详解电路中GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS解释-KIA MOS管

本文详细解释了电路中GND与GROUND的区别以及VCC、VDD、VEE、VSS的含义。VCC和VDD分别代表器件电源,VSS通常指电路公共接地端电压,VEE则为负电压供电。同时,文章提到了在不同类型的晶体管和集成电路中这些术语的应用,并讨论了地线处理的重要性,如数字地、模拟地等。
摘要由CSDN通过智能技术生成

GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS解释

一、解释

DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)VSS:地或电源负极VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)VPP:编程/擦除电压。

VCC:C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压;

VDD:D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压;

VSS:S=series表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压。

二、另外一种解释

Vcc和Vdd是器件的电源端。

Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOSorNMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。

Vcc来源于集电极电源电压,CollectorVoltage,一般用于双极型晶体管,PNP管时为负电源电压,有时也标成-Vcc,NPN管时为正电压。

Vdd来源于漏极电源电压,DrainVoltage,用于MOS晶体管电路,一般指正电源.因为很少单独用PMOS晶体管,所以在CMOS电路中Vdd经常接在PMOS管的源极上。

Vss源极

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