EMI 工程师完整指南1.6

本文介绍了DC/DC转换器的EMI抑制技术,包括优化PCB布局、输入滤波器设计和金属外壳屏蔽。通过案例分析展示了如何使用二级EMI输入滤波器、HotRod封装技术降低传导发射,并强调了引脚布局、封装设计对EMI性能的影响。
摘要由CSDN通过智能技术生成

转换器的 PCB 布局

表 1 至表 5 总结了通过优化 PCB 布局及元器件排布削弱 DC/DC 转换器 EMI 信号的基本准则。我将在本文的后续部分提供一项 PCB 布局案例研究,探讨如何优化降压转换器的 EMI 特性。

表 1:布线及元器件排布。

1

将所有功率级元器件排布在 PCB 顶部。

- 避免将电感放在底部,以免对 EMI 测试装置的基准平面产生辐射。

2

将 VCC 或 BIAS 的旁路电容(从输出端)放置于靠近各自引脚的位置。

– 在将 AGND 引脚与 GND 相连之前,首先电路中连入 CVCC 和 CBIAS 电容。

3

将自举电容与邻近的 BOOT 和 SW 引脚相连接。

- 利用邻近的接地覆铜屏蔽 CBOOT 电容和开关节点,降低 CM 噪声。

表 2:GND 平面设计。

1

将 PCB 分层板中的第 2 层 GND 平面尽可能固定在靠近顶层的位置。

- 消除 H 场、降低寄生电感并屏蔽噪声。

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