器件研究专题-二极管

1.二极管的工作原理

1.1 什么是二极管？

官方解释为：

我们大概做一总结：二极管是一种由半导体材料制成的一种具有单向导电性能的电子元器件。

1.2 二极管的组成

二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。

PN结解释说明：

那么其中 P型半导体 和 N型半导体 的解释：

N型半导体：

也称为电子型半导体,N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

P型半导体：

称为空穴半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

1.3 二极管原理

　  在电子电路中，将二极管的正极(P区)接在高电位端，负极(N区)接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V，硅管约为0.7V)，称为二极管的“正向压降”。

将二极管的正极(P区)接在低电位端，负极(N区)接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，此时二极管被击穿,这就是二极管的反向击穿特性。

          

关于理论方面，为了除掉耗尽区，就必须使N型向P型移动和空穴应反向移动。为了达到目的，将PN结N极连接到电源负极，P极连接到正极。这时在N型半导体的自由电子会被负极电子排斥并吸引到正极电子，在P型半导体的电子空穴就移向另一方向。当电压在电子之间足够高的时候，在耗尽区的电子将会在它的电子空穴中和再次开始自由移动，耗尽区消失，电流流通过二极管，如下图：

             

若P极接到电源负极，N型接到正极。这时电流将不会流动。N型半导体的负极电子被吸引到正极电子。P型半导体的正极电子空穴被吸引到负极电子。因为电子空穴和电子都向错误的方向移动，所以就没有电流流通过汇合处，耗尽区增加，如下图所示：

            

二极管工作的原理简单概括为：
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流;
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。
PN结具有单向导电性。

1.4 二极管的特性

1.4.1 伏安特性曲线图：

正向特性(外加正向电压，上图中X坐标的正半部分)

当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。

在室温下，硅管的Ｖth约为0.5V，锗管的Ｖth约为0.1V。

大于导通电压的区域称为导通区。

当流过二极管的电流Ｉ比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.6～0.8Ｖ（通常取0.7Ｖ），锗管约为0.2～0.3V（通常取0.2Ｖ）。

反向特性(外加正向电压，上图中X坐标的负半部分)

在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关。此部分为截止区。

由二极管的正向与反向特性可直观的看出：①二极管是非线性器件；②二极管具有单向导电性。

反向击穿特性

当反向电压增加到某一数值ＶBR时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。

1.4.2 温度影响

温度升高会导致正向特性左移（导通电压降低，正向压降降低），反向特性下移（反向电流增加）。

1.4.3 二极管PN结的反向击穿

当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。发生反向击穿时，在反向电流很大的变化范围内，PN结两端电压几乎不变，如图7所示。反向击穿分为电击穿和热击穿，PN结热击穿后电流很大，电压又很高，消耗在结上的功率很大，容易使PN结发热，把PN结烧毁。热击穿是不可逆的。PN结电击穿从其产生原因又可分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

                                   

二极管击穿分为电击穿与热击穿，其中电击穿过程是可逆的，热击穿是任何时候都需要避免的。

1.电击穿：

1. 雪崩击穿

随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子一空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子一空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称为雪崩击穿。雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。

1. 齐纳击穿

  当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生大量的电子一空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿。

把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。

齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。

       

两者区别:

PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5-6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5-6V时的击穿以雪崩击穿为主。

必须指出，上述两种电击穿过程是可逆的，当加在稳压管两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。但它有一个前提条件，就是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，超过了就会因为热量散不出去而使PN结温度上升，直到过热而烧毁，这种现象就是热击穿。所以热击穿和电击穿的概念是不同的。电击穿往往可为人们所利用(如稳压管)，而热击穿则是必须尽量避免的。

2.热击穿

在使用二极管的过程中，如由于反向电流和反向电压过大，使得PN结功耗变大，超过PN结的允许功耗，温度上升直到过热使PN结击穿的现象叫热击穿。

热击穿后二极管将发生永久性损坏。

1.4.4 二极管关注参数

说明，这里二极管的参数主要采用替代料对比表中的参数，进行分析介绍。

1. 最大正向平均电流

二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

1. 最大正向浪涌电流

   浪涌电流，是允许流过的瞬间电流，超过这个值会损坏二极管。

1. 最大正向导通电压

二极管导通的最大压降。

压降：二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化称为电压降，简称压降。

导通压降：二极管开始导通时对应的电压。

正向特性：在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。

反向特性：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后，二极管反向击穿。

1. 最大重复反向峰值电压

主要表示交流电

1. 最大直流阻断电压

主要表示直流电

1. 反向恢复时间

开关从导通状态向截止状态转变时，二极管或整流器在二极管阻断反向电流之前需要首先释放存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间,在此期间电流反向流过二极管。 即从正向导通电流为0时到进入完全截止状态的时间。

1. 最高工作频率

由于结电容和反向恢复时间的限制，过高的工作频率将使二极管失去单向导电的性质，最高工作频率是指能正常工作的频率上限。

1. Cd

结电容有两种，分别是势垒电容（Cb）和扩散电容（Cd）。

    势垒电容：

PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容"充电"。这种现象可以用一个电容来模拟，称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处，在于它的电容量并非常数，而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时，势垒电容减小;反向电压减小时，势垒电容增大。目前广泛应用的变容二极管，就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。

     扩散电容：

PN结正向偏置时，N区的电子向P区扩散，在P区形成一定的非平衡载流子的浓度分布，即靠近PN结一侧浓度高，远离PN结的一侧浓度低。显然，在P区积累了电子，即存贮了一定数量的负电荷;同样，在N区也积累了空穴，即存贮了一定数的正电荷。当正向电压加大时，扩散增强，这时由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数将增多，致使在两个区域内形成了电荷堆积，相当于电容器的充电。相反，当正向电压减小时，扩散减弱，即由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数减少，造成两个区域内电荷的减少，、这相当于电容器放电。因此，可以用一个电容来模拟，称为扩散电容。总之，二极管呈现出两种电容，它的总电容Cj相当于两者的并联，即Cj=CB + CD。二极管正向偏置时，扩散电容远大于势垒电容 Cj≈CD ;而反向偏置时，扩散电容可以忽略，势垒电容起主要作用，Cj≈CB 

                            

1. 二极管正向电阻

二极管的正反向电阻根据材料有所不同，有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大，而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如：小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。锗二极管的反向电阻为几十干欧，硅二极管的反向电阻在500kΩ以上（大功率的其值要小些）。

1. 正向电流降额曲线图

二极管在较高温度下能够整流的最大功率，引入降额曲线，掌握二极管正向平均电流降额曲线就可以让二极管在安全条件下得到较高的整流功率。

2.二极管的分类

二极管的种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）；按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

根据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。

2.1 几种常见二极管的特点

1） 整流二极管

将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。

2）检波二极管

检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

3）开关二极管

在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

4) 稳压二极管

稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在 电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。

5）变容二极管

变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。

6）瞬态电压抑制器TVS

一种固态二极管，专门用于ESD 保护。TVS 二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。

7）发光二极管

　　用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。

8）肖特基二极管

　　基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

2.2 几种二极管在电路之中的应用

2.2.1 续流二极管

一般会选择快恢复二极管或肖特基二极管作为续流二极管。

若DCDC内部SW引脚与GND之间没有MOS管，则需要外部增加一个续流二极管

        

MP1470

SY8511

   

它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏，以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端，并与其形成回路，使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗，从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用.

感性负载会产生感应电动势，感应电动势的方向和加在它两端的电压方向是相反的，当感性负载突然断电，感应电动势还在，由于感应电动势与原来的电压方向相反，在没有断电的时候，还有原来的电压与之抵消，断电后就没有与感应电动势抵消的电压了，这个感应电动势就有可能造成电路中的元器件损坏，加个二极管以后，这个二极管正好与感性负载形成了一个闭合回路，回路中的电流方向正好和二极管是正向导通的，就可以释放感应电动势的电流了。

在风扇相关电路中，会在风扇并一个二极管，作用于续流二极管相同，电路如下:

        

2.2.2 缓启电路之中二极管的作用:

       

D1（TVS管）：防止输入电压过大损坏后级电路；

——用于电源电路的浪涌防护，MOS管导通前若VDS过大会造成损坏。

D3（稳压二极管）：保护MOS管Q1的栅-源极不被高压击穿；

——保证VGS电压的稳定，减小输入电源波动所影响。

D2（肖特基二极管）：隔离防抖动延时电路和上电斜率控制电路，防止上电斜率控制过程受C1的影响。

2.2.3 POE电路防护

使用TVS管即雪崩二极管，主要作用是保护电路不受瞬态高压尖峰脉冲(静电或雷击浪涌)的冲击