们的优势和技术挑战，并讨论了实现完全三维TSV集成的选择。

介绍

半导体技术是过去半个世纪中最强大的技术之一，它遵循著名的摩尔定律呈指数级发展。从单核微处理器

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hlkn2020
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TSV封装技术
10-16
硅通孔技术（Through Silicon Via, TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势：     1）更好的电气互连性能，     2）更宽的带宽，     3）更高的互连密度，     4）更低的功耗，     5）更小的尺寸，     6）更轻的质量。
3D封装与硅通孔TSV工艺技术
10-29
3D封装与硅通孔TSV工艺技术，通过硅通孔（TSV）铜互连的立体（3D）垂直整合，目前被认为是半导体行业最先进的技术之一。硅片通孔（TSV）是三维叠层硅器件技术的最新进展。 TSV是一种重要的开发技术，其利用短的垂直电连接或通过硅晶片的“通孔”，以建立从芯片的有效侧到背面的电连接。TSV提供最短的互连路径，为最终的3D集成创造了一条途径。 TSV技术比引线键合和倒装芯片堆叠提供更大的空间效率和更高的互连密度。当结合微凸块接合和先进的倒装芯片技术时，TSV技术能够在更小的外形尺寸下实现更高水平的功能集成和性能。
存储过程不可以封装_3D封装之TSV工艺总结
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##一、 Al 布线 VS Cu布线 我们都知道，铜的导电性比铝好，而且我们的生活中的电线都是铜丝做的，那么为什么集成电路早期要用铝布线呢？ 这是因为铜与硅的接触电阻很高，而且铜容易扩散进入硅中，引起器件性能灾难。铝虽然导电性差一些，但它对二氧化硅有良好的粘附性，高纯度的硅有很低的接触电阻，而且容易干法刻蚀。 那么铝作为互联线时会遇到什么问题呢？ 铝和硅在577℃下会共熔，容易破坏浅结形成短路，即“铝钉”；第二个问题是，大规模集成电路里面的铝导线很细长，经常要承受很高密度的电流，内部的Al容易在在电场作用和
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