IC/FPGA低功耗设计

1.概念

功耗的构成：三个主要的功耗源：浪涌、静态功耗和动态功耗；

浪涌电流： 指器件上电时产生的最大瞬时输入电流，称为启动电流；浪涌电流与设备相关； 浪涌功耗不是我们需要关注的地方，因此这里只是说明有这个功耗存在。

静态功耗：也称待机功耗，静态功耗主要由晶体管的漏电流所导致的功耗；

动态功耗：包括开关功耗或者称为翻转功耗、短路功耗或者称为内部功耗。

• 开关功耗Pswitch = AC(fclk)*(Vdd)^2，A表示跳变因子系数/C负载电容/fclk时钟频率/Vdd电源电压。
• 短路功耗Pshort = τ(Ashort)Vdd = τ A β (Vdd-Vth)^3 . τ电平信号从开始变化到稳定的时间/β是工艺参数/Vth器件阈值电压。

动态功耗影响因素：门寄生电容、时钟翻转率、时钟频率、供电电压；

降低功耗：应当在所有设计层次上进行，即系统级、逻辑级和物理级，层次越高对功耗降低越有效；在系统和体系结构级可以达到最大的降低效果。

2.低功耗技术

• 2.1系统级降低功耗技术：
  片上系统功能硬件/软件划分：对系统性能进行仿真建模，决定哪一部分使用硬件来实现，哪一部分使用软件来实现，从而达到性能和功耗最佳平衡；
  使用低功耗选项的综合器；
  选择低功耗的处理器、先进工艺库器件；

• 2.2体系结构级降低功耗技术：

  • 多电压设计技术（Multi-VDD），包括电压控制单元：

    • 电平转换器（level shifter）：把高（低）电压区域的信号转换到低（高）电压区域。信号通常包括数据、时钟、扫描链数据等。电平转换器的示意图如下：
      
    • 电源隔离单元（power isolation cell）：主要用于模块的输入、输出。它可以关掉电源时，将信号保持为常数，从而避免单元的输入悬空。 电源门控带来的挑战是当一个子系统需要掉电时，门控整列从全部导通到全部关断的变化过程非常缓慢，这将导致该模块的输出信号很长一段时间内输出为一个中间电平，从而造成与之相连的模块/子系统CMOS管的上下两个管子同时导通，产生大量的直通电流。为了避免上述现象，可在带有电源门控模块的输出信号上增加一个隔离单元，使带有门控的模块，在掉电期间，输出到其他电源域的信号为一个确定的状态。电源隔离单元如下图所示：
      

  • 保持寄存器（retention register）：在不工作的情况下，将寄存器的状态保留下来。

  • 动态电压频率调节（DVFS技术）：降低时钟速率和供电电压

  • 基于缓存的系统体系结构：使用小范围的缓存

  • 对数FFT体系结构：基于对数系统实现FFT

  • 异步设计： 在现在的系统设计中，一个系统可能使用多个时钟，但是在每个时钟控制的区域内部都设计成一个同步的子系统。通过时钟树综合、插入缓冲器减少时钟的偏移。这种方法在时钟网络上添加了大量的缓冲器，时钟网络消耗的功耗也增加。在异步设计里面，不需要全局时钟，两个模块通过握手信号进行交互，这时候就可以减少功耗。因此异步设计也是降低功耗的一种方法。

  • 电源门控Power Gating：（静态功耗）指芯片中某个区域的供电电源被关掉，即该区域内的逻辑电路的供电电源断开（在模块不使用时将其关闭），为了最小化漏电流，门控电源晶体常使用高阀值电压单元；

  • 高阀值电压HVT：提高阈值电压，可以减小漏电流；

• 2.3RTL级降低功耗：

  • 并行处理：采用并行处理，可以降低系统工作频率，从而可能降低功耗.但是也可能由于并行化引入更多寄存器造成功耗增加；

  • 状态机编码和解码：格雷码最适合低功耗设计，格雷码比用二进制码翻转更少，可以降低开关活动，功耗更低；

  • Memory Shut Down：存储器在不使用的时候予以关闭，Intel FPGA中在memory模块IP增加clk_en来实现；

  • 门控时钟.

  • 独热码多路器/状态机：独热编码方式比二进制编码方式，输出更快更稳定，可以在初期将未选中总线掩藏掉，实现低功耗效果；

// MUX选择的二进制编码：
case (SEL)
  2’b00:OUT=a;
  2’b01:OUT=b;
  2’b10:OUT=c;
  2’b11:OUT=d;
endcase

MUX选择的独热编码：
case (SEL)
  4’b0001:OUT=a;
  4’b0010:OUT=b;
  4’b0100:OUT=c;
  4’b1000:OUT=d;
  default：OUT=‘X’；
endcase

• 资源共享，除掉多余的转换：资源共享降低功耗，有同样的操作在多处使用，可以避免相同的运算逻辑在多个位置重复出现。

• 使用行波计数器来降低功耗（可减小漏电流并降低功耗，但使用必须非常小心）

• 总线翻转编码技术：在当前数据和下一个数据之间的汉明距离大于N/2（N是总线宽度），就将下一个数据反向后输出，以减少总线上的转换次数；对于减少大容量总线上的转换次数很有效；

• 高活跃度网络：将活跃度较高的网络和活跃度较低的网络区分开，然后置于逻辑云中尽可能深的位置，与不活跃区域解耦；

• 启用和禁用逻辑云

• 2.4物理级低功耗技术

  • 技术水平：通过先进的硅处理技术，可额外降低功耗；

  • 版图优化：优化布线，长布线会增加功耗
    衬底偏压：也称反偏压，能减小漏电功耗
    减少氧化层厚度
    多氧化层厚度
    设计减小电容

  • 对于设计中翻转活动很频繁的节点，采用低电容的金属层进行布线;

  • 使高翻转率的节点尽可能地短;

  • 对于高负载的节点与总线，采用低电容的金属层;

  • 对于特别宽的器件，采用特殊的版图技术，以得到更小的漏极结电容。

  • 在有些布局布线工具中，可以将功耗作为优化目标来生成时钟树。

各层次降低功耗图

【某笔试题】

1.下列功耗措施哪个可以降低峰值功耗

A 静态模块级Clock Gating

B Memory Shut Down

C Power Gating

D 大幅度提高HVT比例

解析：首先峰值功耗是属于动态功耗中的短路功耗，即NMOS和PMOS同时导通所引起的峰值电流，最终带来的功耗。这个功耗和电源电压，时钟翻转率，以及峰值电流有关。

A选项静态门控时钟，所以A选项不正确。

B选项存储关闭。即不被访问的时候，关闭存储器，因而也是降低静态功耗。

C选项电源门控技术，即模块不工作的时候，关闭电源，模块睡眠，工作时候再启动电源，是降低静态功耗。

D选项即采用高阈值电压的晶体管，阈值电压增加的效果在于降低亚阈值漏电电流，并且短 路 功 耗 公 式 为 ：Pshort = τAshortVdd = τAβ(Vdd-Vth)3 ， 只 跟 Vth 有 关 ， 而 D 选 项 中 大 幅 提 高 HVT （ High Voltage Value）带入短路功耗公式中会使短路功耗变小，从而降低动态功耗中的峰值功耗。所以D选项正确。

2.逻辑电路低功耗设计中，无效的方法是

A 采用慢速设计

B 减少信号翻转

C 采用较慢速的时钟

D 提高阈值电压

解析：A选项说采用慢速设计并不一定会降低功耗，所以选A。

B选项减少信号翻转可以降低动态功耗。

C选项采用较慢速时钟也相对的降低了信号的翻转，所以也是降低动态功耗。
但是不能认为频率越低，系统整体功耗越小，因为工作频率降低，
意味着需要更长的处理时间，其他外围电路消耗的电能就越多。

D选项即采用高阈值电压的晶体管，阈值电压增加的效果在于降低亚阈值漏电电流，因而降低静态功耗。

3.在RTL设计阶段，降低功耗的常用设计方法是

A 门级电路的功耗优化

B 门控时钟

C 降低电路漏电流

D 多阈值电压

解析：这四个选项都是可以降低功耗的常用设计方法，但是有个前提，那就是在RTL设计阶段，也就是我们编写代码时可以控制的阶段，可以在代码中加入门控时钟，所以B选项正确。

4.某个状态下，不关心某个寄存器的输出值，那么将其设计为输出0，可以降低功耗（错误）

解析：比起设计为输出0，降低功耗更好的做法是保持寄存器原值。因为功耗来自于信号toggle，如果在上一状态寄存器输出为1，下一状态下输出为0，即便0不使用，也产生了0到1的跳变，同样会有功耗，既然不关心，还不如保持输出为1。

5.isolation cell是下面哪种低功耗技术必须的

A.Clk gating

B.Multi VDD

C.power gating

D.Multi VT

解析：B,如上介绍

6.以下哪个不是影响芯片功耗的基本要素：

电压 温度 工艺 湿度