光耦电路怎么设计？

一、什么是光耦合器的 CTR?

CTR 也就是电流传输比，是集电极与正向电流的比率，用%表示：

CTR = ( Ic / If ) x 100%

 集电极电流是流向光耦合器晶体管侧集电极的电流，另一方面，正向电流是流向光耦合器二极管侧的电流。

二、光耦合器电路设计步骤

1、选择电路结构

2、选择光耦合部件

光耦合器电路设计的下一步是选择光耦合器部件，在这个过程中，你必须考虑你的需求。

1. 如果你的应用是交换机，则比较选择最低CTR较高的设备，
2. 如果你的设备是线性的，你可以考虑使用点击率范围较小的应用程序，严格的点击率将对应较小的变化。
3. 如果电路要暴露再高温环境下，最好选择 CT受环境温度影响不太大的光耦，光耦合器CTR会随着温度升高而降低。

3.设置电路操作

1）定义输出电平

   上述电路可以被配置为在线性或饱和区域工作。

   饱和时，Vout 节点理想为零，但线性高于零但低于 Vcc。当二极管侧没有偏置时，Vout 的电平与 Vcc 相同。

1. 因此，如果将电路设计为开关，则理想情况下，当光耦合器导通时，必须假设 VCE 或 Vout 为零。
2. 如果应用是线性的，则必须在设计中使用的 Vout 节点中定义特定电平。

2）定义Rf 值

注释：MCU或DSP的GPIO大多是推挽输出，会出现灌电流或拉电流情况。电流过大会损坏内部芯片，一般不超过20mA。

3）确定 Rc
定义 Rf 和正向电流后，即可确定 Rc 的值。

4）对于饱和度设置

5）对于线性设置

三、光耦合器电路设计示例1-设计为开关

四、光耦合器电路设计示例2-线性

五、我的理解

下面以隔离式线性光耦NSI6901C为例子来说明

R2 R4 选择：(3.3V-0.9V)/10mA=240Ω 0603功耗1/10W 满足

C1为滤除低频信号；C2为滤除高频信号；R1  R3为电容放电提供路径 其中电容耐压选50V

当PWM是高电平时，上面的NMOS管导通，此时驱动电压15V，驱动电阻R5 15R；

当PWM是低电压时，上面的PMOS管导通，此时驱动电压-6V，驱动电阻R5 R6并联后7.5R。

加快IGBT关断时间，减少关断损耗，减少IGBT发热

R7为10K下拉电阻。

15V/10K=1.5mA   6/10K=0.6mA  15V/15Ω=2A    6V/(15*15/30)=0.8A

[注：不考虑IGBT共用驱动情况]

其中方框中的一些参数，如:

1. 输入端发光二极管正常工作的电流
2. 输入端的二极管的最大电压
3. 输出端的电压范围
4. 器件结温、工作温度
5. MOS管导通时能承受的最大电流
6. 传递延时时间，也考虑IGBT的开通 关断时间
7. 工作频率 也考虑IGBT的工作频率
8. 各种曲线，这里就不一一列举了

附录说明：本文作为本人学习硬件知识 分享学习心得所用 不作商业用途

原创韵林电子：光耦电路怎么设计？电路设计步骤+设计实例，这一文手把手教你