【总结】GMID设计思路

模拟CMOS集成电路设计中的电流镜及用Cadence Virtuoso IC617设计并仿真有关电路

前面铺垫了那么多，其实都是在讲一些基本理论。我们在设计运放时，无非就是设计晶体管的尺寸，即W和L。那么，我们怎样把gm/id的数值映射到尺寸上？

此处引入一个新的概念，电流密度，用id/W代表。意思是，在单位尺寸W下的电流。在不同的gm/id取值下，有着不同的电流密度id/W。同时，晶体管的栅长L也对其有一定的影响。

这里的W参数是我事先计算好的，大约为40um，因为不同的W，出来的id/W是稍微有些差别的。
在实际设计时，我们通过计算得到W后，应该再重新仿真一次id/W曲线，用这个新得到的id/W数值再重新计算一遍，得到的结果才比较准确。

模拟CMOS集成电路设计中的gm/id设计方法及用Cadence Virtuoso IC617仿真有关参数曲线

同时，为了让压摆率满足50V/us的需求，gm/id就不能取太大，以此来保证电流不会太小，这里gm/id取值为12。

观察晶体管的self_gain - gmoverid曲线，找出在gm/id=12时，哪个沟道长度L下的增益大于200。最终确定L=500nm。