设计要求
V D D = 2.5 V , A V ≥ 10 M , C L = 10 p f , S R = 10 V / u s , I ≤ 800 u VDD = 2.5 V, A_{V} \ge 10M,C_{L}=10pf,SR=10V/us,I\le800 u VDD=2.5V,AV≥10M,CL=10pf,SR=10V/us,I≤800u
1. gmid曲线
NMOS
PMOS
2. 指标公式
AV | GBW | SR | fd | fnd |
---|---|---|---|---|
AV1AV2 | g m 1 2 π C c \frac{\Large g_{m1} }{\Large 2\pi C_{c}} 2πCcgm1 | I C L \frac{\Large I}{\Large{C_{L}}} CLI | 1 2 π C C A V 2 r o u t 1 \frac{1}{\Large 2\pi C_{C}A_{V2}r_{out1}} 2πCCAV2rout11 | g m 8 C L 2 π \frac{\Large g_{m8}}{\Large C_{L}2\pi } CL2πgm8 |
3. 电容的选取
CL 考虑寄生参数实际电路计算取 1.2 CL,CL = 12 pf
CC = 0.2 ~ 0.3 CL ,计算取 CC = 3.6 pf
4. 稳定性要求
单极点近似: ω u = G B W = g m 1 2 π C c \omega _{u} = GBW = \frac{\Large g_{m1} }{\Large 2\pi C_{c}} ωu=GBW=2πCcgm1
相位裕度要达到 60° ,需要
ω
p
2
=
2
∼
3
ω
u
\omega _{p2} = 2 \sim 3\,\omega _{u}
ωp2=2∼3ωu
ω
p
2
=
2.3
ω
u
\omega _{p2} = 2 .3\,\omega _{u}
ωp2=2.3ωu
gm8 / gm1 = 10 才能有一个好的稳定性
5. gmid 方法步骤
- 从GBW出发决定op的gm(CL一般为定值) G B W = g m 2 π C L GBW= \frac{\Large g_{m} }{\Large 2\pi C_{L}} GBW=2πCLgm
- 根据增益与速度选择一个合适的 L
- 短沟道有着高的速度 f t = g m 2 π c g s = 1 2 π 3 2 μ V O V L 2 f_{t}=\frac{\Large g_{m}}{\Large 2 \pi c_{g s}}=\frac{1}{2 \pi} \frac{3}{2} \frac{\mu V_{O V}}{L^{2}} ft=2πcgsgm=2π123L2μVOV
- 长沟道有着大的增益 A V = g m r D S = 2 V E L V O V A_{V}=g_{m} r_{D S}=\frac{2 V_{E} L}{V_{O V}} AV=gmrDS=VOV2VEL
- 选择MOS的gm/Id
大的gm/id (做放大器,使得电压噪声要小,低功耗 ,宽摆幅,小的过驱动电压)
小的gm/id (做电流源,使得电流噪声要小,高速度) - 决定电流 I*(由1 的gm,3的gm/Id决定)
- 从 gm / Id VS Id / w 表中,查3 中gm / Id对应的Id / w,将I*除以 Id / w 得到 W *
6. 计算
M1,2 参数选取
考虑 gm1,2 为放大器设计 gm/ID = 12( 考虑噪声的影响 ),取 gm1,2 = 720u,则 I1,2 = 60 u
AV = 1000 ,有两级运放 第一级 AV1 ≥ 40 ,第二级 AV2 ≥ 30
-
决定 gm :
I C L ≥ 10 v / u s , C L = 10 p f , I ≥ 100 u g m 1 2 π C c ≥ 10 M , g m 1.2 ≥ 226.2 u , g m 1.2 I ≥ 2.26 \frac{\large I}{\Large C_{L} } \ge 10 \,\,v/us,{C_{L} } = 10 \,\,pf,I \ge 100 \,\,u\\ \frac{\large g_{m1} }{\large 2\pi C_{c}} \ge 10\,M,\large g_{m_{1.2}} \ge\, 226.2 u,\frac{\large g_{m_{1.2}}}{\large I} \ge \,2.26\\ CLI≥10v/us,CL=10pf,I≥100u2πCcgm1≥10M,gm1.2≥226.2u,Igm1.2≥2.26gm1,2 / ID1,2 = 12 , 取 gm1,2 = 720 u, ID1,2 = 60u
-
选一个合适的 L 从表可以看出 本征增益 大于 80 可选取 L = 400 n
-
选择MOS的gm/Id 考虑到噪声的影响,选取 gm1,2 / ID1,2 = 12
-
决定电流 I*
由 1 的gm1,2 与 2 的 gm1,2 / ID1,2 = 12 得到 ID1,2 = 60 u
-
求 W *
ID/W = 5.5 则 W * = I / ID/ W = 10.9u*
M6 参数选取
ID1,2 = 60 u 则 ID6 = 120 u
取 L = 1 u, gm6 / ID6 = 10 计算 g m6 = 1200 u
查表得 ID/ W = 3.7 ,得 W6 = 32.43 u
M3,4 参数选取
ID3,4 = 60 u
取 L = 1 u, gm6 / ID6 = 10 计算 g m6 = 600 u
查表得 ID/ W = 0.912 ,得 W3,4 = 65.64 u
M8 参数选取
gm8 / gm1 = 10 才能有一个好的稳定性,则 gm8 = 7.2 m
L = 200 n , gm8 / ID8 = 12 , ID8 = 600 uA
查表得 ID/ W = 3.85 ,得 W8 = 155.84 u
M7 参数选取
L = 1 u (同6) , gm7 / ID7 = 10 , ID7 = 600 u, gm7 = 6 m
查表得 ID/ W = 3.7 ,得 W8 = 162.1 u
M5 参数选取
M5与M6构成一个电流镜,选取同样的规格就行
电流源
ID6 = 120 u ,电流源提供 120 u 的电流
7. 参数汇总表
gm/ID | gm | ID | ID/W | L | W | |
---|---|---|---|---|---|---|
M1 、M2 | 12 | 720 us | 60 u | 5.5 | 400 n | 10.9 u |
M3 、M4 | 10 | 600 us | 60 u | 0.914 | 1 u | 65.64 u |
M5 、M6 | 10 | 1.2 ms | 120 u | 3.7 | 1 u | 34.43 u |
M8 | 12 | 7.2 ms | 600 u | 3.85 | 200 n | 155.48 u |
M7 | 10 | 6 ms | 600 u | 3.7 | 1 u | 162.1 u |