20230809
完成体系的结构优化、验证结构稳定后,可进行电荷密度分布计算:
将上一步的CONTCAR转为POSCAR,修改INCAR:
修改IBRION=-1
修改NSW=0
增加LAECHG=.T.
提交任务,计算完成后可用结果文件绘制电荷密度图
其中,用VESTA打开CHGCAR文件,通过修改参数,可以绘制三维和二维电荷密度图。
用AECCAR0和AECCAR2可以计算体系的Bader电荷(体系整体具体有多少电子以及原子之间的电子转移)
Bader电荷计算:
需要两个脚本:
chgsum.pl,下载地址:SCRIPTS — Transition State Tools for VASP
bader,下载地址:http://theory.cm.utexas.edu/henkelman/code/bader/
上传超算,解压缩
tar zxvf bader_lnx_64.tar.gz
chmod +x bader
tar zxvf bader_lnx_64.tar.gz 解压缩,之后运行chmod +x bader添加执行权限
chgsum.pl同上,没有布置路径,每次将两个文件(chgsum.pl、bader)复制到文件夹中使用:
./chgsum.pl AECCAR0 AECCAR2
./bader CHGCAR -ref CHGCAR_sum
计算完成后生成ACF.dat、BCF.dat。其中ACF.dat中就包含了价电子的电荷信息,在CHARGE列。如果要分析电荷转移情况,只需要用该原子的价电子与CHARGE列中对应的数值做差就是该原子的得失电子情况。
MIN DIST是原子离封闭曲面的距离,ATOMIC VOL是原子所在封闭曲面的体积
20230810
态密度计算:态度都计算要求先进行结构优化,再进行一次自洽计算,再继续一次非自洽计算,将计算完电荷密度的文件用于进行非自洽计算即可。(单独计算所需文件:静态自洽的CONTCAR,INCAR,KPOINTS,POTCAR,CHGCAR,提交脚本,WAVECAR(可加可不加,有的话会减少计算时间))
修改INCAR:
修改标签ISTART=1 #读取波函数(0/1都可)
修改ICHARG=11 #读取电荷密度且保持不变
注释或去掉标签:LAECHG=.T.
修改标签ISMEAR=-5 #去除态密度拖尾效应
增加标签NEDOS=1000 #态密度取点数
增加标签LORBIT=10 #态密度投影10时投影到spdf轨道,11投影到px,py,pz等轨道上
提交计算,计算结果文在DOSCAR中。
运行脚本文件split_dos处理结果文件
chmod +x bader
(采用ISMEAR=0,NEODOS=3000,产生的DOS曲线较为平滑,毛刺较少)
脚本计算产生的DOS0为TDOS,其他的DOS1-N里为争对各个原子的PDOS,用vaspkit-11-116产生的为不同元素的总LDOS。
230811
opt优化时注意材料的磁性,谨慎设置ISPIN数值,INSPIN设置不对对计算结果影响较大
态密度分析,总态密度可以分析材料的导电性(金属、导体、半导体),价带导带禁带宽度。
通常采用不同的结构对比来分析
分原子态密度通过选择需要分析的某个原子画图,可以分析不同原子之间的轨道杂化,以及根据不同结构分析体系的缺陷(对于半导体,N型缺陷和P型缺陷)
230814
哈密顿布居数计算:在结构优化的基础上进行移除对称性的自洽计算,然后再文件夹下通过LOBSTER进行计算COHP
INCAR修改:
增加标签NBANDS=1.2倍原NBANDS、增加标签ISYM=-1
修改标签IBRION=-1,修改标签NSW=0
原NBANDS可在普通自洽计算结果文件里的OUTCAR里查找(grep "NBANDS" OUTCAR)
提交任务进行自洽计算,