一文MOS管串联并联驱动应用解析-KIA MOS管

最新推荐文章于 2024-05-14 06:52:44 发布
最新推荐文章于 2024-05-14 06:52:44 发布
阅读量5k 收藏 11
点赞数
分类专栏： 电子元器件 关于MOS管详解 MOS管 文章标签： 封装
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/qq_42597971/article/details/107840961
版权

1、MOS管并联的可行性分析

由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。
在这里插入图片描述

2、MOS管的并联电路

理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下

在这里插入图片描述

上图中，R1-4为栅极驱动电阻，每个MOS管都由独立的栅极驱动电阻隔离驱动，主要是可以防止各个MOS管的寄生振荡，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢？如果取值过小࿰

最低0.47元/天 解锁文章
KIA半导体
关注
  • 0
    点赞
  • 踩
  • 11
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
探讨mos管串并联分裂问题
Carol0630的博客
01-17 5414
参考： 参考：MOS管串联
相同的MOS管进行并联或者串联，它们等价的MOS管与原MOS管在宽长比上有什么联系与区别？
GitHDL的博客
04-11 1万+
提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档 文章目录问题描述一、pandas是什么？二、使用步骤1.引入库2.读入数据总结 问题描述 相同的MOS管进行并联或者串联，等价的MOS管与原MOS管在宽长比有什么联系与区别？ 提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考 一、pandas是什么？ 示例：pandas 是基于NumPy 的一种工具，该工具是为了解决数据分析任务而创建的。 二、使用步骤 1.引入库 代码如下（示例）： import numpy as np impo.
mos管如何并联使用？
07-13
mos管如何并联使用？ 并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。 MOS管并联方法电路图 以3只IR公司的IRF2807MOS管并联试验为例，工作电路图如图1。 MOS管并联工作原理 在图1中，采用对每个并联的MOS管单独实限流技术来限制流过每个MOS管的电流。具体方法如下： 在每个MOS管串联作电流检测用的采样电阻（图中的RlO、Rll、R12），实时对流过每个MOS管的电流进行监测。3路分流器的采集信号均送人4比较器 LM339，作为判断是否过流的依据：只要流过任何一个MOS管的电流超过对其所限定的电流保护值，则控制回路依据送出的过流保护信号马上限制驱动脉冲的开度，保证当前流过每个MOS管的电流不超过所限定的电保护值。 在图1中，如果在PWNin驱动脉冲加入后，假定MOS1先开通，MOS2、MOS3暂时未开通，则电流只能先流过MOS1，而且电流被限制在其限制值以内；接着MOS2又开通，则部分原先流过MOS1的电流会被分流到MOS2，必然引起流过
2024年最新MOS管驱动电路，看这里就啥都懂了！_mos管负压驱动电路(1)，2024年最新再不刷题就晚了
最新发布
2401_85012069的博客
05-14 878
本驱动电路的设计思想是，利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB>VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 **减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。这使得P2的栅极电位升高，P2截止。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
晶体管与MOS管的并联理论
大不列颠小小咸鱼
06-25 1万+
一、MOS管并联理论： (1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。 (2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。 MOS管的这一特性适合并联电路中的均流，因此当电路中电流很大时，一般会采用并联MOS管的方法来进行分流。采用MOS管进行电流的均流时，当其中一路电流大于另一路MOS管中的电流时，电流大的MOS管产生的热量多，从而引起导通电...
MOSFET并联使用注意事项
12-04
MOSFET并联使用注意事项-预防寄生震荡引起的损坏,主要是指在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生震荡.
详解MOS管并联注意事项和采取措施
树卡花
02-24 8342
MOSFET管并联工作时，需要考虑两个问题： 1）满载时，并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡。 2）通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡。 在并联工作的情况下，无论是静态还是动态情况，如果一个MOSFET管分担了相对较多的电流，它发热将会更厉害，很容易造成损坏或者造成长期的可靠性隐患。 静态电流分配不均衡是由于并联器件的Rds不相等引起的。Rds较低的器件分担了比平均值更大的电流。由于MOSFET管的Rds具有正的温度系数，所以MOSFET管不会发生二次击穿。如果MOSFET管内部的一小部分区域吸
MOS的串联并联
是抹茶味的啊的博客
08-17 5772
串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。如果两个管子参数一样。并联时，各点的电压对应相等，两管子电流相等，由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管子的电流。...
MOS管串联
热门推荐
weixin_43205692的博客
06-05 2万+
MOS管串联 I-V曲线本来应该一样，但是由于effL，PSE的存在，以及间接导致的DIBL，都会让这两个曲线有区别 长沟道器件，两者近似。短沟道器件差别大。 其实单纯从W/L上考虑应该是没有区别的。 使用两个(或多个）串联，提高L。 我认为好处如下： 正如二楼所说，避免使用倒比管（W/L远小于1时）； 通过拆分为多个管子串联时，在layout上容易布局、匹配； 串联时，如果SD电压降低，一个管子进入线性区，但可保证另外一个工作在饱和区。 单纯从w/l考虑，也应该考虑背栅效应的影响 低功耗中常用到 两
浅析MOS管串联并联的驱动应用
weixin_43747182的博客
11-28 1万+
  　　1.MOS管并联的可行性分析 　　由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。         　　2.MOS管的并联电路 　...
多颗MOS管的并联应用研究
01-12
1.MOS管并联的可行性分析 　　由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。 　　2.MOS管的并联电路 　　理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下
功率MOSFET并联应用.pdf
12-19
功率MOSFET并联时会产生振铃，讲述了其产生原因与抑制方法
仅仅只需7步 便秒懂MOS管选型-细说MOS管选型技巧-KIA MOS管
01-20
　选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，为重要的是，为产品匹配了一款恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到效、稳定、持久的应用效果。...
场效应管导通条件-场效应管与P沟道管开关导通原理解析-KIA MOS管
09-21
场效应管导通条件
MOS管在2020年即将爆发的十大电子应用领域-KIA MOS管
01-06
提供功率MOSFET的型号选型及应用问题分析以及AC-DC,DC-DC电源IC方案型号推荐—场效应管MOS管在2020年即将爆发的十大电子应用在哪个领域呢？ 答：2019年，5G手机试水，TWS耳机爆量，ETC覆盖率达90%，AR／VR迈向爆发...
KIA3401-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
05-10
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
KIA2301-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
05-10
SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.81V；
MOS管的一些小常识整理
杨飞的博客
07-21 9303
关键词：炸管子，栅极驱动器，mos并联，大功率，驱动/泄流电阻，自举电路，电压隔离 MOS入门 mos开启电压及参数 普通为5V左右，低开启电压的种类有2V左右的 依据实践所需求的工作电流，接上适宜的假负载，连续工作2小时左右，假如MOS管散热片(TAB)不烫手，就根本上能够运用 MOS饱和导通电阻Rds越小越好，典型值最好小于10mQ，这个数值以从技术手册上查到。 导通与截止由栅...
nginx将https://www.kia.cn/activity/2022/07/k3/做301跳转到https://www.kia.cn/vehicles/thenewa如何配置
11-01
要将https://www.kia.cn/activity/2022/07/k3/做301跳转到https://www.kia.cn/vehicles/thenewa，可以在nginx的配置文件中添加以下代码： ``` server { listen 443 ssl; server_name www.kia.cn; ssl_certificate /path/to/ssl/cert; ssl_certificate_key /path/to/ssl/key; location /activity/2022/07/k3/ { return 301 https://www.kia.cn/vehicles/thenewa; } # other location blocks and server configurations } ``` 其中，`listen 443 ssl`表示监听443端口并启用SSL，`server_name`指定服务器域名，`ssl_certificate`和`ssl_certificate_key`指定SSL证书和私钥的路径，`location /activity/2022/07/k3/`表示匹配请求路径为`/activity/2022/07/k3/`的请求，`return 301 https://www.kia.cn/vehicles/thenewa;`表示将请求重定向到`https://www.kia.cn/vehicles/thenewa`并返回301状态码。

“相关推荐”对你有帮助么？

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值