1、基于Cadence617，仿真mos管的V-I特性曲线

使用到的软件，cadence 617，工艺是tsmc18rf

1、原理图

对于nmos来说，源端和衬底接地，栅极和漏极给电压，这里为了方便后续的电压的扫描仿真，将栅压和漏极电压命名为vgs、vds，后面在ADE中方便修改。

2、仿真设置

（1）查看输入曲线（转移特性曲线）

MOS管的输入曲线显示了MOS管的输入栅压和漏端电流之间的关系，所以，漏端电压vds先固定下来等于2v，让栅极电压从0变化到10v，观察id随vgs的变化曲线，输出选择M0器件的漏端口。

从仿真结果图中，可以看出，mos管的开启电压在800mv左右，在8v左右，随着vgs的升高，id不再上升，可以看作是进入到了饱和区。此时 

，考虑沟道长度调制效应。如果不考虑， = 0

(2)查看输出特性曲线

输出特性曲线，是考虑vds和id之间的关系，固定vgs等于3.3v，vds从0变化到5v，观察id的变化，如下图所示。

接着观察，vgs从0变化到4v时，id随vds变化的曲线，仿真设置如下图。