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wyy课堂cmos模拟设计课学习笔记-器件介绍
一、工艺库介绍的相关文件
二、bipolar
可以设置射极的大小和并联个数(multiplier)
三、mos
total_width = fingers * finger_width
低阈值电压mos:适用于高速高频,电源电压低(电压余度小),但漏电流大
nt管:阈值电压接近于0v,大漏电流
射频mos管(dnw是带深n井的nmos)
四、电阻
扩散产生的电阻:精度差(带sab是电阻率增强的)
金属电阻:小电阻,起连接作用
n阱电阻:工艺偏差大
poly电阻:最常用
rh:高电阻
sab:高电阻率
3t:三端器件
multipler并联的个数;segment:每一个由多少节组成;segment connectivity:节之间是并联还是串联;sheet resistance:方块电阻(就能看出电阻率大小)
并联时,两节的上下两端是连在一起的
串联时上下两端是盘龙式的,显示的阻值是串并联后的总阻值
五、电容
电容:mim、mom和射频电容
mim3:3代表单位面积电容是3mF/m2,电容=widthlength单位面积电容,总电容=widthlength单位面积电容*multipler。
mom15:用metal1到metal5做的电容。电容=number of fingers * finger length * 单位面积电容,总电容=width * length * 单位面积电容 * multipler。
六、电感
电感只用于射频。pgs:带屏蔽层。增加Q值;diff:差分电感;ind:单端电感
inner radius:线圈内径
coil turns:圈数
七、变容mos、二极管
pvar:变容mos
pvardio:变容二极管