探讨mos管串并联分裂问题

已于 2022-04-07 09:07:16 修改
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分类专栏： 电压电流偏置 工艺 文章标签： linux
于 2022-01-17 09:19:10 首次发布
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本文探讨了MOS管的串联和并联使用，指出并联可降低栅端电阻，串联则通过增加沟道长度。同时，详细讨论了在实际应用中的电路设计，如3个IRF2807 MOS管的并联试验，并分析了MOS管驱动电路中GS两端并联电阻的作用。还涉及了MOS管串联工作状态的分析，以及cascode current mirror电路的优缺点。

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增加沟道长度，串联。增加Mos管宽度，并联。

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

并联减小栅端电阻。

并联（增加W,分割W）

管子的宽度则是由 Finger Width 和 Fingers 的乘积决定。其中 finger width和 fingers 则根据版图设计要求来设置。现在，设置 Fingers 为 1，而将计算得到的 W值填入 Finger Width 中。
参考：
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以3只IR公司的IRF2807 MOS管并联试验为例,工作电路图如图1。
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补充：

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