通过Cadence学拉扎维的第2天-mos的IV曲线
mos的伏安特性曲线
仿真电路图如下所示
通过对VDS从0到3.3进行直流扫描,得到伏安特性曲线,选输出时因为测量电流所以点电路图中的结点(测电压点线)。
结果如图
体效应
结论告诉问我们:VBS增加,VTHN减少,|VTHP|增加
电路图如下
先对VDD在0-2.5vDC扫描,发现VDD如果设在0-3甚至更高,会出现正向击穿,电流指数级增加,没有饱和??
然后设个VB作为变量
可以看出随着VBS增加,电流增加,这是VTHN减少的结果。
但是我想显示出VTH随VB的变化还没弄出来
当然这样还不够直观,希望能直接看到VTH随VBS增加的变化
右击vth选择calculator
再次运行
可以看出左图中VTH随VBS增加而减少