浅析MOS管串联并联的驱动应用

本文探讨了MOS管并联的可行性,分析了MOS管并联时的自动均流特性,并介绍了4颗MOS管并联电路的设计,强调了栅极驱动电阻的选择和栅极下拉电阻的作用。同时,提到了MOS管并联对布线阻抗的严格要求,以确保电流均衡。
摘要由CSDN通过智能技术生成

 

  1.MOS管并联的可行性分析

  由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大,如果在并联过程中由于某种原因(比如RDSON比较低,电流路径比较短等)导致某颗MOS管的电流比较大,这颗MOS管会发热比较严重,内阻会升高比较多,电流就会降下来,由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。

       

  2.MOS管的并联电路

  理论上MOS管可以由N颗并联,实际上MOS管并联多了容易引起走线很长,分布电感电容加大,对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下

        

  上图中,R1-4为栅极驱动电阻,每个MOS管都由独立的栅极驱动电阻隔离

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