本文探讨了三极管推挽电路的特点，强调了MOS管在导通时无压降的优势，介绍了上N上N和上P上N型MOS管推挽电路的工作原理和特性。上N上N型推挽电路实现轨对轨输出，适合高频大功率应用，而上P上N型推挽电路则适用于低频小功率场景，需要考虑P管的开关速度和导通阻抗。设计时序是确保MOS管推挽电路正常工作的关键因素。
1、三极管回顾：
三极管推挽电路输出特点：Vout=Vin-0.3V（如下图所示）
这中输出方式跟三极管的特性分不开。下文中提到的MOS管推挽电路将规避这个问题：
涉及知识：三极管导通特性需要考虑压降，MOS管导通是没有压降这个概念，只需要考虑导通阻抗问题（Rds-on）
2、MOS管推挽电路设计
上N上N型推挽电路：如下图所示。Vout几乎等于VCC（这种方式是轨对轨方式（rail-rail））
工作特性：一般工作在频率比较高，功率比较大的电路。
重点：其中工作方式与之前三极管推挽电路工作方式相同；但上管导通时需要考虑自举电路设计。
上P上N型推挽电路：如下图所示。
温故MOS管导通条件：
P：Vgs<Vth
N：Vgs>Vth
所以，上P下N型推挽电路需要设计时序，方式上管和下管同时导通。
工作特性：一般工作相对于上N下N型推挽电路频率比较低，功率比较低的电路。（原因是P管相对于N管开关速度慢，Rds-on相对于N管大一点）
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