构成&分析&设计MOS管放大电路&与FET有何异同点
MOSFET需具备什么样的条件才能正常放大信号?
P沟道全部翻过来,电压电流的方向变一下
如何构成MOSFET放大电路
调节Rd电阻,但实际调节工作Q点时,是通过vGS电压改变vDS电压
iD=Kn(vGS-vT)2(饱和区)
调节vGS,iD变,vDS变。iD=0是,vDS最大
Rd实际上影响动态指标比较大,而静态指标主要靠vGS来调节
信号要达到一定的值才能正常传输
4个电极的MOS管,内部结构中漏极源极没差别
iD=2Kn(vGS-vT)vDS(可变电阻区)
三极管的iC=βiB在饱和区会失效
如何分析和设计MOSFET放大电路
求动态,用小信号模型法,
图解法虽然有助于理解,但是在工程中用的不多,不能量化计算
1.图解分析
2.直流偏置及静态工作点的计算
3.小信号模型分析
FET和BJT放大电路有何异同点?
2.虽然这两类器件的工作原理不相同,但它们都可以利用两个电极之间的电压控制流过第三个电极的电流来实现输入对输出的控制。
增强型MOS管利用栅源极间的电压vGS控制漏极电流iD,BJT利用基-射极间的电压vBE控制集电极电流iC。
但在放大区域内,增强型MOS管的iD与vGS之间是平方律关系,而BJT的iC与·vBE之间是指数关系。显然,指数关系更加敏感,所以通常BJT管的互导要大于MOS管的互导。
因MOS管的栅极电流iG=0,而BJT管的基极电流iB≠0,而电压vBE首先影响iB(或iE),然后通过iB(或iE)实现对iC的控制,故常将BJT称为电流控制器件,MOS管称为电压控制器件,以示两者之差别。
MOS管最后一节还可以再听一下,MOS管最后一节的笔记没做,(可以等总结章节的时候再去听一下)