模拟电子系统设计指南-从半导体、分立元件到ADI集成电路的分析与实现【2.0】-CSDN博客

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5.5.2 输出特性

输出特性测试条件是，当IB恒定时，测量基极-发射极两端电压VC E 和集电极电流IC之间的关系。即：注：

（ 1）读者可以定位到本书提供资料的 \multisim_simulation\bjt路径下，用NI Multisim 14.0打开VI_3.ms14设计文件，该文件包含NPN晶体管输出特性测试电路。

（ 2）读者可以定位到本书提供资料的\multisim_simulation\bjt 路径下，用NI Multisim 14.0打开V-I_4.ms14设计文件，该文件包含 PNP晶体管输出特性测试电路。 1.构建测试电路在本节中，以2 N3904 NPN双结型晶体管为例，构建输出特性测试电路，如图5.17所示。该测试电路使用共发射极配置模式。注： PNP晶体管输出特性测试电路，如图5.18所示。按照PNP有源正向的偏置条件设计电路。

通过SPICE提供的直流扫描分析（ DC Sweep）功能，测试当集电极电流IB （ I1 ）取不同的值时，集电极一发射极两端电压VCE和集电极电流IC之间的关系。在该测试中，设置参数。

（ 1）选中Use source 2前面的复选框，该选项使能第二个直流扫描源。

（ 2） Source 1设置如下参数。 ① Source:V2;②Start value:0 V;③Stop value:20 V;④Increment:0.01 V.

（ 3） Source 2设置如下参数。 ①Source:I1;②Start value:0 A;③Stop value:0.0001 A;④Increment:1 e-005 A. 2.绘制输出特性曲线执行SPICE直流扫描分析后， 2 N3904 NPN型双结型晶体管BJT集电极电压、电流随电压源V2 和电流源I1 的变化特性，如图5.19所示。图中，横坐标轴表示电压源VL 的变化范围。

左侧纵坐标轴表示集电极电压VCE的变化范围，右侧纵坐标轴表示集电极电流IC的变化范围。将该结果导入Excel中，可以得到VCE和IC的输出特性曲线，该特性曲线随着IB的变化而变化。如图5.20 所示。当IB从0mA不断递增时， VCE 和IC特性曲线整体向上移动一段距离。为了便于观察VCE和IC在拐点处的变化细节，将图5.20局部放大后得到图5.21。图5.20和图5.21是理解晶体管输出特性的重要途径，体现在两个方面。

（ 1）用于直观地表示截止区、放大区和饱和区。

（ 2）图中的直流工作点的位置，将直接影响后面交流小信号的放大效果，一个读者关心的问题就是直流工作点在哪个位置时，放大的信号不会出现失真，即不管采用什么方法对输入的交流小信号进行放大，最终不能造成放大后信号的失真，这也是晶体管放大电路的设计关键。