本文探讨了SCR（可控硅）在ESD防护中的回滞现象，详细解释了回滞产生的原因——电导调制效应，以及如何通过影响基区电导率来改变器件的I-V特性曲线。同时提到了MOS管和BJT的回滞现象，并指出BJT回滞可能的不同原因。文章最后讨论了提高维持电压的方法，强调了基区参数对发射结注射效率和基区输运系数的影响。
SCR（可控硅）器件出现回滞的原因：
在SCR用于ESD防护时，主要依靠其寄生NPN管和寄生PNP管形成的正反馈机制来实现对ESD电流的泄放。
在SCR开启以后，器件会出现一个强回滞现象，发生强回滞的原因是寄生NPN管的电导调制效应。
当流经NPN管的电流足够大的时候，发射极大量电子注入基区，由于半导体内部各处需要保持电中性，因而有相同数量、同等浓度的空穴将在基区中积累起来，由于NPN发射极电子的大注入，当电子注入到与基区空穴浓度持平时，额外累积的空穴浓度与基区空穴掺杂浓度相当。
此时由于基区电导率由基区掺杂浓度决定，因而基区的有效电导率会大大增加，导致基区有效电阻减小，SCR器件的I-V特性曲线出现负阻现象(电压随着电流增加而减小的现象)。
注：电导调制效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；影响就是BJT基区的电阻率下降（电导率增大），使得发射结的注射效率降低，减小了电流放大系数。
电导调制导致回滞，电导调制效应越强，回滞越强，回滞引起的维持电压越低，想要提高维持电压，就可以从源头上解决—削弱电导调制效应
电导调制<====>电流放大系数
放大系数决定于发射结注射效率和基区输运系数
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