嵌入式栏总结

一. DRAM和SRAM

1. DRAM使用电容存储电荷的方式存储数据，电容易放电，必须进行周期性的刷新。SRAM使用双稳态触发器存储数据，不需要进行刷新。

2. DRAM的操作时序，需要分时传送行地址和列地址，这种结构便于刷新。

3. DRAM每比特的功耗远小于SRAM。

4. SRAM每比特需要6~8个晶体管，而DRAM最少只需1个。

5. SRAM访存时间 0.5~2.5ns，DRAM访存时间50~70ns，速度差距20~140倍。