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前言
进一步学习BUCK，从DCDC芯片MPQ8633A深入理解
第一个是Buck、第二个是Boost，第三个是Buck-Boost（有的文档也称为反极性Boost）。如果电感连接到地，就构成了升降压变换器（BUCK-BOOST），如果电感连接到输入端，就构成了升压变换器(BOOST)。如果电感连接到输出端，就构成了降压变换器(BUCK)。
同步BUCK和非同步BUCK
非同步BUCK
当PWM驱动高电平使得NMOS管T导通的时候，忽略MOS管的导通压降，等效如图2，电感电流呈线性上升，MOS导通时电感正向伏秒为：
当PWM驱动低电平的时候，MOS管截止，电感电流不能突变，经过续流二极管形成回路（忽略二极管电压），给输出负载供电，此时电感电流线性下降，MOS截止时电感反向伏秒为：
伏秒法则：：在稳态工作的开关电源中电感两端的正伏秒值等于负伏秒值。伏秒数也称为伏秒积，即电感两端的电压V和开关动作时间T二者的乘积。
在开关导通的时候，电感两端电压是Vi-Vo。
在开关断开的时候，输出端电压为Vo，二极管导通，那么电感右侧就是Vo，电感左侧接的是-Vd，所以此时电感两端电压是Vo+Vd。
整个电路稳定之后，因为负载电流恒定，那么一个周期时间之内，在开关导通时电感电流增加的量，要等于开关截止时，电感电流减小的量，即电感充了多少电就要放多少电，不然负载的电流或者电压就要发生变化。
即一个周期内，电感电流增大量等于减小量。
然后又因为U=Ldi/dt，di/dt=U/L，L不变，所以电感电流变化速度与电压成正比。
简单说就是，电感电流上升或下降的斜率与电压成正比。
斜率与电压成正比，电感电流上升的高度与下降高度又相同，那上升时间不就和电压成反比了吗？
所以，自然就有了：
Ton/Toff=(Vo+Vd)/(Vi-Vo)
要使BUCK电路输出电压。需要控制MOS管的开通与关断；而控制方法有PWM脉冲宽度调制法，PFM脉冲频率调调制法和PSM脉冲跨周期调制；以下将以PWM脉宽调制法来控制MOS的开通与关断，并分析在电路在工作中的状态、波形、参数计算与分析。为了方便分析，作如下假定：MOS管、二极管都是理想二极管，导通时相当于短路、截止时相当于断路。电感、电容也是理想元件，只考虑其本身的感抗和容抗。BUCK电路的工作状态可根据电感电流是否减少到零 ，可分为连续电流模式（CCM）、断续电流模式（DCM）、临界电流模式（BCM）。以下将针对不同的工作模式进行稳态计算分析。
2.1PWM,PFM,PSM三种控制方法的优缺点
PWM方式有以下优点:控制电路简单，易于设计与实现，输出纹波电压小，频率特性好，线性度高，并且在重负载的情况下有比较高的效率。PWM是从处理器到被控系统信号都是数字形式的，再进行数模转换。可将噪声影响降到最低。其缺点是随着负载的变轻，其效率也下降，尤其是轻负载的情况下，其效率很低。PWM 由于误差放大器的影响，回路增益及响应速度会受到限制。
PFM方式的优点是:在轻负载的情况下，效率很高，并且频率特性也十分好。对于外围电路一样的 PFM 和 PWM 而言,其峰值效率 PFM 与 PWM 相当,但在峰值效率以前,PFM 的效率远远高于 PWM 的效率,这是 PFM 的主要优势，但是在重负载的情况下，其效率会明显低于PWM方式，并且由于其纹波的频谱比较分散，没有多少规律，这使得滤波电路的设计变得十分复杂与困难。
PSM方式的优点是:在轻负载的情况下，PSM要有更高的效率，并且其开关损耗与系统的输出功率成正比，与负载的变化情况关系不大。但是这种调控方式，会使输出电压有着比较大的纹波电压，不适合用于为对电源电压精度要求很高的一些系统供电。
2.2DCDC BUCK各种模式
一、频率变化：
1、从属于PWM的“真”定频模式
a、电压模式（Voltage Mode,VM）、平均电流模式（Average Current Mode，ACM）
b、峰值电流模式（Peak Current Mode，PCM）
c、谷值电流模式（Valley Current Mode，VCM）
2、自适应计时器的“伪”定频模式
d、恒定导通时间（Constant On-time，COT），其下分为电压谷值模式和电流谷值模式
e、恒定关断时间（Constant Off-time，FOT），其下分为电压峰值模式和电流峰值模式
3、基于比较的变频模式（PFM）
f、电压滞环Bang-Bang模式
g、电流滞环Bang-Bang模式
二、控制模式：
1、电压（需要较复杂的相位补偿电路设计）
2、电流（时间上属于电压控制模式的改良，反馈环路分为电压环路和电流环路）
3、滞环（纹波控制）（针对需要更高速的负载瞬态响应，如CPU、FPGA等电源，）包含了COT和TI的D-CAP等，COT模式一大优点—DCM和CCM的无缝切换
三、电感电流模式
1、CCM
2、DCM
3、BCM
4、FCCM（有时又称FPWM，用于低负载下降低纹波用，但是会增加功耗，输出部分既可以输出电流也可以吸收电流）
2.3 CCM,DCM,BCM的介绍以及区别
1.CCM (ContinuousConduction Mode),连续导通模式：在一个开关周期内，电感电流从不会到0。或者说电感从不“复位”，意味着在开关周期内电感磁通从不回到0，功率管闭合时，线圈中还有电流流过。
2.DCM，(Discontinuous Conduction Mode)非连续导通模式：在开关周期内，电感电流总会会到0，意味着电感被适当地“复位”，即功率开关闭合时，电感电流为零。
3.BCM（Boundary Conduction Mode），边界或边界线导通模式：控制器监控电感电流，一旦检测到电流等于0，功率开关立即闭合。控制器总是等电感电流“复位”来激活开关。如果电感值电流高，而截至斜坡相当平，则开关周期延长，因此，BCM变化器是可变频率系统。BCM变换器可以称为临界导通模式或CRM（Critical Conduction Mode）
2.4 CCM与DCM的区别
2.4.1效率
对比DCM与CCM模式效率的区别：
DCM800
CCM800
总结：DCM模式下的效率更高。主要原因为 在DCM模式下，由于二极管上没有反向恢复损耗且MOSFET为软导通，其效率要高于CCM模式。但如果占空比太小，则为原边电感充电的电流将非常高，这会降低变换器的整体效率。因此，必须为DCM选择一个合适的占空比，以发挥其优势。
DCM600与DCM800与DCM1000的比较：
DCM600
DCM800
DCM1000
总结：DCM600的效率高于DCM800高于DCM1000，主要原因为开关频率过高会导致开关管功耗变大，电路效率变低。所以在相同模式下，开关频率越高，效率会越低。
2.4.2纹波
DCM1000-12V-12A
CCM1000-12V-12A
总结：由于DCM模式会对电感器完全充电和放电，因此逻辑上其原边电流纹波要比CCM模式下大很多。
2.4.3 比较
3.MPQ8633A外部器件选型
3.1芯片拓扑图以及管脚定义
管脚分析：
1.BST管脚：引导。在BST与SW之间放置一个电容。（该电容叫做自举电容）
自举电容：
DCDC BUCK芯片有一个管脚叫BOOT，有的叫BST，如下是一个DCDC芯片对BOOT管脚的解释，在外部电路设计时，BOOT和SW管脚之间，需要加一个电容，一般是0.1uF，连接到DCDC高端MOS管的驱动端，这个电容就叫作自举电容。
在电路中的作用主要为使得上桥MOS导通（当低边MOS管打开时，SW为0，BOOT上的电压由BOOT Charge提供，假如是5V，就对电容进行充电；当关闭低边MOS管，选择打开高边MOS管，因为高边Vgs>Vgs(th)，所以高边MOS管能打开，随着高边MOS管打开，SW上的电压就会变成VIN，如果不加这个C，那当Vgs<Vgs(th)时，就会出现高边MOS管无法打开；加上C之后，利用电容电压不能突变的特性，当SW变成VIN，那BOOT上的电压就会变为VIN+5V，此时Vgs会大于Vgs(th)，高边MOS管就打开了。）
自举电阻：
其实在自举电路中，也可以加入电阻，一般叫BOOT电阻。BOOT电容的作用是SW在高电平时，利用电容两端电压不能突变特性，会将BOOT脚电压泵至比SW高的电压，维持高边MOSFET的导通状态。
加入了BOOT电阻，和BOOT电容就构成了RC充电电路，电阻的大小决定了高边MOSFET的开关速度。一般BOOT电阻越大，高边MOSFET开的就越慢，这个时候SW上的尖峰就越小，EMI特性就好。BOOT电阻越小，MOSFET开的快，SW上的尖峰就越大，所以有的时候会在SW上预留RC对地吸收。
2.AGND ：模拟地
3.CS:限流作用
4.MODE:模式选择
通过选择mode与AGND或VCC之间连接的电阻器的电阻值，选择轻负荷条件下的工作模式和开关频率
5.TRK&REF:外部跟踪电压输入。输出电压跟踪该输入信号。与陶瓷电容器尽可能接近TRK/REF。建议使用X7R或X5R级介电陶瓷电容器，因为其具有稳定的温度特性。该电容器的电容决定了软启动时间。（软启电容在布局时，要尽可能接近芯片）
软启动作用：用于电源启动时，减小浪涌电流，使输出电压缓慢上升，减小对输入电源的影响。（保护芯片）
6.RGND ：接地
7.FB：反馈。从输出到RGND（连接到FB)的外部电阻设置输出电压。建议将电阻分压器尽可能靠近FB。调节FB反馈电阻可以改变输出电压。
8.EN脚：使能脚。EN是一个打开或关闭调节器的输入信号。高电平驱动EN以打开调节器，低电平驱动EN以关闭调节器。通过上拉电阻将EN连接到VIN，用于启动。不能悬空EN脚。
9.PGOOD:开漏输出管脚，如果输出电压超出调节范围（输出电压不在需要输出的电压的正负10%范围内时）或者探测到故障的时候，该管脚被拉低，输出电压正常时该管脚输出高电平。（保证后端电源完整性）
10.VIN：电压输入。
11.PGND:PGND是调节输出电压的参考接地。
12.VCC:内部3V LDO输出。驱动器和控制电路由此电压供电。与至少1µF陶瓷电容尽可能接近VCC的解耦。建议使用X7R或X5R级介电陶瓷电容器，因为其具有稳定的温度特性。
13.SW:连接内部MOS管的开关作用。
3.2 DEMO板原理图以及外部器件选型
4.测试过程中遇到的问题:
4.1测试输出电压时线材阻抗问题
问题：在测试输出电压时，发现输出电压，在负载为半载（6A）和满载(12A)时会出现输出电压超出规格书范围，不符合测试要求。
规格书要求如下：
线材未改变前测试数据：
线材改变后
线材图片对比：
分析：使用万用表测试，精度不够，无法测试出两条线材的阻抗，使用电阻测试仪测试后，原先线材阻抗过大，损耗过大，所以输出电压不符合测试要求，根据阻值的公式，后续在测试时应该使用线材更短，更粗，线材的阻抗越小。
4.2 在上电测试时，满载时（12A）出现台阶问题
问题描述：
- 在满载12A时，输出端上电会出现台阶问题，降低负载为11A，台阶时间会较少。10A的时候台阶会消失。无论DCM还是CCM模式，开关频率600K,800K,1000K,都会出现这个台阶问题，如下图：
采取的措施：
1.将软启动电容增大，原先软启动电容为22nf，改为10nf，减小电容容值。
结果并不明显，减小电容容值，减小软启动时间，增大斜率，台阶并没有发生变化。
2.减小反馈电容，将1.5nf改为220pf，减小电容容值，减少充放电时间。想以此来改变台阶问题，没有明显效果。
3.该问题待解决
4.3混淆输入过压保护，以及输出过压保护
问题：在测试过压保护时，对于测试方法提出疑问。有些同事在测试输出过压保护时，增大输入电压，当输入电压达到额定输入电压的1.5~1.8倍时，开启过压保护。降低输入电压，输出端回复，说明输入端过压保护正常。
但是在测试输出端过压保护，不应该增大输入电压，从而达到过压保护，应该调整FB管脚处的反馈电阻，进而调整输出端的电压。
规格书中说明，输出端过压保护:MPQ8633A通过将FB连接到输出电压反馈电阻分压器的分接处来监测输出电压，以检测过电压情况。如果FB电压超过REF电压的116%，则进入闭锁关闭OVP模式。所以基准电压为0.6v，当FB管脚电压大于0.696V时开启过压保护。
测试方法：
1.搭建测试环境，调节DC POWER和电子负载，使得电源工作在额定输入电压和额定满载情况下，用镊子短路反馈引脚，使得芯片进入输出过压保护，然后松开镊子，电源输出随之恢复（若电源无自恢复功能，需注明）。
2.在反馈引脚加二极管隔开，然后从vfb打电压进去，超过基准电压的116%，芯片开启输出过压保护，减小电压，电源输出随之恢复。
3.将反馈引脚的电阻改变，将其电阻改为滑动变阻器，滑动滑动变阻器改变电阻，改变输出电压的大小，使得芯片进入过压保护，随后恢复反馈电阻阻值，电源输出随之恢复。
总结
这是对于DCDC-BUCK的理解，有许多的不足指出，望大家指出，共同学习。
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