二极管，看这篇就够了~

二极管的基础知识

PN结的形成

• P区半导体掺杂3价离子

  • 3价离子获取共价键中的电子形成稳定态，导致P区掺杂离子带负电。含有大量的空穴，称为多数载流子；含有少量的电子，称为少数载流子

• N区半导体掺杂5价离子

  • 5价离子失去电子形成稳定态，导致N区掺杂离子带正电。含有大量的电子，称为多数载流子；含有少量的空穴，称为少数载流子

• 扩散运动
  

  • 基于载流子的浓度差异和随机热运动，载流子会从高浓度区域向低浓度区域扩散；则P区的空穴向N区扩散、N区的电子向P区域扩散；扩散的结果就是两区交界处的载流子互相中和，p区留下带负电的离子，N区留下带正电的离子，这些离子不能任意移动，因此不能参与导电，形成空间电荷区(又称耗尽区、势垒区) ，即PN结；由于该区域缺少载流子，所以它的电阻率很高；这些离子构成的电场称为内电场，内电场抑制扩散运动
    

单向导电性

• 外加正向电压
  

  • 外加正向电压时，PN结在无偏置时的平衡被打破，P区的空穴和N区的电子都要向PN结移动；P区的空穴进入PN结后中和部分负离子、 N区的电子进入PN结后中和部分正离子、结果PN结变窄。即耗尽区厚度变薄，其电阻阻值减小。外加电场和内电场方向相反，导致内电场减弱，有利于多数载流子的扩散运动，形成扩散电流；实验表明，在正常工作范围内，PN结上外加电压只要稍微变化，就会引起电流的显著变化
  • PN结的导通压降就是用来克服内电场的压降，其大小受温度和通过正向电流大小的影响。

• 外加反向电压
  

  • 在外加电压的作用下，P区的空穴和N区的电子都进一步远离空间电荷区，使耗尽区的厚度加宽。外加电场和内电场一致，PN结电场强度增强，阻碍多数载流子的扩散运动，因此扩散电流趋近于零。但是结电场的增加使得少数载流子的漂移运动增加，所以产生反向电流I_𝑅,但是少数载流子的浓度很低，数量很少，所以反向电流很小。在一定温度下少数载流子的浓度恒定，所以当外加反向电压时， I_𝑅趋于恒定，此时PN结基本不导电，称为PN结截至

PN结的反向击穿

• 反向击穿的基本概念
  

  • 如果加到PN结两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。这个现象就称为PN结的反向击穿(电击穿)，电击穿可恢复。发生击穿所需的反向电压𝑉_BR称为反向击穿电压。
  • 电击穿是可逆的，但当反向电流和反向电压乘积超过PN结容许的耗散功率，就会使得热量散不出去而使PN结温度上升，直到过热而烧毁，这种现象就是热击穿，热击穿不可恢复。
  • 对于一般的整流二极管往往电击穿和热击穿共存；我们可以利用电击穿制作特殊二极管，如：稳压二极管，而热击穿则是必须尽量避免的。

• 电击穿的原因

  • 雪崩效应
    

    • 当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随之增强。产生漂移运动的少数载流子通过空间电荷区时，在很强的电场作用下获得足够的动能，与晶体原子发生碰撞，从而打破共价键的束缚，形成更多的电子-空穴对，这种现象称为碰撞电离。新产生的电子和空穴，获得足够的能量，继续碰撞电离，再产生电子-空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像陡峭的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大，于是PN结被击穿，这种击穿称为雪崩击穿。

  • 齐纳效应
    

    • 在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区存在一个很强得电场，不需要外来载流子得碰撞，它直接能够破坏共价键的束缚，将电子分离出来产生电子-空穴对，在电场作用下，电子移向N区，空穴移向P区，从而形成较大的反向电流，这种击穿现象称为齐纳击穿。

  • 雪崩击穿 VS 齐纳效应

    • 参杂浓度

      • 雪崩击穿需要宽的空间电荷区以便少数载流子在电场中做长距离漂移运动获得足够的能量；且空间电荷区较宽时，倍增效应越强。所以要求PN结的掺杂浓度低，反向偏置电压大。
      • 齐纳击穿是量子的隧道效应，束缚在空间电荷区共价键中的电子在强电场的作用下从价带穿过禁带进入导带；要发生隧道效应则要求电场要强，空间电荷区要薄。所以PN结掺杂浓度要高；

    • 温度系数

      • 反向电压一样且不变的情况下，温度越高，空间电荷区共价键中的电子获得能量，更容易发生隧道效应，所以：温度越高，反向电流越大，需要的反向击穿电压越小，温度系数为负。
      • 反向电压一样且不变的情况下，温度越高，空间电荷区共价键中的电子获得能量发生抖动，载流子受散射加剧，碰撞电离率减小；所以：温度越高，反向电流越小，击穿电压越大，温度系数为正。
      • 在稳压要求高的情况中，常常将两种类型的管子串联以抵消温度效应

结电容

• 扩散电容
  

  • PN结的空间电荷区域又称耗尽区或势垒区。当PN结正向偏置时，P区的空穴将向N区扩散，其结果导致到N区的空穴在靠近结边缘的浓度高于距结稍远处的浓度。这种超量的空穴浓度可视为电荷存储到PN结的邻域。存储电荷量的大小，取决于PN结上所加正向电压值的大小；N区的电子向P区扩散的情况与上述情况类似。

  • 若外加正向电压有一定的增量ΔV，则相应的空穴(电子)扩散运动在结的附近产生一定的电荷增量ΔQ，则扩散电容𝐶_𝐷 为：
    

  • PN结在正向偏置时，积累在P区的电子和N区的空穴随正向电压的增加而很快增加，扩散电容较大。反向偏置时，因为少数载流子数目很少，所以扩散电容数值很小，一般可以忽略.

• 势垒电容
  

  • PN结处于反向偏置,当外加电压V_𝑅 增加时,多数载流子被拉出而远离PN结,势垒区将增宽;反之,当外加电压减少时,势垒区变窄.势垒区的变化意味着区内存储的正,负离子电荷数的增减,类似于平行板电容器两极板上的电荷的变化.此时PN结呈现出的电容效应称为势垒电容C_𝐵
    

  • PN结的电容效应时扩散电容和势垒电容的综合反映，它直接影响二极管的高频特性和开关特性。所以在高频和开关应用中，必须考虑PN结电容影响；PN结电容的大小除了与本身的结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN结正向偏置时，结电容较大(主要决定于扩散电容)；当反偏时，结电容较小(主要决定于势垒电容)
    

二极管的主要参数

• 最大整流电流I_𝐹

  • 是指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。

• 反向击穿电压V_𝐵𝑅

  • 指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行

• 反向电流I_𝑅

  • 指管子未击穿时的反向电流，其值越小，管子的单向导电性越好。由于温度增加，反向电流会明显增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。

• 极间电容C_𝑑

  • PN结存在扩散电容𝐶_𝐷和势垒电容𝐶_𝐵 ，极间电容是反映二极管中PN结电容效应参数，𝐶_𝑑=𝐶_𝐷+𝐶_𝐵。在高频或开关状态运用时，必须考虑极间电容的影响。

• 反向恢复时间T_𝑅𝑅
  

  • 由于二极管中PN结的电容效应的存在，当二极管外加电压极性翻转时，其原工作状态不能再瞬间完全随之变化。特别是外加电压从正向偏置变成反向偏置时，二极管中电流由正向变成反向，但其翻转后瞬间由较大的反向电流，经过一定时间T_𝑅𝑅后反向电流才会变得很小。
  • 存在反向恢复时间的主要原因是扩散电容𝐶_𝐷的影响。由于二极管加正向电压时，PN结两侧存在从对方区域扩散过来的载流子的积累：P区积累了自由电子，N区积累了空穴。当二极管外加电压由正向变为反向时，有利于载流子的漂移运动，因此反向电流较大，扩散电容越小，反向恢复时间越短，工作频率越高。
  • 二极管从反向截至到正向导通则不存在积累载流子的消散过程，所以二极管从反向到正向的转换时间较短。

二极管的分类与应用

二极管的分类

齐纳稳压管（稳压二极管）

• 稳压二极管的稳压原理
  

  • 通过不同制造工艺制造出处于反向击穿状态时不会损坏的二极管(普通二极管会损坏)。稳压管是掺杂浓度较高的面结型硅二极管，如图稳压二极管的伏安特性曲线，当反向电压到达V_Z时，曲线很陡，说明流过稳压二极管的电流大小在很大范围Δi内变化时，稳压二极管两端的电压基本不变。
  • 在稳压电路中，往往配合着限流电阻R一起使用，具体分析如下：
    
    
    

• 稳压管的主要参数

  • 稳定电压V_Z

    • 稳压管的反向击穿电压，即稳压管的稳定电压，它是在特定的测试电流𝐼_ZT 下得到的电压值

  • 稳定电流𝐼_Z

    • 𝐼_Z(𝑚𝑖𝑛)和𝐼_Z(𝑚𝑎𝑥)为稳压管工作在正常稳压状态的最小和最大工作电流。反向电流小于𝐼_Z(𝑚𝑖𝑛) ，稳压管稳压特性消失；反向电流大于𝐼_Z(𝑚𝑎𝑥)时，稳压管可能烧毁

  • 动态电阻R_Z

    • R_Z =ΔV_Z/ ΔI_Z越小,曲线越陡，稳压管的稳压性能越好

  • 额定功耗P_Z

    • 额定值为稳定电压V_Z和允许最大电流𝐼_Z的乘积

  • 温度系数𝐶_TV

    • 1℃引起的管子两端电压的相对变化量即温度系数，温度系数越小，表明稳压管受温度影响小

• 稳压管工作条件

  • 处于反向击穿状态：即反向加在稳压管上的电压要大于稳压值；对小于稳压值的电压不能进行稳压
  • 稳压管是电流型器件，通过稳压管的电流要达到其工作条件：限流电阻的计算如下
    

• 稳压管的选型

  • 稳压管适用于稳压值要求比较低，电流值要求也不高的场合。当然也有大电流的
  • 稳压二极管的稳压值离散性很大，即使同一厂家同一型号产品，其稳定电压值也不完全一样，一般手册上给出的也是一个范围值；这一点在选用时应加以注意。对要求较高的电路，选用前应对稳压值进行检测。
  • 除了要注意稳定电压、最大工作电流等参数外，还要注意选用动态电阻较小的稳压二极管，因为动态电阻越小，稳压性能越好。

TVS管

• 工作原理
  

  • TVS，也就是瞬态二极管，它是一种高效能保护元器件，两极若受到反向瞬态高能量时候能够以皮秒量级的速度吸收浪涌，对后级电路形成有效的保护，适合于电源产品、通讯设备、家用电器等。TVS瞬态二极管一般以二极管形式出现，类似于稳压管，如图，有单向也有双向TVS。
  • 如图，直流电路中单向TVS反向并联于电路中，当电路正常工作时，TVS 处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS(雪崩)击穿电压时，TVS迅速由高电阻状态突变为低电阻状态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在较低的水平，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后，TVS 阻值又恢复为高阻态。
    

• TVS管的参数和选型
  

  • 截止电压Vrwm

    • 在Vrwm下，认为TVS是不工作的，即是不导通的。要求Vrwm要大于工作电压，通常选取截止电压为工作电压的1.1~1.2倍。在正常情况下，它通常比最大击穿电压VBR低10%或5%，因此有助于将泄漏电流的发生率降至最低。

  • 漏电流IR

    • 漏电流，也称待机电流。对于同功率和同电压的 TVS，在 VRWM ≤10V时，双向 TVS 漏电流是单向TVS 漏电流的2倍。漏电流主要带来了功率的损耗，或者是在模拟信号中，会影响AD信号的采样值，所以TVS的漏电流越小越好。

  • 击穿电压VBR

    • 击穿电压，指在 V-I 特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得 TVS 两端的电压。

  • 峰值脉冲电流IPP、VC钳位电压

    • 击穿电压，指在 V-I 特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得 TVS 两端的电压。

  • 结电容CI

    • 结电容是TVS中的寄生电容，在高速IO端口保护需要重点关注，过大的结电容可能会影响信号的质量。所以结电容越小越好

  • Pppm额定脉冲功率

    • 这是基于最大钳位电压和此时的峰值脉冲电流，在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

• TVS管的使用注意事项

  • TVS和被保护电路是并联关系；TVS需要靠近保护接口；
  • TVS需要良好接地，TVS的地PAD多打地孔；
  • 根据电路的传输速率选择合适的极间电容
  • 交流电路选择双向TVS，直流电路选择单向TVS（单向的低容值比双向的难做一些）

• TVS管子和稳压管的比较
  

  • 稳压二极管(又名齐纳二极管)，是利用pn结反向击穿状态，能在电流变化大变化范围内，而保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。
  • TVS管(瞬态电压抑制二极管)，在稳压管工艺基础上发展起来的新产品，是一种新型的高效电路保护器件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力。根据电路的传输速率选择合适的极间电容；
    

ESD管

• sigle ESD二极管和sigle TVS二极管的区别

  • 工作原理一样
  • ESD多用于板级的静电防护，在一些关键引脚上，对于高速信号，要求其结电容小(小于3pF最好)；其吸收浪涌能力比TVS低，功率比较小、响应速度比TVS二极管快；TVS多用于电路的初/次级，用于吸收浪涌，吸收浪涌能力强，功率比较大，响应速度比ESD二极管慢；
  • ESD体积小，封装多样化，可同时接多路电路；TVS体积较大，封装种类少，只能对单一路进行防护
  • 选ESD二极管看的是ESD rating(HBM/MM)、IEC61000-4的level和结电容;TVS看的是击穿电压、截至电压、钳位电压、峰值电流、封装和功率

• ESD array
  

  • 转向二极管：其不是特定种类的二极管。取而代之的是，该术语描述了二极管是如何用于引导或引导电流远离其通常路径的
  • 在电子产品中，您会发现转向二极管广泛用于保护组件免受瞬态事件（如电涌和ESD）的影响。这些事件涉及电压和电流的突然升高，可能会损坏引脚和半导体IC。转向二极管通常用于保护以太网，RS232 / RS485和I / O端口。
  • 上图中2、5管脚可以不连接，其分别作为低瞬态电压和高瞬态电压的基准电压，也可以保护VCC电源的后级电路！
  • 下图中VCC连接到5管脚、GND连接到2管脚；其显示了用于保护电路免受瞬态事件影响的转向二极管的典型配置。在正常情况下，D1和D2都是反向偏置的。当接地连接器上出现瞬态电压时，D2激活以将其引导离开电路侧。
  • 类似地，当连接器上的电压上升到高于Vcc时，D1导通以将过多的电流从电路中转移出去。当电流转移到Vcc时，存在电流可能流过并损坏其他组件的风险，这解释了额外增加的TVS的原因。TVS管将为过量电流从Vcc流向地面提供安全的路径。
    

肖特基二极管

• 肖特基二极管的结构
  

  • 肖特基势垒二极管(SBD)，又称为热载流子二极管。利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，N型半导体作为阴极，金属侧作为二极管的阳极有点接触型和面接触性两种管型结构

• 不同电压偏置下的分析

  • 无偏置：金属中的电子扩散运动至N区中和N区的空穴，在N区形成势垒区，金属区域几乎不存在势垒区域，所以肖特基的势垒区相比于PN结要薄
  • 正向偏置：载流子只有一种为电子，当加正向偏置时，电子从N区流向金属，没有空穴从金属流向N区，N区中没有大量空穴的积累，所以没有电荷存储效应；势垒区变薄几乎没有
  • 反向偏置：N区电子被吸引至其右边，金属区电子由于N区的势垒区阻挡无法进入N区，但要注意势垒区域很薄很容易被击穿；金属区电子被负极推，正极吸漏电流会比较大

• 肖特基二极管的优缺点

  • 低正向导通压降：肖特基硅二极管的正向导通压降为0.2-0.3V之间，而标准硅二极管的正向导通压降为0.6-0.7之间；所以它的功耗更小
  • 快速恢复时间：由于只是一种载流子的传输，几乎没有少子的电荷存储效用，这意味着可以应用于高速开关应用
  • 结电容非常小： 由于正偏时没有电荷积累效应则没有扩散电容，由于反偏时空间电荷区很薄则势垒电容很小；所以肖特基二极管的结电容很小；在datasheet中一般找不到该参数
  • 噪音更小：与典型的PN结二极管相比，肖特基二极管产生的不需要的噪声更少
  • 高电流密度：正向导通时，肖特基二极管的耗尽区可以忽略不计，所以施加很小的正向电压就足以产生大电流
  • 较高的反向电流：由于肖特基二极管是金属半导体结构载流子（电子）浓度高，且其势垒较薄，所以反向电压更容易漏电流
  • 反向电压较低：反向电压是当电压反向连接（从阴极到阳极）时二极管将击穿并开始传导大量电流的电压。这意味着肖特基二极管在不击穿和传导大量电流的情况下无法承受很大的反向电压。且该反向电压不能同PN结一样通过改变掺杂浓度来改变(单一载流子&势垒区域很薄原因);

• 肖特基二极管VS普通二极管
  

• 肖特基二极管的应用（极低的压降和高开关速度）

  • 射频混频器和检波二极管：多用于高性能二极管环形混频器；其低电压开启、高频能力和低结电容使它成为射频检测器的理想选择
  • 功率整流器：肖特基势垒二极管也用于大功率应用中，作为整流器。它们的高电流密度和低正向压降意味着与使用普通 PN 结二极管相比，浪费的功率更少。这种效率的提高意味着需要消散的热量更少，并且可以在设计中加入更小的散热器
  • 采样保持电路：正向偏置肖特基二极管没有任何少数电荷载流子，因此，它们可以比典型的 PN 结二极管更快地切换。因此使用肖特基二极管是因为它们从采样到保持步骤的转换时间较短，这会在输出端产生更准确的采样。
  • 太阳能电池：肖特基二极管可以帮助最大限度地提高太阳能电池的效率，因为它们具有低正向电压降。它们还有助于保护电池免受反向充电。
  • 电源合路二极管：这种效肖特基二极管可用于负载由两个独立电源驱动的应用。一个示例可以是主电源和电池电源。在这些情况下，一个电源的电源不能进入另一个电源是必要的。这可以使用二极管来实现。然而，重要的是要最小化二极管上的任何电压降以确保最大效率。与许多其他应用一样，鉴于其低正向压降，该二极管非常适合此应用。肖特基二极管往往具有较高的反向漏电流。这可能导致任何可能正在使用的传感电路出现问题。进入高阻抗电路的泄漏路径会导致错误读数。因此，这必须在电路设计中加以考虑。

温度二极管

• 测温原理
  

  • 当二极管由一恒定正向电流驱动时，其正向偏置电压随着温度的升高而线性降低(通过不断试验,并运用统计规律,可以取其值为- 2. 2 mV/ ℃,即温度每上升1 ℃,认为二极管正向电压下降2. 2 mV ,而温度每下降1 ℃,其正向电压上升2. 2 mV)，这一性质被用于制作IC温度传感器。若要进一步增加灵敏度，可以采用2个或多个二极管串联的方式，典型的可用温度范围是“-100~250℃”。

• 电路图
  

  • 如图所示，利用二极管导通电压会随温度的升高而下降( - 2. 2 mV/ ℃) 的特性,采用将4 个二极管串联作为温度传感器(即- 8. 8 mV/ ℃) 。M9 ,M10 ,M11是镜像电流源组成的恒流源,给4 个二极管提供恒定电流。芯片整个工作时,随着温度的升高, V 点电压就会下降。只要检测V 点电压就能知道当前的温度状况。这个电路就完成了把温度信号转变为电压信号的任务。温度为50 ℃时的V 点电压: V = 2. 4 V ;温度为120 ℃时的V 点电压: V = 1. 78 V.有了V 点的电压信号,再作处理就方便许多。
  • 可以设计一个迟滞比较器,其输入端低于1. 78 V 就输出高电平信号(可以定义高电平为保护信号) ,其输入端高于2. 4 V 就输出低电平信号,即解除保护。这就相当于温度超过120 ℃时进行保护,当温度恢复到50 ℃时再解除保护,重新工作。

续流二极管

• 续流二极管在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端，当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失，此时残余电动势通过一个二极管释放，起这种作用的二极管叫续流二极管。