直流开关电源技术及应用一

1. 开关电源概论

1.1 开关电源稳压原理

为了提高效率，必须使功率调整器件处于开关工作状态。
作为开关而言，导通时压降很小，几乎不消耗能量，关断时漏电流很小，也几乎不消耗能量，所以开关稳压电源的功率转换效率可达80%以上。

1.1.1 开关电源稳压原理

在开关S导通期间，输入电源$U_i$通过开关S和电感L滤波电路提供给负载$R_L$。

• 在整个开通卡紧，电源$U_i$向负载提供能量，同时电感L储存能量。

当开关S断开时，储存在电感L中的能量通过二极管VD释放给负载，使负载得到连续而稳定的能量。

在滤波电路AB间得到的电压平均值$U_{AB}$可用以下式表示：
$$U_{AB}=\frac{t_{ON}}{T}{U}_i$$
式中，$t_{ON}$为开关每次接通的时间，T为开关通断的工作周期。

开关稳压电源的基本原理是通过控制开关管的导通与截止时间，将输入电压转换为高频脉冲电压，再经过变换、整流、滤波等环节，得到稳定的直流输出电压，其具体原理如下：

核心组成部分及其作用

• 开关管：是开关稳压电源的核心控制元件，通常采用晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管等半导体器件。它的主要作用是在控制电路的作用下，快速地导通和截止，从而控制输入电压的通断，以实现将输入电压转换为脉冲信号的功能.
• 储能电感：在开关管导通期间，输入电压向储能电感充电，电感储存能量；在开关管截止期间，储能电感释放能量，为负载提供持续的电流，起到平滑电流、稳定输出电压的作用.
• 滤波电容：主要用于滤除输出电压中的高频纹波成分，使输出电压更加平滑稳定，为负载提供纯净的直流电压.
• 续流二极管：在开关管截止时，为储能电感提供电流通路，使电感中的电流能够继续流动，维持负载电流的连续性，防止电感产生过高的反向电动势损坏其他元件.
• 控制电路：负责监测输出电压，并与基准电压进行比较，根据比较结果产生控制信号，调节开关管的导通与截止时间，从而实现对输出电压的稳定控制。常见的控制方式有脉冲宽度调制（PWM）、脉冲频率调制（PFM）以及 PWM 与 PFM 混合式等.

工作过程

• 开关管导通期间：开关管饱和导通，输入电压加在储能电感两端，电流通过开关管流入电感，电感中的电流线性增加，储存磁场能，此时续流二极管截止，储能电容向负载提供能量，维持负载电压的稳定.
• 开关管截止期间：开关管迅速截止，电感中的电流不能突变，根据楞次定律，电感会产生一个上负下正的自感电动势，该电动势使续流二极管导通，电感中的电流通过续流二极管流向负载，同时也对储能电容进行充电，为负载提供持续的电流，使负载两端的电压保持稳定.

稳压原理

通过控制电路不断地监测输出电压，并与设定的基准电压进行比较，根据两者的差值来调整开关管的导通时间或截止时间，从而改变输出脉冲的占空比，以达到稳定输出电压的目的.

• 脉冲宽度调制（PWM）：在 PWM 控制方式中，保持开关频率不变，通过改变脉冲宽度来调整占空比。当输出电压低于基准电压时，控制电路增加开关管的导通时间，即增大脉冲宽度，使电感储存更多的能量，从而提高输出电压；反之，当输出电压高于基准电压时，减小开关管的导通时间，即减小脉冲宽度，使电感释放的能量减少，降低输出电压，以此实现输出电压的稳定.
• 脉冲频率调制（PFM）：PFM 则是保持脉冲宽度不变，通过改变开关频率来调整占空比。当输出电压下降时，控制电路降低开关频率，使开关管在单位时间内的导通次数增加，从而增加电感的充电时间，提高输出电压；当输出电压上升时，提高开关频率，减少开关管的导通次数，降低输出电压.

1.2 PWM控制模式

1.2.1 电压型PWM控制

电压型 PWM（脉冲宽度调制）的基本原理如下：

• 核心思想：通过控制半导体开关器件的周期性通断，将直流电压转换为一系列宽度可调的脉冲电压信号，以实现对输出电压的控制。这些脉冲电压信号的平均值与占空比成正比，从而通过改变占空比来调节输出电压的大小.
• 具体实现过程：
  • 产生PWM信号：通常使用一个固定频率的载波信号（一般为三角波或锯齿波）与一个调制信号（通常为直流或低频的参考电压信号）进行比较。当调制信号大于载波信号时，PWM 发生器输出高电平；反之，输出低电平。这样就产生了一个脉冲宽度随调制信号变化的 PWM 信号，其频率与载波信号的频率相同.
  • 控制开关器件：将产生的 PWM 信号施加到电压型 PWM 电路中的开关器件（如 IGBT、MOSFET 等）的控制端，以控制开关器件的导通和关断。当 PWM 信号为高电平时，开关器件导通，直流电源电压施加到负载两端；当 PWM 信号为低电平时，开关器件关断，负载两端电压为零。通过这种方式，负载两端得到的是一系列幅值等于直流电源电压、宽度由 PWM 信号占空比决定的脉冲电压.
  • 调节输出电压：占空比是指 PWM 信号中高电平持续时间与整个周期时间的比值。改变占空比即可改变脉冲电压的平均值，从而实现对输出电压的调节。例如，当占空比增大时，高电平持续时间变长，脉冲电压的平均值增加，输出电压升高；反之，当占空比减小时，输出电压降低.
• 关键参数及作用 ：
  • 占空比：如前文所述，其直接决定了输出电压的大小，是电压型 PWM 控制中最关键的参数之一。
  • 开关频率：即 PWM 信号的频率，它影响着输出电压的频谱特性和系统的动态响应性能。较高的开关频率可以使输出电压的纹波更小、谐波含量更低，但同时也会增加开关器件的开关损耗；较低的开关频率则可能导致输出电压纹波较大、谐波失真较严重，但开关损耗相对较小。
  • 将电压误差放大器采样放大的慢变化直流信号$U_s$与恒定频率的三角波电压U_s相比较。
• 优势及应用：
  • 优势：电压型 PWM 控制具有较高的控制精度和灵活性，能够实现对输出电压的快速、精确调节；可以有效降低输出电压的谐波含量，提高电能质量；并且在直流-交流变换、交流-直流变换等各种电力电子变换领域中具有广泛的适用性.
  • 应用：常见于变频调速系统、不间断电源（UPS）、开关电源、电机驱动控制等众多需要精确电压控制和高效电能转换的场合 。

调制法就是把希望输出的波形作为调制信号，把接收调制的信号作为载波，通过信号波的调制得到所期望的pwm波形。

通常采用等腰三角波或者是锯齿波作为载波，其中等腰三角波应用比较多。

• 等腰三角波上任意一点的水平宽度和高度呈线性关系，而且左右对称当它与任何一个平缓变化的调制信号波相交时，如果在交点时刻对电路中开关器件的通断进行控制，就可以得到宽度正比于信号波幅值的脉冲刚好符合pwm控制的要求。
  • 调试信号为正弦波时所得到的就是spwm波形。这种情况的应用也最为广泛。
  • 当调制信号不是正弦波时，而是需要其他的波形，也能得到与之等效的pwm波。

上图采用的是IGBT作为开关器件的单向桥式pwm逆变电路。假设负载为阻性负载，工作时v1和v2的通断状态互补，v3和v4的通断状态互补。具体的控制规则如下：

• 在输出电压$u_o$的正半周，让v1保持通，让v2保持断，v3和v3的交替通断。
• 由于负载电流比电压滞后，因此在电压正半周,电流有一段区间为正，有一段区间为负。
• 在负载电流为正的区间， V1和v4导通时，负载电压u0等于直流电压ud。
• 在v4关断时，负载电流经过v1和VD3续流，$u_o=0$.
• 在负载电流为负的区间，仍为v1和v4导通时，由于负载电流为负值，因此io实际上是从vD1和vD4流过，此时仍然有u0=ud。
• 当v4关断而v3开通之后，io从v3和vD1续流，此时uo=0。
• 至此，uo总可以得到ud和o两种电平。
• 同样，在uo的负半周让v2保持通态，v1保持断态，v3和v4交替通断，负载电压uo可以得到负的Ud和0两种电平。

Pwm波用于控制v3和v4的通断。

• 在Ur的正半周，v1保持通态，v2保持断态。当Ur>Uc时，使v4导通v3关断。Uo=ud.
• 当Ur<uc时使v4关断，v3导通，u0=0。
  图7-5中，Uof表示Uo的基波分量。像这种在Ur(期望电压)的半个周期内三角载波只在正极性或负极性一种极性范围内变化所得到的pwm波形也只在单个极性范围内变化的控制方式称为单极性pwm控制方式。

为什么在单向桥式pwm逆变电路中输出电流要比电压滞后
在单向桥式 PWM 逆变电路中，输出电流比电压滞后的原因主要有以下几点：

• 电感元件的存在：电路中的负载通常包含电感成分，如电动机等感性负载。电感具有阻碍电流变化的特性，当电压发生变化时，电感会产生自感电动势来阻碍电流的快速变化，导致电流不能立即跟随电压的变化而变化，从而出现电流滞后于电压的现象。例如，当电压突然升高时，电感会阻止电流的迅速增大，使得电流的上升速度变慢，滞后于电压的上升；当电压降低时，电感又会阻碍电流的减小，使电流下降延迟，同样滞后于电压的下降。
• PWM 控制方式的影响：在 PWM 逆变电路中，开关器件的通断是按照一定的 PWM 信号来控制的。当开关器件导通时，电源向负载提供能量，电流开始上升；而当开关器件关断时，电流并不会立即变为零，而是通过电感等储能元件继续流动，形成续流回路。这种开关动作的间歇性以及续流过程，使得电流的变化相对电压存在一定的延迟。比如，在一个 PWM 周期内，电压可能已经根据 PWM 信号快速变化了，但电流由于续流等原因，还在维持之前的状态或缓慢变化，导致电流滞后于电压。
• 滤波环节的影响：为了得到较为平滑的输出电压和电流，单向桥式 PWM 逆变电路通常会在输出端加入滤波电路，一般为 LC 滤波器等。滤波电容和电感的组合会对电流和电压的相位产生影响，进一步导致电流滞后于电压 。电容在充放电过程中，电流的相位会超前电压 90°，而电感则会使电流滞后电压 90°，在滤波电路中两者共同作用，使得输出电流整体滞后于输出电压。

和单极性pwm控制方式相对应的就是双极性控制方式。

采用双极性控制时，在Ur的半个周期内三角波载波不再是单极性的，而是有正有负，所得到的pwm波也是又正又负。

在Ur的一个周期内输出的pwm波只有正负Ud两种电平，而不像单极性控制时还有零电平。

控制规则如下：

• 当Ur>Uc时给v1和v4以导通信号，给v2和v3以关断信号。
• 这个时候，如果Iout>0，则v1和v4通，如果I out<0则vD1和vd4导通。
• 不管哪种情况都是输出电压u out=ud。
• 当Ur<Uc时给v2和v3导通信号，给v1和v4以关断信号。
• 这个时候，如果I out<零则v2和v3导通。如果I out>0则vd2和vd3导通。
• 不管哪种情况，都是Uout=-Ud。

三相桥式pwm逆变电路
如图7-7。这种电路一般使用双极性控制方式。

• 三相的pwm控制通常共用一个三角波载波Uc。
• 三相调制信号Uru、Urv和Urw依次相差120度。
• 三相u、v和w各项功率开关器件的控制规律相同，以U为例。
  • 当Uru>Uc时，给上桥臂v1以导通信号,给下桥臂v4与关断信号。
  • 此时，U相相对于直流电源假想中点N’的输出电压Un’=Ud/2。
  • 当 Uru<Uc时，给v4以导通信号，给v1以关断信号，则Un’=-ud/2。
  • V1和V4的驱动信号始终是互补的，可以是二极管导通，也可以是v1和v4导通，这是由阻感负载中电流的方向来决定。
  • 三相的波形都只有正负ud/2两种电平。
  • 图中线电压Uuv的波形可以Uun’ - Uvn’得到。
  • 当桥臂1和V6导通时。Uuv=Ud。
  • 当v3和v4导通时。Uuv=-Ud。
  • 当V1和V3或者是v4和v6导通时。Uuv=0。
  • 所以逆变器的输出线电压PWM波由正负Ud和0，3种电平构成。
  • 然后再看这个负载相电压Uun。最后一个图，负载相电压的每个PWM波由五种电平组成。

在电压型逆变电路的pwm控制中，同一向上下两个桥臂的驱动信号都是互不低，但是为了防止上下两个桥臂直通而造成短路，在上下两个桥臂通断切换时要留一小段上下桥臂都施加宽断信号的死区时间。

• 死去时间会给输出的pwm波带来一定的影响，使其稍稍偏离正弦波。

特定谐波消除法
为了减少谐波并简化控制，要尽量使波形具有对称性。

• 为了消除偶次谐波，应使波形正负两半周期镜像对称。$u(wt)=-u(wt+\pi )$
• 为了消除谐波中的余弦现象，简化计算过程，应使波形在正半周期内前后1/4的周期以π/2为轴线对称。$u(wt)=u(\pi -wt)$

同时满足上述两式的波形称为1/4周期对称模型。

通常在三相对称电路的线电压中，相电压所含的三次谐波相互抵消，因此通常可以考虑消去5次和7次谐波。

1.2.2 异步调制和同步调制

在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为载波比。根据载波和信号波是否同步以及载波比的变化情况，pwm调制方式可分为异步调制和同步调制两种。

1. 异步调制
   载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。

• 在异步调制中，通常保证载波频率固定不变。因此，当信号波频率发生变化时，载波比N是变化的。
• 当信号波的频率较低时，载波比nl较大时，一个周期内的脉冲数就会越多，然后正负半轴脉冲不对称和前后脉冲不对称产生的不利影响都比较小，然后 pwm波会接近于正弦波。
• 因此，在进行异步调制的时候，希望采用较高的一个载波频率，以使信号频率较高时仍能保持较大的载波比。

2. 同步调制
   载波比是常数的时候，并在变频时使信号波与载波保持同步的调制方式叫做同步调制。

• 在三相pwm逆变电路中，通常共用一个三角波载波，且取载波比n为3的整数倍，使三相输出波形严格对称。同时，为了使一相的pwm波正负半周镜像对称，n应该取奇数。
• 当逆变电路的输出频率比较低的时候，同步调制时的载波频率也很低，然后载波频率过低时调制带来的谐波会不易消除。

1.2.3 规则采样法

规则采样法是一种应用较广的工程使用方法，其效果接近自然采样法。

• 自然采样法就是按照spwm控制的基本原理，在正弦波和三角波的自然焦点时刻控制功率开关器件的通断。

规则采样法的计算量比自然采样法小很多。

• 与三角波两个正峰值之间的一个采样周期为t。
• 在自然采样法中，每个脉冲的终点并不和三角波一周期的中点重合。
• 但在规则采样法时，两者重合也就是使每个脉冲的终点都以相应的三角波中点为对称。这样就是计算大大简化。
• 在三角波的负峰值时刻对正弦信号波采样而得到d点。过d点作一水平直线和三角波分别相交。于a点和b。点在a点时刻和b点时刻控制功率开关器件的通断。

这种采样方法得到的脉冲宽度和自然采样法得到的脉冲宽度非常接近。

1.2.4 峰值电流型PWM控制

峰值型pwm控制，简称电流型控制。控制原理：

• 误差电压信号Ue送到pwm比较气候与合成波形信号Uz进行比较。
• 合成波形信号Uz由斜坡补偿信号与实际电感电流信号两部分构成；
  • Uz是一个变化的，其峰值代表输出电感电流峰值的三角波形或梯形尖角状合成波形。
  • 电压型是与振荡电路产生的固定三角波状电压斜坡比较。
  • 也就是说电流型是一种固定时钟开启峰值电流关断的控制方法。
  • 具体来说是通过控制输出侧电感电流峰值的大小，间接地控制pwm脉冲宽度。

峰值电流型pwm控制是双闭环控制。电压外环控制电流内环。

• 电流内环只负责输出电感的动态变化
• 电压外环仅需要控制输出电容，不必控制LC储能电路。
  • 峰值电流型pwm具有比电压型控制大得多的带宽。

1.2.5 平均电流型PWM控制

平均电流型pwm控制的概念产生于20世纪70年代。在高$di/dt$动态响应的低压大电流高速cpu专用开关电源中得到广泛应用。

控制原理：

• 将误差信号Ue接至电流误差信号放大器$c/a$的同相端作为输出电感电流的控制基准信号Ucp。
• 带有锯齿纹波状分量的输出电感电流信号Ui接置电感电流误差信号放大器 $c/a$的反向端。
• Ui与Ucp的差值经过电流误差信号放大器$c/a$放大后得到平均电流跟踪误差信号Uca。
• Uca及三角锯齿波信号$U_T$或$U_S$通过比较器得到pwm关断时刻。
• Uca的波形与电流波形Ui反向，所以是由Uca的下斜坡（对应于开关器件的导通时期）与三角波$U_T$或$U_S$的上斜波比较产生关断信号。
• 为了避免次谐波震荡，ucla的上斜坡不能超过三角锯齿波信号$U_T$或$U_S$的上斜坡。
  
  图b是增加了输入电压前馈功能的平均电流型pwm控制原理。图非常适合我国电网输入电压变化幅度大变化快的情况。

1.2.6 滞环电流型PWM控制

滞环电流型pwm控制也称为变频调制。基本原理如下：

• 将电感电流信号uc与两个电压值比较。
• 第1个较高的控制电压值Uo为输出电压，它控制开关器件的关断时刻。
• 第2较低的控制电压值Uch控制开关器件的开启时刻。
  • Uch由电压Uo减去一个固定电压值Uh而得到，Uh为滞环带。
• 由于比电流型控制多了一个控制电压由ch从而减少了发生次谐波震荡的可能性。

1.2.7 相加型PWM控制

相加型pwm控制与电压型控制有些相似。但有两点不同：

• 第一是放大器是比例放大器，没有电抗性补偿元件。
  • 控制电路中的电容c1比较小，用于滤除高频开关杂波。
  • 主电路中较小的Lf f滤波电路，在图中的虚线所示，也起到减小输出高频杂波的作用。
• 第二是过滤波后的电感电流信号Ui也与电压误差信号Uc相加。在一起构成一个综合的Uz。
  • Uz再与三角锯齿波比较，得到pwm控制脉冲宽度。

相加型pwm控制是单环控制，但它有输出电压电流两个输出参数。如果输出电压或者是电流变化，那么占空比将按照补偿它们变化的方向而变化

1.3 开关电源主要技术指标

1.3.1 输入技术指标

1. 输入电压
   输入电源一般为单相两线制和三相3线制，也有单相三线制以及三相四线制。

• 美国规定的交流输入电源电压为120伏。
• 欧洲规定的输入电源电压为220~240伏
• 日本为100伏及200伏。
• 我国为220伏以及380伏。

输入电压的变化范围一般为正负10%。

2. 输入电流
   开关电源的最大输入电流表示输入电压为下限值时输出电压及电流为上限值时的输入电流。

• 额定的输入电流是在输入电压，输出电压及电流为额定时的电流。

3. 电流谐波
   当输入电流中含有三次、5次、7次等高次谐波，且幅度较大时，会影响电网的质量。

• 整流器的输入电流中的谐波必须有所限制。
• 目前的IEC1000-3-2以及IEC1000-3-4分别对线电流为16安及16安以上的设备提出了谐波限制要求。

4. 功率因数
三项的功率因数为$cos\varphi >0.95$，三项的功率因数为$cos\varphi >0.9$。

1.3.2 输出技术指标

1. 电压或电流的稳定度
   电压变化的相对值称为电压稳定度，以Su表示；
   电流变化的相对值称为电流稳定度，以Si表示。

• 通常以输出电压或电流的变化量($\Delta U_0、\Delta I_0$)相对于输出电压或电流($U_0、I_0$)的比值来表示。

$$S_U=\pm \frac{\Delta U_0}{U_0}(K\ast 10^{-n}/m)$$
$$I_U=\pm \frac{\Delta I_0}{I_0}(K\ast 10^{-n}/m)$$

• 其中k值为稳定度数量级前的系数，可以是1~9中的任意值，k越小稳定性越好。
• n值是确定稳定度数量级的数值，是最主要的一个值。对一般的稳定电源n为3~4。

2. 纹波
   纹波用峰峰值表示，一般为输出电压的0.5%以内。
   噪声用峰峰值表示一般为输出电压的1%。
   多数场合规定，纹波噪声总和为输出电压的2%以内。

• 开关周期所指的三角形纹波是由开关电源工作引起的，该频率与开关电源的工作频率相同。
• 输入工频脉动电压周期所指纹波是输入工频经过整流滤波后的纹波一般为2倍工频即100赫兹。

3. 电源输出内阻(输出阻抗)
   电源的输出内阻Ro表示为当输入电压、环境温度等均不变的条件下，输出电压变化相对于负载电流变化的比值。
   $$R_o=-\frac{\Delta U_0}{I_0}{|}_{\Delta U_0=0、\Delta T=0}$$

• 对于稳压电源，当负载电流变化时，要求输出电压的变化极小，因此稳压电源的电阻一般在0.1Ω左右。
• 对于稳流电源，当输出电压变化时，要求负载电流的变化极小，因此稳流电源的内阻一般是一个比较大的值。一般在$10^4\Omega$以上。

4. 效率$\eta$

输出有功功率Po与输入有功功率Pi比。
开关电源的效率公式为：$\eta =\frac{P_{out}}{P_{in}}\times 100\%$，其中$\eta$是电源效率，$P_{out}$是输出功率，$P_{in}$是输入功率。

因为输出功率$P_{out}=V_{out}\times I_{out}$，输入功率$P_{in}=V_{in}\times I_{in}$，所以开关电源的效率也可表示为$\eta =\frac{V_{out}\times I_{out}}{V_{in}\times I_{in}}\times 100\%$，其中$V_{out}$、$I_{out}$分别是输出电压与输出电流，$V_{in}$、$I_{in}$分别是输入电压与输入电流。

1.3.3 动态响应指标

动态响应的超调量一般要小于正负5%，而恢复时间为5~十10ms。

1.3.4 开关电源主要指标测试

1. 电压调整率
   电压调整率Sd是表示在直流电源负载不变的条件下，交流电源电压变化正负10%时。输出电直流电压变化的相对值。

$$S_D=(\frac{\Delta U_0}{U_0})$$

• 其中， U0为$U_s=220$伏时所对应的输出直流电压值。
• $\Delta U_0$为Ui从220伏分别变化到正负10%时输出的电压的变化量。
• Sd的大小反映了电源的输入电压发生变化时输出电压维持稳定的能力，Sd越小输出电压的稳定性越好。

2. 负载调整率
   负载调整率是指输入交流电压Ui及环境温度保持不变时，由于负载电流$I_L$的变化引起的U0的变化。
   $$负载调整率=(\frac{\Delta U_0}{U_0})$$

• 负载调整率反映了电源电路在负载变动时，其输出电压Uo维持稳定的能力，其值越小，Uo的稳定性越好。

3. 纹波的测试
   纹波和噪声是叠加在直流输出电压上的交流成分。
   对于开关型dc dc变换器而言，输出文波电压为一系列带有高频分量的小脉冲，因此测量的是峰峰值。
   测量值用mV峰峰值表示。
   在进行纹波测量时，必须去掉探头地线夹。
   • 在一个高频辐射场中，地线夹会像一个天线一样接收噪声，干扰测量结果。
   • 可以使用带有接地环的探头直接测量。

2. 开关电源的关键器件

2.1 压控型功率开关

2.1.1 功率开关发展综述

晶闸管于1956年问世。但是属于半控型器件。
在20世纪80年代推出了高频化全控型功率集成器件，如功率mos管、IGBT等。

• 在新一代全控型电力电子器件中，功率mos管和静电感应晶体管属于单极性器件，它们只有一种载流子。
• IGBT、功率集成电路或智能功率模块为混合型器件，它们是双极型晶体管与mos管混合。

目前高频开关电源采用的功率器件主要有：功率mosfet、 igbt。功率mosfet与igbt混合管以及功率集成器件。

2.1.2 功率MOSFET

见模拟电路基础的1.4。
功率MOSFET都是绝缘栅型场效应管。

功率MOSFET(VMOSFET)也称为Vmos，作为开关器件，其常态都是阻断状态，也就是说是增强型的MOSFET。

VMOSFET分为v型结构和d型结构。V型结构栅电容小、开关速度快，沟道电阻小，但耐压不高，适用于低耐压大电流的应用。

D型结构经过两次扩展，精确的控制沟道长度，适用于高耐压应用。

1. VMOSFET的基本参数
   漏源击穿电压$B{U}_{DS}$和耐压$U_{DSS}$。

• 当VMOS的DS两端所加的电压$U_{DS}$升高到一定值时，VMOS将发生雪崩击穿，这个临界电压则称为漏源击穿电压用$B{U}_{DS}$表示。
• 一般来说，$B{U}_{DS}$的80%~90%定义为额定电压$U_{DSS}$。
• 在实际的应用中，在GS之间并联电阻和加反向电压都能提高VMOS的耐压。

2. 漏源$du/dt$耐量
   VMOS的栅极和源极之间有一个栅电容$C_{GS}$。栅极和漏极之间也存在电容$C_{DG}$。漏源之间存在一个节电容$C_{DS}$。

• VMOS的$du/dt$耐量都很大，可以高达$10kV/\mu s$

3. 额定漏极电流和最大峰值电流
   额定漏极电流也是由管芯的发热量、管芯到管壳以及管壳到散热器之间的热阻决定的，是VMOS能通过的最大有效值电流。

   最大峰值电流是VMOS能通过的脉冲电流的最高幅值，它实际上是由VMOS的安全工作区决定的。

4. 导通电阻
   VMOS的导通电阻，通常用 $R_{DS(on)}$表示，以下是关于它的详细介绍：

   定义
   VMOS管工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻。

   重要性

   • 影响功率损耗：VMOS管的消耗功率$P_D$ 可用导通电阻乘以漏极电流$I_D$ 的平方表示，即 $P_D=R_{DS(on)}\times I_D^2$ 。导通电阻数值越小，工作时的功率损耗越小，也就意味着VMOS管在工作过程中产生的热量越少，散热对策相对简单，这对于提高电路的效率和稳定性非常重要。

   特性

   • 与栅源电压的关系：导通电阻 $R_{DS(on)}$ 随栅极源极间电压$V_{GS}$ 的增加而降低。栅极源极间电压越高，VMOS管的沟道越容易导通，导通电阻越小。所以在实际应用中，合理选择$V_{GS}$ 的值对于降低导通电阻、提高电路性能至关重要。
   • 与负载电流的关系：导通电阻 $R_{DS(on)}$ 随负载电流增加而增加。在栅极源极间电压相同的条件下，不同的负载电流会导致导通电阻有所不同。
   • 与温度的关系：VMOS管的导通电阻具有正温度系数，即其导通电阻的大小会随着管子温度的增加而增大。当温度上升时，载流子的迁移率会降低，导致沟道电阻增加，从而使导通电阻变大。这一特性在并联使用VMOS管时具有重要意义，可实现自动均流。

   影响因素

   • 沟道长度：一般来说，沟道长度越短，导通电阻越小。因为较短的沟道长度使得电子在沟道中移动的距离更短，受到的阻力也就更小，从而降低了导通电阻。
   • 沟道宽度：沟道宽度越大，导通电阻越小。较宽的沟道能够提供更大的电流通路，使得电流更容易通过，类似于增加了导线的横截面积，从而减小了电阻。
   • 掺杂浓度：源极、漏极以及沟道区的掺杂浓度对导通电阻也有影响。适当提高掺杂浓度，可以增加载流子的数量，从而提高导电性能，降低导通电阻。
   • 芯片尺寸：通常情况下，芯片尺寸越大，VMOS管的导通电阻越小。因为较大的芯片尺寸可以容纳更多的晶胞单元，而这些晶胞单元在并联时能够有效降低整体的导通电阻。

5. 开启电压和栅极击穿电压

   开启电压

   • 定义：开启电压$V_{GS(th)}$也称为阈值电压，是指当外加栅极控制电压$V_{GS}$超过该值时，漏区和源区的表面反型层形成连接的沟道，此时VMOS管开始导通。
   • 典型范围：VMOS管的开启电压一般在$1.5V$到$5V$之间，通常为$2V$到$6V$左右 。例如，一些低开启电压的VMOS管开启电压可能在$2V$左右，而普通的VMOS管开启电压大概在$5V$左右。
   • 影响因素：开启电压与VMOS管的材料、制造工艺等因素有关。不同的半导体材料以及制造过程中的掺杂浓度、氧化层厚度等工艺参数的差异，都会导致开启电压有所不同。此外，温度也会对开启电压产生影响，一般情况下，开启电压会随温度上升而降低。
   • 应用考虑：在实际应用中，当环境噪声较高时，可以选用阈值电压较高的管子，以提高抗干扰能力；而当噪声较低时，选用阈值电压较低的管子，能够降低所需的输入驱动信号电压。

   栅极击穿电压

   • 定义：栅极击穿电压是指VMOS管栅极与源极之间所能承受的最大电压，当栅极与源极之间的电压超过该值时，栅极氧化层可能会被击穿，导致管子损坏。
   • 常见数值：常见的VMOS管栅极击穿电压有$\pm 20V$和$\pm 30V$等不同规格。
   • 影响因素：栅极击穿电压主要受栅极氧化层的厚度决定，氧化层越厚，栅极击穿电压通常越高。此外，制造工艺的精度和质量也会对其产生一定影响。
   • 应用注意事项：在设计电路时，必须确保施加在VMOS管栅极与源极之间的电压不能超过其栅极击穿电压，否则会造成管子永久性损坏。同时，还需要注意静电防护，因为静电放电产生的瞬间高电压也可能超过栅极击穿电压，导致管子失效。

6. 安全工作区
   VMOS（V型槽金属氧化物半导体）的安全工作区（SOA，Safe Operating Area）是一个界定VMOS管能可靠、稳定运行而不发生损坏的电气参数范围，它综合考虑了多个关键电气量：

• 漏极电流限制：

  • 连续电流：VMOS管有一个额定的连续漏极电流 $I_D$ ，长时间工作时，实际通过的漏极电流必须小于该值。超过额定连续电流，会因过度发热致使芯片温度飙升，触发热击穿等失效模式。例如，某款常见VMOS管的额定连续漏极电流为5A，电路运行时就需将常态电流控制在5A以内。
  • 脉冲电流：在短时间脉冲工况下，VMOS管能承受比连续电流更大的电流值。因为脉冲持续时间短，产生的热量来不及累积到危险程度。不过，脉冲宽度和重复频率也有限制，过宽的脉冲宽度或过高的重复频率，会让热量逐步累积，损害器件 。

• 漏源电压限制：VMOS管有最大漏源电压 $V_{DS(max)}$ 额定值。当外加的漏源电压超过这个值时，管内的PN结可能会被反向击穿，使得器件失去正常的电学性能。比如，一款VMOS管给出的 $V_{DS(max)}=100V$，那么电路中的实际漏源电压绝不能高于100V。

• 功耗限制：功耗是由漏极电流与漏源电压共同决定的，即 $P=V_{DS}\times I_D$ 。由于VMOS管散热能力有限，工作时的功耗不能超出额定功耗值，否则会造成芯片过热。而且，因为导通电阻 $R_{DS(on)}$ 的存在，导通状态下的功耗也不容小觑，过高的导通电流将引发显著的发热现象。

• 与温度的关联：VMOS管的安全工作区受温度影响显著。高温环境下，器件的各项电气性能会变差，安全工作区范围收缩。例如，常温下能承受较大电流的VMOS管，在高温环境时，为避免过热损坏，就不得不降低工作电流，以维持在安全工作区内。

  在设计使用VMOS管的电路时，工程师务必仔细查阅器件手册中的安全工作区参数，确保VMOS管在工作中的电压、电流、功耗等参数时刻处于规定的安全工作区内，保障电路的长期稳定与可靠运行。

7. 功率mosfet的特点

• 具有很大的输入电阻。在作为功率开关管应用时，驱动电流很小，功率增益高，是一种电压控制器件。
• 由于开启电压高，进行关断时无需加闭锁电压。
• 导通电阻温度系数为正值，若多个mos管并联时不需要设均流电阻。
• 在高温运行时不存在温度失控的现象。
  • 在温度变化时，对功率mos的极间电容影响很小，其允许工作温度高达200度。
• 普通的功率晶体管在高压大电流的情况下切换容易发生二次击穿。
  • 二次击穿是指器件在一次击穿后电流进一步增加，并以高速向低阻区移动。
  • 功率mos没有二次击穿问题。
• 在大电流工作过程中，因为其温度升高而使导通电阻增大很多倍，故导通功耗很大。

2.1.3 绝缘门极晶体管IGBT

IGBT是MOSFET与GTR的复合器件。详细介绍在1.5。
Igbt管的特点:

• IGBT管为混合器件，驱动功率容量小，也是一种压控型器件。
• 导通压降小，允许电流密度大。
• 当光断时会出现电流拖尾现象，所以关断时间长使工作频率受到限制。

2.1.4 IGBT/MOS并联组合管

在大功率开关电源中，若仅用功率mos管，虽然其高频工作区域开关功耗小，但因为导通压降可以高达数V。从而造成很大的通态损耗。所以在大功率场合不宜使用。

IGBT管的输出特性类似于三极管，因而具有电荷存储效应在关闭过程电流下降至零要相当长的时间，即存在拖尾现象。

• 低速IGBT的拖尾时间在1微秒以上。
• 高速IGBT的拖尾时间在0.4~0.8微秒之间。

Igbt管虽然导通损耗小，但关断损耗却不可以低估。
IGBT和mos管组合的方式可以弥补上述缺点。

IGBT/MOS并联组合管在电力电子电路里协同工作，实现高效的功率转换，其工作过程如下：

• 导通阶段：

  • 驱动信号输入：控制系统同时向IGBT与MOS管的栅极施加合适的驱动电压信号。对于MOS管，因其是电压控制型器件，当栅极 - 源极电压超过开启阈值电压时， MOS管迅速在源极与漏极之间形成导电沟道，开始导通；IGBT同样在栅极 - 发射极获得足够正向电压，使得内部的PN结发生正向偏置，集电极与发射极之间开始导通 。
  • 电流分配：在开始导通瞬间，由于MOS管的导通电阻通常比IGBT小，会率先有较大电流通过MOS管支路。不过，IGBT导通后，得益于其较大的电流承载能力，能迅速分担大部分电流。二者相互配合，使得整体的导通电阻得以优化，减少导通损耗，总电流快速上升至负载需求值。

• 稳态导通：

  • 均流维持：稳态导通时，电路中的电流持续稳定流过并联的IGBT和MOS管。借助各自特性，MOS管利用低导通电阻降低整体功耗，IGBT依靠高电流容量来承载大部分电流，二者达成一种动态的均流状态。同时，电路中的一些反馈控制机制会实时监测电流分配情况，微调驱动信号，确保两支路电流偏差处于允许范围，防止因电流不均引发局部过热。
  • 功率传输：电源的电能顺利通过并联组合管输送至负载端，在这个过程中，组合管自身消耗的功率由导通损耗（和导通电阻、电流相关）与开关损耗组成，得益于IGBT和MOS管的互补特性，整体损耗得以优化，提高了电能转换效率。

• 关断阶段：

  • 驱动信号撤销：控制系统将IGBT与MOS管栅极的驱动电压信号去除。对于MOS管，栅极 - 源极电压快速下降至开启阈值以下，导电沟道迅速消失，电流截断；IGBT 也在栅极 - 发射极电压归零后，内部的少数载流子复合，PN结反向偏置，阻断集电极与发射极之间的电流 。
  • 电流截断与电压恢复：两支路电流逐步降为零，由于电路存在杂散电感、电容，在关断瞬间会产生电压尖峰，需要配合缓冲电路来抑制尖峰，保护器件。随后，IGBT和MOS管两端的电压逐渐恢复到电源电压水平，等待下一次驱动信号到来，进入新的工作循环。

  这种IGBT/MOS并联组合管利用了二者的优势互补，提升了功率处理能力、开关速度与效率，常用于各类高频、大功率的电力变换装置，像工业电机驱动、新能源发电系统的逆变器等场景。
  简单来说就是导通过程只需要hbt管起作用，igbt管的导通损耗较小。然后在关闭过程中只需要mos管起作用，而功率mos管的光断损耗较小。
  整体来说，组合开关的总损耗要小于单独使用igpt或者是功率mos管的损耗。但是其体积和重量都比较大。

2.2 智能功率模块IPM

智能功率模块IPM是以功率器件IGBT为主体，同时把驱动电路的过流保护，短路保护，过热保护，欠压保护等多种保护集成在一个模块内的新型混合集成电路。可以较好地解决寄生电容寄生电感等问题。

IPM其售价已经接近于igbt，而采用IPM后使得开关电源的容量、驱动功率容量减小、器件节省以及综合性能提升。

2.3 智能功率开关

将开关电源的检测电路，控制电路，保护电路，驱动电路以及一些外围接口电路等与功率开关做成一个一体化的集成器件，有人称为智能功率开关。

智能功率开关大大减少了电源器件数，降低了电源成本，简化了电源设计，提高了电源可靠性。

智能功率开关的引线到多为4线或者是5线，最多可以到10线以上。

智能功率开关基本上都是单端电路结构，其主要工作模式有pwm电流型、pwm电压型、ON/OFF控制型、RF变频控制型、复合控制型。

2.4 高频整流管

在工频整流电路中，对二极管的开关速度没有要求。
在高频变化电路中，就必须采用恢复时间短的二极管。
高频整流电路分为快恢复二极管，超快恢复二极管和肖特基二极管。

2.4.1 二极管的性能参数

二极管的最高允许结温

二极管的最高允许结温会因二极管的材料、封装形式及具体应用场景有所差异：

• 普通硅二极管：这类常见的硅二极管，最高允许结温一般处于125℃ - 175℃之间。硅材料具有较好的热稳定性，多数常规用途的硅二极管，例如常见的1N4007整流二极管，额定最高结温大约是150℃ ，在这个温度范围内，二极管能够稳定工作，一旦超过，会加速器件老化，增大反向漏电流，甚至造成热击穿损坏。

• 锗二极管：锗材料制成的二极管，最高允许结温相对较低，大概在75℃ - 100℃。由于锗的禁带宽度比硅小，温度对其电学性能影响更为显著，所以它能承受的最高温度比较有限，高温环境下其反向特性恶化速度更快，限制了它在高温、大功率场景的应用。

• 碳化硅二极管：作为宽禁带半导体器件，碳化硅二极管拥有出色的耐高温性能，最高允许结温能够达到200℃甚至更高。这得益于碳化硅材料较大的禁带宽度，使其在高温下依然维持良好的电学特性，所以常被用于高温、高功率密度、高频的电力电子转换系统，像电动汽车充电桩、光伏逆变器这类对散热要求严苛、功率处理要求高的设备。

• 肖特基二极管：肖特基二极管的最高允许结温通常处于125℃ - 150℃ ，它依靠金属与半导体接触形成势垒来工作，虽然开关速度快、正向压降小，但在高温下，界面特性会变差，超过规定结温，会导致正向压降增大、反向漏电流飙升，进而影响电路性能与器件寿命。

  此外，二极管的封装也会影响最高允许结温，良好的封装散热设计能帮助器件在更接近极限温度的工况下稳定运行，而散热不佳的封装，会让实际可用的最高结温大打折扣。

二极管的额定正向平均电流

二极管的额定正向平均电流（$I_{F(AV)}$）是衡量二极管在连续导通状态下，能够长期稳定承受的正向电流平均值，这是二极管一项极为关键的参数：

• 定义原理：在一些涉及交流电整流或者脉动直流电路里，二极管并非处于持续恒定电流的工况，电流是随时间波动的。此时，就要衡量在一个完整周期内，正向电流的平均数值。要是通过二极管的实际正向平均电流长时间超出额定值 ，会致使二极管结温过高，严重情况下，PN结会因为过热而被永久性损坏，让二极管失去单向导电性。
• 应用场景关联：例如常见的桥式整流电路，把交流电转变成直流电，二极管交替导通来处理电流。工程师在选用二极管搭建这类电路时，就要依据负载需求的直流电流大小，精准选择额定正向平均电流适配的二极管，确保电路稳定运行。一般来说，负载功率越大，所需的二极管额定正向平均电流也越大。
• 测试与标注：生产厂家会利用专业设备，在标准测试条件下，给二极管施加特定的正向电流脉冲序列，测量并统计出正向电流平均值，把这个数值明确标注在二极管的产品手册上，供使用者选型时参考。

浪涌电流

二极管的浪涌电流（$I_{FSM}$）是指在极短时间内，二极管能够承受的瞬间最大正向电流。它有如下特点：

• 产生场景：电路在开机、关机，或是遭遇雷击、电源接通瞬间等突发状况时，会产生远高于正常工作电流的脉冲电流，这就是浪涌电流。以开关电源电路为例，刚接通市电时，滤波电容开始快速充电，瞬间会有极大的电流涌入电路，经过二极管时就形成浪涌电流冲击。
• 作用原理：二极管的PN结存在一定热容量，浪涌电流持续时间非常短暂，来不及让PN结因过热而迅速损坏，所以二极管能够承受比额定正向平均电流大得多的浪涌电流。不过，要是浪涌电流的幅值过高、频次过于频繁，二极管的PN结温度会快速攀升，最终依然会造成器件性能劣化甚至失效。
• 参数意义：浪涌电流参数为电路设计人员提供关键依据。在设计易出现浪涌冲击的电路时，他们依据二极管的$I_{FSM}$值，来评估器件能否扛住突发的大电流冲击，进而挑选合适的二极管，避免器件因浪涌而损坏，保障电路在复杂工况下稳定运行 。生产厂家会通过特殊的脉冲电流测试设备，模拟出高强度、短时长的浪涌电流，测定二极管刚好能承受的极限浪涌电流值，并标注在产品手册上。

平方电流秒定额

二极管的平方电流秒定额，即 $I^{2}t$ 定额，定义为：在给定的起始条件下，二极管所能承受的、由故障或异常工况引发的脉冲电流的平方值 ($I^2$) 与该脉冲电流持续时间 ($t$) 的乘积的最大值。通俗来讲，它量化了二极管在极短时间内应对突发大电流冲击时，所允许的热能量累积上限。

当电路突发短路、电源浪涌这类异常事件时，二极管会瞬间流过远超正常工作电流的脉冲电流，电流流经二极管必然产生热量（遵循焦耳定律，$Q=I^{2}Rt$，对于特定二极管，$R$ 近似固定，热积累就和 $I^{2}t$ 直接相关 ）。如果 $I^{2}t$ 值超出二极管的额定标准，过多热量积聚使得二极管PN结温度急剧攀升，最终导致二极管性能衰退甚至出现物理性损坏，失去单向导电功能。这个定额为电路设计者提供关键参照，助其挑选能抵御预期脉冲电流冲击、保障电路安全稳定的二极管型号。

反向重复峰值电压

二极管的反向重复峰值电压（$U_{RRM}$）是二极管的关键参数之一，用于界定二极管在反向偏置状态下所能承受的周期性重复出现的最大反向电压。

• 工作原理层面：二极管处于反向偏置时，其PN结会拓宽，仅有极其微弱的反向饱和电流通过。然而，一旦反向电压超过某一临界值，二极管内的电场强度就会过大，致使PN结发生雪崩击穿或齐纳击穿 ，反向电流将急剧攀升，二极管失去正常的单向导电特性。反向重复峰值电压就是在保障二极管能多次经受反向电压冲击、依旧维持正常性能的前提下，所允许的最大反向电压幅值。
• 测试考量方面：在专业的电气测试环境里，会模拟二极管实际工作时遭遇的周期性反向电压工况，逐步调高反向电压，直至观察到二极管反向特性出现劣化，比如反向电流突然增大超出标准范围，此刻的电压值测定记录下来，经过多次重复测试取较为稳定可靠的数值，便确定为反向重复峰值电压，这个数值会标注在二极管的产品手册上。
• 应用场景关联：在各类电力电子电路，像整流桥电路、开关电源的整流模块等场景中，二极管要长时间承受反向电压。设计人员依据 $U_{RRM}$ 来选型，只有选用的二极管其 $U_{RRM}$ 高于电路实际产生的最大反向电压，才能保障电路稳定运作，避免二极管因反向击穿而失效。

反向恢复时间

二极管的反向恢复时间（Reverse Recovery Time，通常缩写为trr）是衡量二极管从正向导通状态转换到反向截止状态快慢的一个关键参数，下面展开介绍：

• 工作原理层面
  • 当二极管处于正向导通时，会有大量的载流子（空穴和电子）在PN结两侧聚集 。一旦外部电压突然反向，这些积累的载流子并不会瞬间消失，它们需要一定时间来复合或者被驱散，在这段时间内，二极管依然会有反向电流流过，直到PN结两侧的载流子浓度恢复到反向截止状态应有的水平，二极管才真正进入反向截止状态，而这一过程所耗费的时间就是反向恢复时间。
• 对电路性能的影响
  • 高频电路：在高频开关电路、射频电路这类工作频率较高的场景中，反向恢复时间显得尤为重要。如果二极管的反向恢复时间过长，在快速的开关切换过程里，二极管就没办法及时截止反向电流，这会导致额外的功率损耗，降低电路的转换效率；还可能引发信号失真，因为反向电流的持续存在干扰了正常的信号波形，使得输出信号无法精准复现输入信号。
  • 整流电路：即便在普通的整流电路里，要是二极管反向恢复时间长，当电网电压反向时，二极管不能迅速截止，就会产生反向电流，造成整流效率下降，输出的直流电压纹波增大，影响后续用电设备的稳定运行。
• 典型数值与分类
  • 普通整流二极管的反向恢复时间相对较长，通常在几百纳秒（ns）量级，例如常用的1N4001 - 1N4007系列，它们的trr大致处于2 - 5μs之间。
  • 快恢复二极管经过特殊工艺处理，反向恢复时间大幅缩短，能达到几十纳秒，像FR107这类快恢复二极管，反向恢复时间约为 75ns。而肖特基二极管，得益于金属与半导体接触的独特结构，反向恢复时间更短，可低至几纳秒甚至1纳秒以内，例如常见的肖特基二极管SS14，反向恢复时间极小，很适合超高频应用。

2.4.2 快恢复二极管

快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种具有特殊性能的半导体二极管，以下为你详细介绍：

• 结构特点
  • 它在制造工艺上采用了掺金、铂等杂质的方式，借此形成复合中心，以此来加速少数载流子的复合过程，进而缩短反向恢复时间 。同时，其PN结面积也相对较小，这有助于降低结电容，使得二极管能更迅速地在导通与截止状态间切换。
• 工作原理
  • 正向导通：当二极管阳极施加的正向电压超过其门槛电压时，PN结内的多数载流子开始大量移动，形成较大的正向电流，此时二极管处于导通状态，就像一条畅通的电流通路，电阻很小。
  • 反向截止及恢复：给二极管加上反向电压后，多数载流子在反向电场作用下迅速反向漂移，阻断正向电流。不过，此前正向导通时在PN结附近积累的少数载流子，需要一定时间才能被清除，这段时间就是反向恢复时间。快恢复二极管能通过特殊工艺，快速抽取这些少数载流子，从而把反向恢复时间大幅缩减，快速进入稳定的反向截止状态。
• 性能参数
  • 反向恢复时间（trr）：这是快恢复二极管最为关键的指标，一般在几十纳秒到几百纳秒之间，数值越小，说明二极管能越快从正向导通转换为反向截止，高频性能就越优异。例如，常见的快恢复二极管，trr 可达50ns 。
  • 正向压降（VF）：指二极管处于正向导通时，阳极和阴极两端的电压差值，通常在0.8V - 1.2V左右，该值会影响二极管导通时的功耗，VF越低，导通损耗越小。
  • 反向耐压（VRRM）：代表二极管所能承受的最大反向峰值电压，应用时电路中的反向电压峰值必须低于此值，否则二极管会被击穿损坏，耐压规格从几十伏到几千伏都有，可按需选用。
• 应用领域
  • 开关电源：在开关电源的整流、续流电路里，快恢复二极管配合高频开关管工作。由于开关电源的开关频率高，普通二极管难以满足快速换向需求，而快恢复二极管能高效整流、续流，降低开关损耗，提升电源转换效率，像电脑电源、手机充电器等设备中都有它的身影。
  • 变频器：变频器用于电机调速，电路中有大量高频逆变、整流环节。快恢复二极管能快速处理电路中的脉冲电流，保障变频器稳定输出不同频率的交流电，驱动电机平稳变速运行。
  • 电焊机：电焊机工作时电流变化剧烈且频率较高，快恢复二极管可以快速响应电流换向，保证焊接电弧稳定，提升焊接质量，被广泛应用于各类弧焊、点焊设备。
  • 脉冲电路：在雷达、激光脉冲发生器等脉冲电路中，对信号的快速切换、精准定时要求严苛，快恢复二极管的短反向恢复时间特性，恰好契合这类电路对高速信号处理的需求。

2.4.3 超快恢复二极管

超快恢复二极管（Ultra-Fast Recovery Diode）是在快恢复二极管基础上性能进一步优化升级的半导体器件，以下是详细介绍：

• 结构与原理
  • 结构特性：它运用更精细先进的半导体制造工艺，在杂质掺杂浓度、分布以及PN结构造方面精心设计。往往采用外延片、浅结扩散等技术，让PN结的厚度更薄，以此减少少数载流子的存储数量，同时还优化了复合中心，使得少数载流子的复合速度大幅加快。
  • 工作原理：和普通二极管一样，正向偏置时，多数载流子在电场作用下越过PN结，形成正向导通电流。当施加反向偏置电压，正向导通期间积累的少数载流子要被驱散，由于超快恢复二极管特殊工艺造就的快速复合机制，能在极短时间内把这些少数载流子“清理”干净，迅速阻断正向电流，进入稳定的反向截止状态。
• 性能参数
  • 反向恢复时间（trr）：这是它的核心优势参数，超快恢复二极管的反向恢复时间极短，通常处于10纳秒到50纳秒 ，部分高性能产品甚至能低至几纳秒，比普通快恢复二极管速度更快，这使其在超高频电路里游刃有余。
  • 正向压降（VF）：正向导通时，其两端电压降一般在1V左右，虽然稍高于普通二极管，但综合其高速性能，这点代价能换来高频应用场景下的整体效能提升。较低的VF有利于减少导通损耗，让电路能耗得以优化。
  • 反向耐压（VRRM）：从几十伏到上千伏均有覆盖，不同耐压规格满足各式各样的电路设计，确保二极管在对应额定反向电压下稳定工作，不至于被反向高电压击穿。
• 应用场景
  • 高频开关电源：如今开关电源不断向高频、小型化方向发展，在笔记本电脑电源适配器、服务器电源等设备里，超快恢复二极管凭借超短反向恢复时间，配合高频开关管高效完成整流、续流任务，把开关损耗压到最低，显著提升电源转换效率与功率密度。
  • 通信基站设备：通信基站中有大量射频功率放大器、DC-DC变换器等高频电路模块。超快恢复二极管能迅速处理高频脉冲信号，降低信号畸变，保障通信信号高质量的发射、接收与处理，维持基站稳定通信。
  • 电动汽车充电桩：充电桩内部的功率变换电路要频繁转换电能，工作频率高。超快恢复二极管的快速换向能力，既能加速充电进程，减少充电时间，还能提升充电桩长期运行的稳定性与可靠性。
  • 高频电机调速系统：在工业电机的高频调速变频器里，该二极管可精准处理高频逆变、整流环节的快速电流变化，让电机调速更顺滑精准，避免出现转矩脉动等异常情况，保障生产线上设备稳定运行。

2.4.4 肖特基二极管

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）又称肖特基势垒二极管，是一种特殊的PN结二极管 。以下是其详细介绍：

结构特点

• 由金属与N型半导体材料相结合形成PN结，与传统的P型和N型半导体结合形成的PN结二极管不同 。
• 内部结构包含阳极金属（如钼或铝等）、二氧化硅电场消除材料、N-外延层、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等 。

工作原理

• 以贵金属为正极，N型半导体为负极，基于金属与半导体接触面上形成的势垒具有整流特性工作 。
• N型半导体中有大量电子，贵金属中自由电子少，电子从N型半导体向金属扩散，使半导体表面电子浓度降低形成势垒，电场方向指向金属 。
• 当加正向偏压时，势垒宽度变窄，内阻变小；加反向偏压时，势垒宽度增加，内阻变大 。

特性优势

• 低正向导通电压：正向压降通常只有0.2V至0.4V左右，远低于普通硅二极管的0.7V，功耗低 。
• 死区电压小：能快速响应正向电压，更快进入导通状态 。
• 低管耗：导通损耗小，在大电流应用中可减少能量损失 。
• 接近理想二极管的正向特性：正向电阻小，电流传输效率高 。
• 电容效应小：结电容小，对高频信号影响小，适用于高频电路 。
• 速度高：反向恢复时间短，可短至几纳秒，能快速在导通和截止状态间切换 。

缺点

• 反向耐压值通常较低，一般在100V左右，最高不超过200V，不适合高反偏电压场合 。
• 反向漏电流相对较大，且为正温度特性，温度升高时漏电流会急速变大 。

分类

• 按材料分：硅肖特基二极管，反向恢复时间短，适用于200V以下低压大电流场合；SiC肖特基二极管，反向恢复特性理想，适用于高频场合，额定电压值较高；GaAs肖特基二极管，在毫米波和亚毫米波频段频响好；还有GaN肖特基二极管、Ga₂O₃肖特基二极管等 。
• 按制造工艺和结构分：钝化型二极管，肖特基结区小，结电容小，但在小反向偏压下易出现电压击穿；混合型二极管，反向击穿电压较高，除肖特基结外，在氧化物肖特基界面处还有一个p-n结 。

应用领域

• 电源电路：在开关电源、变频器、驱动器等电路中作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管和保护二极管 。
• 通信电路：用于微波通信等电路作整流二极管、小信号检波二极管，也可用于混频、调制、倍频等 。
• 其他电路：在高速逻辑电路中用作箝位二极管，在集成电路中也有广泛应用 。

2.6 电磁器件

2.6.1 高频变压器

常规的高频变压器是用于传输功率的，为了提高传输效率变压器应具有最小的损耗。

铁芯材料的损耗包含磁滞损耗$P_1$，涡流损耗$P_2$以及其他损耗P3。

• 实践证明，只有通过减小材料矫顽力而提高导磁率，方可降低p1的值。
• 通过提高材料的电阻率，减小材料的厚度，方可降低p2的值。
• 通过改善材料成分结构方可使磁通谐波成分减小而保证正弦波进而降低p3的值。

铁芯材料在工作频率较低时采用铁氧体。随着工作频率的日益增高，目前采用钴基非晶合金或铁基超微晶合金。铁基超微晶合金是新型软磁材料，工作频率在200k赫兹以上。具有良好的综合性能。

常规高频变压器的工作可以分为两种情形。

• 一是半桥式和全桥式电路中的主电源变压器，工作在双向激磁状态。
• 二是单端正激或反激电路中的主电源变压器，我们工作在单向激磁状态。

2.6.2 铁氧体屏幕高频电磁器件

铁氧体平面高频变压器是目前技术最为成熟，应用最为广泛的微型变压器。

• 它采用高频损耗低的平面铁氧体磁芯绕组，采用硬质铜线条的多层印制板折叠铜箔代替漆包线及骨架。
• 在开关频率为500k赫兹，效率可达97%。

2.6.4 高频电感

1. 高频滤波电感
   在高频开关电源中，用于输入端和输出端滤波电容的电感器的结构简单，因为直流电和交流纹波都通过同一绕组。

   对铁芯的要求是导磁率恒定，不随频率和温度的变化而变化。
   目前国内外采用微晶粉芯与铁镍合金粉新材料制作的滤波电抗器和功率因素矫正电抗器，损耗温升都比较小。

2. 噪声抑制电感。
   在高频开关电源中，为了防止输入电源受电网干扰和输出噪声对外干扰，应采用的抑制电感。

   这种电感铁芯大多为环形铁芯上有两个匝数相反而绕向相反的绕组，串接在电网两根输入线或者是串接在两个输出线上。

   • 两个绕组，一个为激磁，一个为去磁。
   • 目前这种电感材料普遍使用铁氧体和磁粉芯，国外少数国家已经使用非晶和微晶合金铁芯。在1k到10兆赫兹内抑制效果比较好。

3. 尖峰抑制电感
   在高频开关电源数初级的整流电路中，由于二极管存在着电荷储存效应，在其由截止转为恢复状态时将产生较大的冲击电流。

   • 冲击电流含有丰富的高次谐波，通过馈电线或辐射方式对外进行干扰。
   • 尖峰电流抑制电感串接于电路中，要求它在电流骤升的瞬间显示出高阻抗，从而达到抑制尖峰电流的目的。

2.7 其他器件

2.7.1 可调精密基准

Tl431是2.5~36V的可调式精密并联稳压器，其性能优良，价格低廉，能构成电压比较器、电源电压监视器、延时电路、外部误差放大器等。

• Tl 43a系列包括$tl431C、tl431AC、tl431I、tl431ai、tl431m、tl431y$共6种型号。
• 属于三端可调式器件，利用两只外部电阻可设定2.5~36伏范围内的任何基准电压值。

2.7.2 线性光耦

光偶是以光为媒介来传输电信号的器件。
通常是把发光二极管与光敏晶体管和封装在同一个管内。
发光二极管收到信号时发出光线，受光器接收到光线就产生电流，从输出端流出，从而产生了电光电的转换。

• 线性光耦与普通光耦的重要区别是反映在电流传输比ctr上。
• Ct r是光耦的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
• 等于直流输出电流与直流输入电流的百分比。

2.7.4 自恢复熔丝

自恢复熔丝（Polymeric Positive Temperature Coefficient，简称PPTC）是一种具备特殊保护功能的电子元件，在电路中发挥着过流保护的关键作用，以下是关于它的详细介绍：

• 工作原理
  • 自恢复熔丝由聚合物基体与导电粒子混合制成。在正常工作电流状态下，导电粒子紧密排列，形成良好的导电通路，此时它如同普通导体，电阻值极低，对电路的正常运行几乎没有影响。
  • 当电路中出现过载或短路故障，致使电流大幅攀升时，PPTC元件会迅速产生热量。由于焦耳定律（$Q=I^{2}Rt$ ，其中$Q$是热量，$I$是电流，$R$是电阻，$t$是时间），大电流下产生的热量积聚极快，使得聚合物基体受热膨胀。这一膨胀过程会让导电粒子彼此间距增大，导电通路遭到破坏，元件的电阻值瞬间飙升，电流随之大幅下降，如同电路被“切断”，有效阻止过大电流对后端电路的破坏。
  • 待故障排除、电流恢复正常后，PPTC会逐渐冷却，聚合物基体收缩，导电粒子又慢慢恢复到紧密排列状态，电阻值降低，电路再次恢复导通，无需人工更换，就能实现多次过流自动保护与恢复。
• 特性参数
  • 保持电流（$I_{hold}$）：指PPTC能够长时间稳定承载，而不会触发保护动作的最大电流值。只要电路电流处于这个数值之下，自恢复熔丝就能维持低阻导通状态。
  • 动作电流（$I_{trip}$）：也叫触发电流，是让PPTC开启保护机制，电阻开始快速攀升时对应的最小电流。通常动作电流会比保持电流大一定比例，具体倍数因不同型号而异。
  • 最大电压（$V_{max}$）：PPTC元件两端所能承受的最高工作电压，若电路电压超过该值，可能损坏自恢复熔丝，选型时必须确保电路实际电压低于它。
  • 最大中断电流（$I_{max}$）：代表PPTC能够安全切断的最大过载电流，是衡量其应对严重短路能力的关键指标。
  • 动作时间：从过载或短路发生，到自恢复熔丝电阻显著上升、电流有效降低所经历的时长。动作时间与过载电流大小密切相关，电流越大，动作时间越短。
• 特点
  • 可自动恢复：区别于传统熔丝熔断后需更换，自恢复熔丝在故障消除后可自行回到低阻导通状态，节省了维修与更换元件的人力、物力成本，也提升了设备的连续运行能力。
  • 灵敏度高：能快速感知细微的电流变化，在电流稍超出安全范围时，就迅速做出保护动作，为电路提供精准防护。
  • 可靠性好：具备稳定的过流保护性能，多次过流冲击后依然维持良好的保护特性，且受环境温度、湿度等因素干扰相对较小。
  • 体积小巧：便于在电路板紧凑布局，契合当下电子产品小型化的发展趋势，可广泛应用于各类高密度电路板。

2.7.5 热敏电阻器

热敏电阻器是一种对温度变化极为敏感的电子元件，其电阻值会随温度的改变而发生显著变化，在电子电路中应用广泛.以下是关于热敏电阻器的详细介绍：

工作原理
热敏电阻器通常由半导体材料制成，其导电性能会随温度的变化而变化。一般而言，温度升高时，半导体中的载流子浓度会发生改变，从而导致电阻值变化。正温度系数热敏电阻（PTC）的电阻值随温度上升而增大，这是因为温度升高时，PTC热敏电阻材料中的载流子浓度减小，使得电阻值增大；而负温度系数热敏电阻（NTC）则相反，温度上升时，其材料中的载流子浓度增加，电阻值减小.

主要类型

• 正温度系数热敏电阻（PTC）：具有在温度升高时电阻值急剧增大的特性。在常温下，PTC热敏电阻的电阻值相对较低，当温度超过一定阈值后，电阻值会迅速上升，呈现出强烈的正温度系数特性。常用于过流保护、过热保护以及作为可自恢复的保险管等，例如在电源电路中防止浪涌电流对后端电容等器件的冲击，以及在LED灯珠串联电路中用于补偿保护，维持LED灯珠的电流稳定.
• 负温度系数热敏电阻（NTC）：其电阻值随温度的升高而减小，且变化通常呈指数关系。NTC热敏电阻在室温下的电阻值较高，当温度上升时，电阻值会快速下降。由于其对温度变化的敏感性，常被用作温度传感器，广泛应用于温度测量、环境监控等领域，如家用空调、热水器中的温度探测，为后端电路提供温度信号以实现温度调控.
• 临界温度热敏电阻器（CTR）：其电阻值在某一特定的临界温度附近会发生急剧变化，从高阻态转变为低阻态或反之。不过，CTR热敏电阻的应用相对较窄，不如PTC和NTC热敏电阻常见.

特性参数

• 标称阻值（Rc）：一般指环境温度为25℃时热敏电阻器的实际电阻值.
• 材料常数（B）：是描述热敏电阻材料物理特性的参数，也是热灵敏度指标，它描述的是两个温度点之间特定温度范围内的电阻（R/T）曲线的梯度。B值越大，表示热敏电阻器的灵敏度越高，且在实际工作时，B值并非一个常数，而是随温度的升高略有增加.
• 电阻温度系数（αT）：表示温度变化1℃时的阻值变化率，单位为%/℃.
• 时间常数（τ）：指在无功耗的状态下，当环境温度由一个特定温度向另一个特定温度突然改变时，热敏电阻体的温度变化了两个特定温度之差的63.2%所需的时间。τ越小，表明热敏电阻器的热惯性越小，即对温度变化的响应速度越快.
• 额定功率（Pn）：在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续负载所允许的耗散功率。在实际使用时不得超过额定功率，若热敏电阻器工作的环境温度超过25℃，则必须相应降低其负载.
• 额定工作电流（In）：热敏电阻器在工作状态下规定的名义电流值.

特点

• 灵敏度高：能够对微小的温度变化做出显著的电阻值改变，从而实现对温度的精确测量和快速响应.
• 体积小：便于在各种小型化的电子设备中安装和使用，不占过多空间.
• 稳定性好：在正常工作条件下，能够长期保持稳定的性能，不易受外界因素的干扰而发生性能变化.
• 过载能力强：尤其是氧化物材料制成的热敏电阻，具有较好的承受大电流、高电压冲击的能力.
• 易加工：可以制成各种形状和尺寸，以满足不同应用场景的需求.

2.7.6压敏电阻避雷器。

压敏电阻避雷器是以压敏电阻为核心元件制作的防雷击保护装置，以下是详细介绍：

• 压敏电阻工作原理
  • 压敏电阻是一种具有非线性伏安特性的半导体电阻器件，其主要成分通常是氧化锌（ZnO）。在正常的低电压环境下，压敏电阻呈现出极大的电阻值，仅有极其微小的泄漏电流通过，基本等同于开路状态，对电路运行没有干扰 。
  • 当遭遇雷电冲击、电网浪涌等瞬间高电压脉冲时，压敏电阻两端的电压迅速升高，一旦超过它的阈值电压（压敏电压），其电阻值会急剧下降，瞬间从高阻态切换为低阻态，如同开启了一条将浪涌电流快速导向大地的“高速通道”，从而把被保护设备两端的电压钳制在一个安全范围，避免过高电压对设备造成损坏。待浪涌过去，电压恢复正常，它又重新回到高阻状态。
• 避雷器整体结构与原理
  • 压敏电阻避雷器一般由多个压敏电阻单元组合而成，有的还搭配有熔断器、热脱离装置等辅助部件。多个压敏电阻的并联或串联，能够满足不同电压等级、不同浪涌电流容量的防护需求。例如在高压输电线路的防雷中，需要串联、并联使用大量压敏电阻，提升耐压能力与通流能力 。
  • 当雷电直击线路，或是感应雷在线路上引发浪涌时，避雷器中的压敏电阻立刻响应，将浪涌电流泄放掉，起到保护沿线电气设备（像变压器、开关柜等）的作用。要是浪涌能量过大，熔断器可以及时切断电路，防止压敏电阻因过热而损坏，避免故障扩大。热脱离装置则用于在压敏电阻老化、劣化，出现异常发热时，自动使避雷器退出运行，维持整个防雷系统的可靠性。
• 特性参数
  • 压敏电压（$U_{1mA}$）：指压敏电阻通过1mA直流电流时，其两端的电压值。这个数值是衡量压敏电阻起始导通特性的关键参数，通常会依据被保护设备的额定工作电压来选定合适的压敏电阻，压敏电压一般要略高于设备正常工作电压 。
  • 通流容量（$I_n$）：表示压敏电阻能够承受的最大脉冲电流峰值，它体现了压敏电阻应对浪涌冲击的能力，数值越大，能承受的雷电能量、浪涌能量就越强。
  • 残压（$V_{res}$）：在压敏电阻泄放浪涌电流时，被保护设备两端所残留的电压。残压越低，对设备的保护效果就越佳，所以在设计防雷方案时，要尽可能选用残压低的压敏电阻避雷器。
  • 泄漏电流：在正常工作电压下，压民电阻会有极小的电流通过，这就是泄漏电流，正常范围一般在微安级别，如果泄漏电流异常增大，往往预示着压敏电阻性能劣化。
  • 响应时间：压敏电阻对浪涌电压的响应极为迅速，通常响应时间在纳秒级别，能赶在浪涌对设备造成实质破坏前就启动保护。
• 特点
  • 响应速度快：纳秒级的响应速度，保障它可以快速捕捉并处理瞬态过电压，是防雷体系中的“急先锋” 。
  • 通流能力强：能够承受较大的脉冲电流，适配雷电这类高能量冲击场景。
  • 钳位电压精准：将过电压精准限制在安全区间，为设备提供稳定防护。
  • 成本效益高：相比一些传统的防雷器件，压敏电阻避雷器在达到同等保护效果的前提下，成本更低。
  • 安装维护简便：结构相对简单，无论是在新建工程中安装，还是既有设备的后期维护，操作难度都较低。

3. 高频整流电路

3.1 同步整流

3.1.1普通整流的缺陷。

现在高速超大规模集成电路的尺寸不断减小，电源电压不断下降。

• 某些笔记本高速数据处理系统的电源电压已经下降到了$2.9-3.3$伏，甚至是$1.5-1.8$伏。
• 由于低电压功率mos的正向压降很小。一般的mos的导通电压都在毫欧级别。例如十五安时只有0.1伏，因此用功率mos管代替硝特基二极管可以大大提高变换器效率。这种整流用的功率mos管称为同步整流管。
• 在同步整流电路中上管可以叫做功率管，下管就可以当做同步的场效应管。

3.1.2MOSFET模型。

MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）的主要损耗包括以下几类：

• 导通损耗（Conduction Loss）
  • 原理：当MOSFET处于导通状态时，漏极（D）与源极（S）之间存在一定的导通电阻 $R_{DS(on)}$，电流 $I_D$ 流经这个电阻就会产生功率损耗 。根据焦耳定律，功率损耗 $P_{con}$ 与电流的平方以及导通电阻成正比，计算公式为 $P_{con}=I_D^2\times R_{DS(on)}$。
  • 影响因素：器件的制造工艺、芯片尺寸等会决定 $R_{DS(on)}$大小，一般来说，耐压更高的MOSFET，其 $R_{DS(on)}$ 往往更大；另外，工作电流大小对导通损耗影响显著，电流越大，损耗越严重。比如在大功率电机驱动电路里，大电流持续通过MOSFET，导通损耗不容小觑。
• 开关损耗（Switching Loss）
  • 原理：MOSFET在导通与截止状态相互切换时，需要对其输入电容 $C_{iss}$ 充放电，同时电路中的寄生电感、电容会引发电压和电流的重叠，这个过程会消耗能量，形成开关损耗。它又可以细分为开通损耗 $P_{on}$ 和关断损耗 $P_{off}$ 。在高频工作场景下，开关损耗尤为突出，因为单位时间内的开关次数增多。
  • 影响因素：开关频率$f$是关键因素，频率越高，单位时间内开关动作越频繁，损耗越大；栅极驱动电阻 $R_g$ 也会影响，较小的 $R_g$ 能加快开关速度，但会导致更高的 $\frac{di}{dt}$ 和 $\frac{dv}{dt}$，从而增大开关损耗与电磁干扰；此外，器件自身的寄生参数，像寄生电感、电容，不同封装和工艺下的这些参数差异，也左右着开关损耗的高低。开关损耗大致计算时，开通损耗 $P_{on}=\frac{1}{2}{V}_{DS}{I}_D{t}_{on}$ ，关断损耗 $P_{off}=\frac{1}{2}{V}_{DS}{I}_D{t}_{off}$，总开关损耗 $P_{sw}=P_{on}+P_{off}$，这里$V_{DS}$是漏源电压，$t_{on}$、$t_{off}$分别是开通时间与关断时间 。
• 栅极驱动损耗（Gate Drive Loss）
  • 原理：栅极驱动电路要为MOSFET的栅极提供合适的驱动电压，来控制其导通与关断。在此过程中，驱动电路对栅极电容进行充放电，这个充放电电流在驱动电阻上会产生功率损耗。比如采用电压型驱动芯片来驱动MOSFET时，就必然存在这部分损耗。
  • 影响因素：栅极电容 $C_{iss}$ 大小很关键，电容越大，充放电所需能量越多，损耗越大；驱动电压幅值$V_{GS}$以及驱动频率$f$，高幅值的驱动电压意味着更大的充放电电量，高频下则是单位时间内充放电次数增多，都会使栅极驱动损耗上升，栅极驱动损耗 $P_g=Q_g{V}_{GS}f$，$Q_g$是栅极总电荷。
• 反向恢复损耗（Reverse Recovery Loss）
  • 原理：在一些包含体二极管的MOSFET应用场景中，当二极管从正向导通转为反向截止时，有反向恢复电流，该电流与反向电压相互作用，产生能量损耗。例如在开关电源的整流桥臂里，MOSFET内置二极管的反向恢复特性就会带来这类损耗。
  • 影响因素：二极管的反向恢复时间 $t_{rr}$ 和反向恢复电荷 $Q_{rr}$ ，时间越短、电荷越少，反向恢复损耗越低；电路中的杂散电感，因为它会和反向恢复电流相互作用，放大电压尖峰，加剧损耗。

3.1.3自驱动电压型同步整流。

1. 传统的自驱动同步整流技术。
由变换器中的变压器次级电压直接驱动相应的mosfet管。
这是一种传统的同步整流技术。

• 优点是不需要附加的驱动电路，电路结构简单
• 缺点是两个mosfet的驱动电压时序不精确，不能在整个周期内代替整流二极管。使得负载电流流经寄生二极管的时间比较长，如图中的toff。

2. 采用有源钳位技术的自驱动同步整流技术。

电容$C_a$以及控制开关$S_2$的引入，使得两个mosfet轮流导通，避免了负载电流流过寄生二极管，从而减少了损耗。

3.1.4外驱动同步整流

1. 电压驱动同步整流
驱动信号从附加的外部驱动电路中获得就叫做外驱动。

• 为了尽量减少负载电流流经二寄生二极管的时间，需要使次级中的两个mosfet能在同能在一个周期内均衡的轮流导通，即两个mosfet的驱动信号的占空比为50%的互补驱动波形。
• 为了避免两个mosfet同时导通的次级短路现象，应留有一定的死区时间。

2. 电流驱动同步整流

电流驱动同步整流是通过检测流过自身的电流来获得mosfet的驱动信号。

• Mosfet流过正向电流时导通在电流为零时关断。
• 这样做可以防止反向电流流过mosfet。
  

3.1.5同步整流专用控制驱动器

同步整流专用控制驱动器是现代高效电源转换系统里极为关键的部件，下面从多个维度来详细解读：

• 电路构成与内部架构
  • 驱动模块：负责产生精准且适配的驱动信号，用以控制同步整流 MOSFET 的导通与关断。该模块要能输出足够大的驱动电流与合适的驱动电压，保障 MOSFET 快速、稳定地响应控制指令，像一些高端驱动器，驱动电流可达数安培。
  • 检测电路：实时监测输入、输出的电压与电流信号 。通过精密的采样电阻与运放电路组合，精确获取电路实时运行参数，为后续控制决策提供数据基础。部分还带有零电流检测功能，精准定位电流过零点，辅助优化 MOSFET 开关时机。
  • 控制逻辑单元：集成了复杂的控制算法，以数字或模拟方式运行。它接收检测电路传来的信号，依照预设的控制策略，比如电压模式控制或者电流模式控制，运算生成对应的驱动信号给到驱动模块，决定 MOSFET 开关状态。
• 性能优势
  • 高效节能：相比传统二极管整流，能大幅削减整流损耗。由于 MOSFET 导通电阻极低，导通压降常可控制在几十毫伏以内，相较于二极管0.7V左右的压降，在大电流场景下节能效果显著，电源转换效率能提升5% - 15% 。
  • 高功率密度：低损耗特性允许电路在更小的散热空间需求下，实现更高的功率输出。这使得电源模块可以设计得更为紧凑小巧，像一些迷你型快充充电器，正是得益于高效同步整流技术。
  • 动态响应迅速：凭借快速的检测与控制机制，面对负载突变时，能快速调整 MOSFET 开关状态，维持输出电压的稳定，输出电压的调整时间能缩短至微秒级。
• 选型要点
  • 额定电压与电流：要适配目标电源电路的输入、输出电压范围以及最大工作电流，避免器件过压、过流损坏，比如应用在48V输入的通信电源，驱动器额定电压得超48V安全裕量。
  • 开关频率适配：不同电源方案有各异的开关频率设定，驱动器的开关频率特性需与之契合，不然会出现控制失调，影响效率与稳定性。
  • 保护功能完整性：优先考虑具备完善过流、过温、欠压保护机制的产品，多一层保护，电路可靠性便提升一分。
• 行业发展趋势
  • 集成化：未来会和电源管理芯片、甚至 MOSFET 集成在同一封装内，减少外部布线寄生参数，进一步提升系统性能与可靠性，降低 PCB 设计复杂度。
  • 智能化：融入自适应控制算法，能依据不同工况自动优化控制参数，无需人工干预，还能与上位机通信，实现远程监控与故障诊断。

STSRX系列IC是st公司为驱动隔离SMPS中的同步整流器而专门设计的器件。

3.2 异步整流

3.2.1同步整流和异步整流的区别

同步整流和异步整流是电源转换技术中的两种整流方式，它们存在诸多区别：

• 整流元件
  • 同步整流：使用功率 MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）来进行整流。MOSFET 是一种电压控制型器件，拥有极低的导通电阻，能大幅降低导通损耗，尤其在大电流应用场景优势明显。例如在大功率服务器电源中，同步整流技术下的 MOSFET 导通电阻可低至数毫欧。
  • 异步整流：主要依靠二极管来完成整流工作。二极管是半导体器件，基于PN结单向导电性实现整流，但普通二极管具有相对较高的正向导通压降，一般硅二极管正向压降约 0.7V，肖特基二极管虽然压降稍低，也在 0.3 - 0.5V 左右。
• 能量损耗
  • 同步整流：因为 MOSFET 的导通电阻很低，导通时产生的压降极小，由此带来的功率损耗也就很小。在大电流、高频率的工作环境下，同步整流能显著减少能量损耗，提升电源转换效率，相比异步整流，效率提升幅度可达5% - 15%。
  • 异步整流：二极管的正向导通压降使得电路中有额外的功率消耗，电流越大，这部分损耗越显著。并且，二极管反向恢复特性还会在高频工况下引发额外的开关损耗，限制了电源效率的进一步提升。
• 控制复杂度
  • 同步整流：需要专门的控制电路或控制芯片，来精准把握 MOSFET 的开通、关断时机 。要实时监测输入输出电压、电流等信号，控制不当容易出现误动作，导致电路故障，所以技术门槛较高，电路设计更为复杂。
  • 异步整流：利用二极管自身的单向导电性自动完成整流，无需复杂的外部控制，电路搭建简单，设计难度低，可靠性高，后期维护也相对容易。
• 应用场景
  • 同步整流：适合对电源转换效率有严苛要求的场景，比如笔记本电脑充电器、智能手机快充充电器、高功率密度的开关电源等，有助于缩小产品体积，减少发热。
  • 异步整流：由于电路简单、成本较低，常在对效率要求不那么极致，功率较小、成本敏感的电源设备里应用，像一些简易的电子小产品、低成本的线性电源辅助整流环节。
• 输出电压较高时
  • 输出电压较高时，二极管的正向导通压降所占的比重就比较小，对效率的影响也比较小。

通过观察图3-2可以发现：同步整流仅在mosfet的导通阶段才能降低整流管的导通损耗。而在$SR1和SR2$两个mosfet关断时，续流是依靠mosfet内部的体二极管进行的。

• 这个时候由于体二极管的压降比较大，所以损耗也比较大。整流部分的损耗有40%左右。
• 使用异步整流技术，整流部分的效率还可以提高。

3.2.12 异步整流的工作原理

异步整流的工作原理如下：

当$U_{r1}$为正时，VT1为正偏，故VT1导通，电流流过VT1、电感和负载。再流回$U_{r1}$的负端。

在$t1-t2$时，$U_{r1}$和$U_{r2}$为0，但仍有正向4个脉冲驱动。$VT1、VD1、VT2、VD2$导通续流一直到t2时刻。

在t3到t4的阶段，$VT1、VD1、VT2、VD2$续流导通，这样无论在什么时刻，$VD与VT$都是同时导通的。

由于VT的导通压降较低，其导通损耗比较小，所以该电路对续流部分效率的提高具有很大作用。

基础整流过程

• 当交流电压处于正半周时，二极管处于正向偏置状态而导通，电流从交流电源的一端出发，经过二极管，流向负载电阻，再回到交流电源的另一端，从而实现电流从交流到直流的转换，负载电阻上得到正向的电压.
• 当交流电压处于负半周时，二极管处于反向偏置状态而截止，此时电流无法通过二极管，负载电阻上没有电流通过，也就没有电压输出.

续流过程

• 在一些电路拓扑结构中，如降压型（Buck）电路，还存在续流过程 。当主开关管（如MOS管）导通时，电流通过主开关管和负载电路流动，此时电感中储存了一定的能量.
• 当主开关管关闭时，电感中的电流不能突变，会产生一个反向电动势，试图维持电流的流动。此时，电流通过负载电路中的电感和异步整流器的体二极管续流，形成一个闭合回路，从而保证了负载电流的连续性，使负载上的电压能够相对稳定.

整体电路工作

• 在实际的电路中，异步整流通常是作为整个电源转换电路的一部分来工作的。例如，在一个简单的直流电源电路中，交流电源经过变压器降压后，再通过异步整流电路将交流电压转换为直流电压，最后经过滤波电容等元件进行滤波，得到较为平滑的直流输出电压.
• 在开关电源等应用中，异步整流电路会与其他电路元件（如开关管、电感、电容等）协同工作，通过控制开关管的导通和关断时间，以及利用电感和电容的储能和滤波特性，实现对输入电压的变换、调整和稳定输出电压的功能.

3.2.2 异步整流的驱动电路

图3-10存在两个问题

1. VT的驱动脉冲在额定条件下占空比都在0.75左右。如果输入电压升高，负载变轻，占空比将更大，那么驱动将变得不可能实现。

异步整流通常不需要复杂的驱动电路，其主要原因在于异步整流使用二极管作为整流元件，二极管的特性是在正向偏置时自然导通，不需要外部控制信号来控制其开关状态.以下是关于其驱动电路的一些说明：

基本原理与构成

• 以常见的Buck降压电路为例，其由一个高边MOS管和一个续流二极管构成。当高边MOS管导通时，电流通过MOS管和负载电路流动；当MOS管关闭时，电流通过负载电路中的电感和续流二极管续流，从而实现异步整流的功能.
• 在这个过程中，续流二极管不需要额外的驱动电路来控制其通断，其工作状态完全由电路中的电流方向和MOS管的开关状态决定。

与同步整流驱动电路对比

• 同步整流驱动电路：同步整流需要专门的驱动电路来精确控制整流晶体管（如MOSFET）的开关时刻，以确保其在需要的时候导通，减少能量损耗。这是因为MOSFET作为有源器件，其导通和截止需要合适的栅极驱动信号来控制，通常包括驱动芯片、隔离电路、电平转换电路等组成部分，以实现对MOSFET的快速、准确控制.
• 异步整流驱动电路：由于异步整流的二极管是自然导通的，不需要像同步整流那样的复杂驱动电路来控制其开关，所以电路结构相对简单，成本也较低.

控制与保护电路

• 尽管异步整流不需要驱动电路来控制二极管的通断，但在整个电源系统中，仍然需要一些控制和保护电路来确保系统的正常运行.
• 例如，过温、过流、欠压保护等控制逻辑电路，用于监测和保护系统免受过载、过热、欠压等异常情况的影响。采样电路一般为电阻分压，通过采样电路获取输出电压，控制电路根据采样信号调整PWM占空比，以稳定输出电压.

3.3 同步与异步的效率问题

4. 硬开关DCDC变换器

通过高频的dc dc变换器实现直流电压的变化。而我们使用的用电设备的直流电压是多种多样的。 Dc dc变换器是开关电源的主要组成部分。

4.1非隔离型硬开关dcdc变换器

4.1.1升压型dc dc变换器。

具体内容见电力电子技术相关介绍的5.1.2。

4.1.2. 降压型dcdc变换器

具体内容见电力电子技术相关介绍的5.1.1。

4.1.3降压升压型dcdc变换器

具体内容见电力电子相关介绍的5.1.3。

4.2 单端反激dc dc变换器

• 单端正激 DC-DC 变换器与 Buck 电路：单端正激 DC-DC 变换器由 Buck 电路派生而来，是在 Buck 电路基础上增加了高频变压器、磁复位绕组等元件，以实现输入输出电气隔离和电压变换。

• 反激 DC-DC 变换器与 Buck 电路：反激 DC-DC 变换器由 Buck - Boost 电路派生而来，与 Buck 电路相比，增加了隔离变压器，利用变压器的储能和变压特性实现能量转换和电压变换。

  • 将电感变为了一个隔离变压器。
  • 反击变换器的变压器，它既是电感也是变压器。电感就是一个储能元件，它在MOS开通时储存能量MOS关断时释放能量，所以一直处于平衡状态。

4.2.1 单端反激dc dc变换器主电路

将buck- boost电路中的电感替换为隔离变压器。实现输入与输出之间的隔离。

• 开关管导通时。电源的能量以磁能的形式存储在变压器中。
• 开关管截止时，二极管导通。变压器中储存的能量传给负载。

单端反激DC-DC变换器主电路主要由以下几部分构成：

1. 输入电路：通常包含一个整流桥和滤波电容。交流市电先经过整流桥（由四个二极管组成），将交流电转变为直流电 ，随后滤波电容对整流后的直流电压进行平滑滤波处理，去除电压中的纹波成分，为后续电路提供相对平稳的直流输入电压。例如常见的220V交流市电输入，经整流滤波后，能得到约310V左右的直流高压。
2. 开关变压器：它是电路的核心部件，起到能量存储、传递与电压变换的作用。其包含初级绕组、次级绕组，有的还带有辅助绕组。初级绕组连接到输入直流电源与开关管；次级绕组连接输出整流二极管与滤波电容，用来输出所需的直流电压。开关管周期性地导通与关断，使得初级绕组电流产生变化，进而在变压器铁心中建立交变磁场，依据电磁感应原理，次级绕组就会感应出相应的电压。
3. 开关管：一般是功率 MOSFET ，受控制电路输出的PWM（脉冲宽度调制）信号驱动。当PWM信号为高电平时，开关管导通，电流流入变压器初级绕组，此时变压器储存能量；当PWM信号为低电平时，开关管截止，变压器初级绕组电流迅速降为零，存储在变压器中的能量通过次级绕组释放，向负载供电。
4. 输出整流二极管：为肖特基二极管或快恢复二极管，位于变压器次级绕组一侧。它利用自身单向导电性， 当变压器次级绕组释放能量时，把感应出的交流电整流成直流电，保障电流单向流向输出端。
5. 输出滤波电容：常为电解电容与陶瓷电容并联使用。电解电容具有大容量，用来滤除低频纹波；陶瓷电容高频特性好，负责滤除高频杂波，二者配合，让输出的直流电压更加平滑、稳定。例如，在一个5V输出的单端反激变换器中，滤波电容能将输出电压的纹波控制在几十毫伏以内 。
6. 反馈控制电路：会采样输出电压，与设定的参考电压对比，根据误差生成PWM控制信号，调节开关管的导通、关断时间，以此稳定输出电压，确保输出不受输入电压波动与负载变化的影响。

4.2.2正反激对比

反激电源的缺点是高输出的文波电流，然后有高输入的纹波电流。
环路的带宽可能受限于右半平面零点。

4.2.3 反激波形

4.3 单端正激DCDC变换器

单端正激 DC-DC 变换器是一种常用的直流-直流变换电路，以下是其详细介绍：

将开关管右边插入一个隔离变压器。
这里还多加入了一个辅助电感Nr。是一个磁复位的电感。
正激变换器的Vin是一直加在上面的，当mos管不断的开通它的能量不停地加在原边，所以它的磁芯就会容易饱和，这个时候我们加一个复位的电感，释放它原边的能量。

电路结构

图中高频变压器原边和副边绕组同名端的连接，和单端反击dc dc变换器的连接不同。

• 当功率开关管vt导通时，整流二极管Vd1也导通，输入电能通过整流二极管传递给负载，同时将部分能量存储在输出回路的储能电感L中。

主要由输入电源、开关管、变压器、整流二极管、滤波电容和滤波电感等元件组成.

• 输入电源：提供直流电压，作为变换器的能量来源.
• 开关管：通常为晶体管或 MOSFET，在脉宽调制（PWM）信号的控制下，周期性地导通和关断，控制电路的通断状态，从而实现能量的传递和转换.
• 变压器：具有隔离输入输出电路、变换电压以及传输能量的作用，其初级绕组与输入电源相连，次级绕组与整流二极管相连，通过电磁感应原理将输入电压变换为适合输出的电压.
• 整流二极管：将变压器次级绕组输出的交流电压整流为直流电压，以便为负载提供稳定的直流电源.
• 滤波电容和滤波电感：共同组成滤波电路，用于平滑输出电压，减少电压纹波，提高输出电压的稳定性.

工作原理

工作过程可分为两个阶段 ：

• 开关管导通阶段：开关管闭合时，输入电源通过开关管向变压器初级绕组供电，变压器初级绕组电流线性增加，同时在次级绕组感应出电压。根据同名端的关系，此时整流二极管导通，次级绕组的电流通过整流二极管向负载供电，同时也为滤波电容充电，滤波电容存储能量以平滑输出电压。
• 开关管关断阶段：开关管断开后，变压器初级绕组断电，次级绕组电压消失，整流二极管截止。此时，负载由滤波电容供电，滤波电感中的电流不能突变，会产生左“-”右“+”的感应电压，使续流二极管导通，电感中储存的磁能转换为电能，经过续流二极管构成的回路继续向负载供电，随着电感中磁能的释放，续流二极管的电流逐渐减小，输出滤波电容也会适时地放电补充电流，以维持负载电流的稳定。

关键参数与设计要点

• 变压器设计：匝数比决定输出电压与输入电压的关系，需根据具体的输入输出电压要求进行设计；磁芯材料的选择影响变压器的效率和温升，应根据变换器的功率、工作频率等因素综合考虑选择合适的磁芯材料.
• 开关管选择：需考虑其耐压值、电流容量和开关频率等参数，耐压值应大于开关管关断时所承受的最大电压，电流容量要满足电路中最大电流的要求，开关频率则要根据变换器的性能要求和效率等因素来确定.
• 整流二极管和续流二极管的选择：整流二极管的正向压降和反向恢复时间会影响变换器的效率和纹波，应选择正向压降小、反向恢复时间短的二极管；续流二极管的平均电流和反向电压等参数也需要根据电路的工作情况进行合理选择.
• 滤波电容和滤波电感的设计：滤波电容的大小和品质决定了输出电压的稳定性和纹波，一般来说，电容值越大，滤波效果越好，但电容过大也会增加成本和体积；滤波电感的电感值同样对输出电压的纹波有影响，需要根据具体的电路参数和性能要求进行优化设计.

特点

• 优点：结构相对简单，成本较低；具有较高的效率，尤其是在高负载条件下；输出电压纹波较小，电压稳定性较好；通过变压器实现了输入输出的电气隔离，提高了电路的安全性和可靠性.
• 缺点：开关管承受的电压应力较大，需要选用高耐压的开关管；变压器的设计和制作要求较高，需要考虑磁复位等问题；在开关转换瞬时，由于电抗元件的能量充放，会导致功率器件承受较大的热和电应力，可能需要设置缓冲吸收电路来保护功率器件，这在一定程度上会降低变换器的工作效率.

计算公式

以下是单端正激 DC - DC 变换器中电感及电容的一些常见计算公式：

电感计算公式

• 临界电感值计算：电感的临界电感值 $L_{min}$ 可根据输入电压 $V_{in}$、输出电压 $V_{out}$、最大输入电压 $V_{inmax}$、开关频率 $F_{sw}$ 和电感纹波电流峰峰值 $I_{rpp}$ 来计算。对于类似 Buck 型的单端正激 DC - DC 变换器，计算公式为$L_{min}=\frac{V_{out}\times (1-V_{out}/V_{inmax})}{F_{sw}\times I_{rpp}}$ 。通常会将 $I_{rpp}$ 控制在 50%的输出额定电流 $I_{rate}$，则上述公式变化为$L_{min}=\frac{2\times V_{out}\times (1-V_{out}/V_{inmax})}{F_{sw}\times I_{rate}}$。
• 实际电感取值：实际选取的电感值一般为临界电感值的 1.3 倍左右，即 $L=1.3\times L_{min}$。

电容计算公式

• 根据纹波电流计算电容：纹波电流$\Delta I$可通过公式$\Delta I=\frac{V_{out}\times I_{load}}{2\times f\times \Delta V}$计算得出，其中$V_{out}$是输出电压，$I_{load}$是负载电流，$f$是开关频率，$\Delta V$是输出电压的允许纹波。再根据$\Delta V=\frac{I_{load}\times D}{2\times f\times C}$，可推导出电容 $C$ 的计算公式为$C=\frac{I_{load}\times D}{2\times f\times \Delta V}$ ，其中 $D$ 是占空比。
• 根据纹波电压计算电容：已知纹波电压$\Delta V$、输出电压 $V_{out}$、占空比 $D$、开关频率 $f$，则电容 $C$ 可由公式$C=\frac{V_{out}\times (1-D)}{2\times f\times \Delta V}$计算得出。

磁芯饱和

磁芯饱和是指磁芯在磁场作用下，其磁化强度达到最大值，无法再随着磁场强度的增加而显著增加的状态。

• 当通过绕在磁芯上的线圈电流持续增大，根据安培定律，会产生与电流成正比的磁场。磁场强度不断增强，使得磁芯内的磁畴逐渐趋于完全定向排列，当电流大到一定程度，磁畴几乎全部沿磁场方向排列，此时再增加电流，磁芯的磁化强度也不会明显增加，磁芯就进入饱和状态。
• 对于工作在高频环境下的磁芯，当频率升高到一定程度，磁芯内部的磁滞损耗和涡流损耗会急剧增加。这会导致磁芯发热严重，磁性能下降，更容易进入饱和状态。
• 温度升高会使磁芯材料的磁导率降低，磁滞回线发生变化，导致磁芯更容易饱和。

4.4推挽型dc-dc变换器

$n=\frac{N_{11}}{N_{21}}=\frac{N_{12}}{N_{22}}$
其中q为晶体管的导通时间$T_{on}$和周期T之比。

推挽型DC - DC变换器具有以下特性：

电路结构与工作原理相关特性

1. 变压器利用效率高
   • 推挽电路结构中，变压器的初级绕组有中心抽头，两个开关管（通常是功率MOSFET或晶体管）交替导通。当一个开关管导通时，另一个截止，这样在变压器初级绕组的两端交替施加电压，使变压器的磁芯在正负两个方向上都能得到充分利用。
   • 例如，在一个周期内，磁芯的磁通先正向增加，然后反向增加，相比单端变换器，能更好地利用磁芯的磁滞回线，减少磁芯的偏磁现象，从而提高变压器的利用率，有效降低变压器的体积和成本。
2. 输出功率较大
   • 由于两个开关管轮流工作，在输入电压和变压器匝数比等条件相同的情况下，推挽型变换器能够输出的功率比单管变换器大。
   • 设输入电压为$V_{in}$，初级绕组匝数为$N_p$，次级绕组匝数为$N_s$，开关管的占空比为$D$，输出电压$V_{out}=\frac{2D{N}_s}{N_p}{V}_{in}$（理想情况下）。通过合理设置占空比和匝数比，可以实现较大功率的输出。
3. 输入电流纹波小
   • 两个开关管交替导通使得输入电流是由两个相位相差$180^{\circ }$的电流脉冲组成。这两个脉冲相互叠加后，其纹波系数相对较小。
   • 从能量的角度来看，在一个开关周期内，能量的传递比较均匀，不会出现单管变换器那样电流集中在某一时间段的情况，有利于减小输入滤波电容的容量。
4. 驱动电路相对复杂
   • 推挽型变换器需要为两个开关管提供驱动信号，并且这两个驱动信号要严格互补，即一个为高电平时，另一个为低电平，同时还要考虑一定的死区时间。
   • 死区时间是为了防止两个开关管同时导通而设置的。如果没有死区时间，两个开关管同时导通会导致电源短路，损坏开关管。这就要求驱动电路能够精确地产生具有合适死区时间的互补驱动信号，增加了驱动电路的设计难度。

电气性能特性

1. 输出电压纹波特性
   • 输出电压纹波频率是开关频率的两倍。这是因为在一个开关周期内，两个开关管各导通一次，使得输出电容的充放电频率为开关频率的两倍。
   • 例如，当开关频率为$f_s$时，输出电压纹波频率为$2f_s$。较高的纹波频率使得输出滤波相对容易，在相同的纹波要求下，可以使用较小的滤波电容。
2. 效率特性
   • 推挽型DC - DC变换器在适当的负载和工作条件下可以实现较高的效率。其效率主要受开关管的导通损耗、开关损耗以及变压器的损耗等因素影响。
   • 当开关管的导通电阻较小、开关速度快，并且变压器的绕组电阻小、磁芯损耗低时，变换器的效率可以达到较高水平。一般在中大功率应用场合，通过优化设计可以使效率达到80% - 95%左右。
3. 电压应力特性
   • 开关管承受的电压应力为输入电压的两倍。这是因为在开关管截止时，变压器初级绕组上的感应电压会叠加在输入电压上。
   • 例如，当输入电压为$V_{in}$时，开关管截止时需要承受$2V_{in}$的电压，这就要求在选择开关管时，其耐压等级要足够高，以避免开关管被击穿损坏。

4.5 半桥型dc-dc变换器

4.51 半桥型DC - DC变换器和推挽型DC - DC变换器区别

半桥型DC - DC变换器和推挽型DC - DC变换器有以下关系：

一、相似点

1. 变压器利用方式
   • 两者都利用变压器来实现电压变换。在半桥变换器中，通过两个电容分压后，两个开关管交替导通，在变压器初级绕组两端产生交变电压；推挽变换器也是通过两个开关管交替导通，在变压器初级绕组两端（有中心抽头）产生交变电压。它们都能使变压器的磁芯在正负两个方向上被利用，从而有效传递能量，提高变压器的工作效率。
   • 例如，对于这两种电路，变压器磁芯的磁通在一个工作周期内都会经历正向和反向的变化过程，避免了磁芯的单向偏磁问题，有助于减小变压器的体积和重量。
2. 输出电压特性方面的相似性
   • 它们的输出电压都和变压器的匝数比以及开关管的占空比有关。在理想情况下，输出电压的表达式都包含与变压器初级和次级匝数比以及开关管占空比相关的项。
   • 设半桥变换器输入电压为$V_{in}$，变压器初级匝数为$N_p$，次级匝数为$N_s$，开关管占空比为$D$，其输出电压$V_{out}=\frac{D{N}_s}{N_p}{V}_{in}$（忽略开关管等器件的压降）；推挽变换器输出电压$V_{out}=\frac{2D{N}_s}{N_p}{V}_{in}$（同样忽略器件压降）。可以看出它们的输出电压都和匝数比、占空比呈一定的比例关系。
3. 输出纹波频率
   • 半桥型和推挽型DC - DC变换器的输出电压纹波频率都是开关频率的两倍。这是因为在一个开关周期内，它们都有两次能量传递过程导致输出电容的充放电。
   • 例如，当开关频率为$f_s$时，两种变换器输出电压纹波频率都是$2f_s$。这使得在设计输出滤波电路时，可以采用类似的滤波策略，如使用较小的滤波电容就能达到较好的滤波效果，因为较高的纹波频率更容易被滤除。

二、不同点

1. 电路结构差异
   • 半桥型变换器：半桥电路主要由两个开关管（如MOSFET）、两个分压电容和一个带有初级绕组（无中心抽头）的变压器组成。两个电容串联后连接在输入电源两端，开关管分别连接在电容和变压器初级绕组之间。这种结构相对简单，对开关管的耐压要求相对较低。开关管承受的最大电压应力为输入电压$V_{in}$。
   • 推挽型变换器：推挽电路由两个开关管、一个带有中心抽头的初级绕组变压器组成。两个开关管分别连接在输入电源和变压器初级绕组的两端。其电路结构相对复杂一些，并且开关管承受的电压应力是输入电压的两倍，即$2V_{in}$。
2. 输入电流特性差异
   • 半桥型变换器：输入电流是不连续的，在每个开关周期内，只有在开关管导通阶段才有电流输入，而且电流波形相对复杂。由于电容的分压和充电过程，输入电流会有一定的脉冲特性。
   • 推挽型变换器：输入电流是由两个相位相差$180^{\circ }$的电流脉冲组成，两个脉冲相互叠加后纹波系数相对较小，电流的连续性比半桥变换器好。从能量传递角度看，推挽型变换器在一个开关周期内能量传递相对更均匀。
3. 驱动电路要求差异
   • 半桥型变换器：驱动电路需要确保两个开关管交替导通，并且要注意两个电容的充放电平衡。通常需要有合适的控制逻辑来避免电容电压不平衡问题，防止变压器偏磁。
   • 推挽型变换器：驱动电路需要为两个开关管提供严格互补的驱动信号，并且要设置合适的死区时间，以防止两个开关管同时导通造成电源短路。相比之下，推挽型变换器对驱动信号的互补性和死区时间精度要求更高。

4.5.2 半桥型DCDC变换器拓扑

半桥型DC-DC变换器主要有基本半桥拓扑、不对称半桥拓扑和半桥串联谐振拓扑等类型，以下是对它们的详细介绍：

• 基本半桥拓扑结构
  • 主要组成部分：由两个功率开关管（如MOSFET）、两个等值大电容、一个高频变压器、一个输出滤波电感以及一个输出滤波电容组成。
  • 工作原理：通过脉宽调制器（PWM）产生的两路控制信号来控制两个功率开关管的交替导通和关断。当一个开关管导通时，另一个关断，输入电压通过分压电容和导通的开关管加到变压器初级绕组上，使初级电流线性增加，次级绕组产生感应电压，经整流二极管整流和滤波电感、电容滤波后为负载提供稳定的直流输出。在两个开关管都关断期间，电感中存储的能量通过整流二极管释放，继续向负载提供电流，形成续流过程。
  • 特点：结构相对简单，具有一定的抗不平衡能力，对电路对称性要求不很严格；开关管耐压要求较低，适用于工作电压较高的场合；输出电流瞬间响应速度较高，电压输出特性较好，但电源电压利用率相对推挽式等拓扑较低。
• 不对称半桥拓扑结构
  • 主要组成部分：与基本半桥拓扑类似，由两个开关管、一个高频变压器、一个输出滤波电感、一个输出滤波电容等组成，但两个开关管的导通时间通常不相等。
  • 工作原理：两个开关管交替导通，控制高频变压器的原边电压。利用漏感实现软开关，在每个开关周期内，通过控制开关管的导通时间来调节输出电压。
  • 特点：结构相对简单，只需要两个主开关和较少的控制电路。由于软开关能够降低开关损耗，在中小功率应用中具有一定优势，成本较低，适合单倍输出电压且输入电压和负载条件较为固定的场景，如家用电器的电源或中小功率的充电器等，但存在磁偏问题，不适用于宽范围的输出电压调整。
• 半桥串联谐振拓扑结构
  • 主要组成部分：由两个功率MOS管组成开关网络，谐振电容和谐振电感串联组成谐振网络，此外还有输出滤波电容等。
  • 工作原理：通过转变开关管的开关频率进行转换，谐振网络的输入电压频率也随之转变，导致谐振网络的阻抗发生变化，进而影响负载端的电压。当开关频率工作在谐振频率时，谐振网络的阻抗达到最小，输入的电压绝大部分传递到负载端，此时变换器的直流电压增益最大为1。
  • 特点：电路拓扑结构比较简洁，关断损耗和开关损耗比较小，且没有输出滤波电感，整流二极管上的电压应力也比较小，电路循环电流和能量循环相对较低。但选择性较差，轻载或空载时输出电压无法调整，且当输出电压增加时，需要提高开关频率以维持输出电压稳定，不适合在高输入电压下应用。

4.6 全桥型DCDC变换器

全桥型DC-DC变换器有多种拓扑结构，以下是一些常见的类型：

基本全桥拓扑

• 结构组成：
  • 脉宽调制器（PWM）：产生两路控制信号Ua和Ub，用于控制功率开关管的导通和关断。
  • 功率开关管（VT₁、VT₂、VT₃、VT₄）：在控制信号的作用下交替导通和关断，一般采用MOSFET或IGBT等功率器件。
  • 高频变压器（T）：通过电磁感应实现能量传递和电压变换，将初级侧的直流电压转换为次级侧的交流电压。
  • 整流和滤波电路：由整流二极管和滤波电感、电容组成，将变压器次级电压整流并滤波，得到稳定的直流输出。
• 工作原理：当Ua为高电平，Ub为低电平时，功率开关管VT₁和VT₄导通，VT₂和VT₃关断，输入电压U₁通过VT₁和VT₄施加到变压器初级绕组NP上，使初级电流IP₁线性增加，变压器次级绕组NS₁和NS₂产生感应电动势，次级整流二极管VD₁导通，VD₂截止，次级电流IS₁流过滤波电感L，为滤波电容C和负载RL提供电流。当Ub为高电平，Ua为低电平时，功率开关管VT₂和VT₃导通，VT₁和VT₄关断，输入电压U₁通过VT₂和VT₃反向施加到变压器初级绕组NP上，使反向的初级电流IP₂线性增加，变压器次级绕组NS₁和NS₂产生反向的感应电动势，次级整流二极管VD₂导通，VD₁截止，次级电流IS₂流过滤波电感L，为滤波电容C和负载RL提供电流。
• 特点：电压转换能力强，输出电压与输入电压的关系为Uo=2D(NS/NP)U₁，适用于大功率隔离式开关电源；功率开关管承受的最大电压UCE=U₁，相对较低，可选用耐压较低的器件；电路结构相对复杂，需要精确的控制和驱动电路来保证四个功率开关管的正确导通和关断。

移相全桥拓扑

• 结构组成：与基本全桥拓扑类似，主要区别在于控制方式上采用了移相控制技术，通过调节功率开关管的导通时间和相位差来控制输出电压和功率。
• 工作原理：在一个开关周期内，通过控制四个功率开关管的导通顺序和导通时间，使得变压器初级绕组上的电压波形产生移相，从而在次级绕组上得到不同占空比的交流电压，经过整流和滤波后得到稳定的直流输出。通过调节移相角的大小，可以实现对输出电压和功率的调节。
• 特点：可以实现功率开关管的零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS），降低开关损耗，提高变换器的效率；能够在较宽的负载范围内实现软开关，提高了变换器的性能和可靠性；对变压器的漏感和寄生参数比较敏感，需要进行精确的设计和优化。

双有源全桥拓扑

• 结构组成：由两个全桥电路和一个高频变压器组成，两个全桥电路分别连接输入直流母线和输出直流母线，通过变压器实现能量的传递和转换。
• 工作原理：通过控制两个全桥电路中功率开关管的导通和关断，使得变压器初级和次级绕组上的电压波形产生相位差，从而实现能量的双向流动。当需要从输入侧向输出侧传输功率时，控制初级全桥电路的开关管导通，使变压器初级绕组上产生正电压，次级全桥电路的开关管根据需要导通，将能量传输到输出侧；当需要从输出侧向输入侧传输功率时，控制次级全桥电路的开关管导通，使变压器次级绕组上产生正电压，初级全桥电路的开关管根据需要导通，将能量传输到输入侧。
• 特点：能够实现能量的双向流动，适用于需要双向功率传输的应用场合，如电动汽车的充电和放电、可再生能源的并网等；可以通过调节两个全桥电路之间的相位差来控制功率的传输方向和大小，控制灵活；具有较高的功率密度和效率，能够适应宽范围的输入输出电压变化。

三主动全桥拓扑

• 结构组成：包括变压器、变压器原边变流模块以及变压器副边变流模块，原副边均由3个T型桥臂连接而成，原边侧通过两个电力电子变压器绕组绕制在同一根铁芯上与副边侧连接。
• 工作原理：拓扑在运行时，原副边3个T型桥臂始终处于两桥臂接入，一桥臂断开的状态，可分为九种工作模式，通过控制开关管的通断来选择不同的工作模式，实现不同的电压转换比和功率传输。
• 特点：可提供多种电压转换比，能够适应输入电压在较宽范围内变化的应用场景；通过合理选择工作模式，可以将变换器始终运行在电压增益等于1附近，减小电感两端电压差，保持高效运行；减少了电力电子变换电路的开关管和变压器绕组与磁芯数量，减小了拓扑结构的体积，降低了成本。

5 软开关DCDC变换器

DC-DC变换器软开关和硬开关有以下区别：

工作原理

• 硬开关：开关管在导通和关断时，电压和电流的变化是突变的。在开通瞬间，开关管的漏源极电压从高压降为零，电流从零快速上升；关断瞬间，漏源极电压由零变为开路电压，电流从较大值降为零，在电压和电流的交集中产生较大的面积重叠，从而造成较大的开关损耗。
• 软开关：通过控制开关管的导通和关断时刻，使开关管在零电压（ZVS）或零电流（ZCS）的条件下进行开关动作。利用电感和电容的谐振特性，在开关转换过程中，让电路进入谐振状态，使开关管两端的电压或流过开关管的电流在自然过零时完成导通或关断。

开关损耗

• 硬开关：开关过程中，电压和电流的交叠会产生较大的开关损耗，且开关频率越高，开关损耗越大。
• 软开关：在零电压或零电流条件下进行开关动作，理论上开关损耗为零，实际应用中也能显著减小开关损耗。

电磁干扰

• 硬开关：开关瞬间电压和电流变化率大，会激起电路分布电感和寄生电容的振荡，产生较大的电磁干扰。
• 软开关：开关过程较为平缓，电压和电流的变化率小，大大减少了电磁干扰的产生。

开关频率

• 硬开关：由于开关损耗随开关频率升高而增大，限制了其开关频率的提高，一般工作在相对较低的频率范围。
• 软开关：开关损耗小，对开关频率的限制较小，可工作在较高的频率，有利于变换器的小型化和轻量化。

电路结构

• 硬开关：电路结构相对简单，不需要额外的谐振元件来实现软开关条件。
• 软开关：需要增加电感、电容等谐振元件，以及相应的控制电路来实现零电压或零电流开关，电路结构相对复杂。

成本

• 硬开关：电路结构简单，所用元器件较少，成本相对较低。
• 软开关：因增加了谐振元件和复杂的控制电路，成本通常比硬开关高。

效率

• 硬开关：在开关频率较低、功率较小的情况下，效率尚可，但在高频、大功率应用中，开关损耗大，效率会明显降低。
• 软开关：能有效降低开关损耗，在高频、大功率应用中，效率优势明显。

5.1谐振电路

5.1.1 LC串联谐振电路

在pwm开关中，接入电感和电容组成的谐振电路后。流经开关的电流和加在开关两端的电压的波形就变为部分正弦波。

• 因此，开关可以实现零电流或零电压的转换。
• 谐振电路与pwm开关的组合称为谐振开关。

LC谐振电路主要有串联谐振电路和并联谐振电路两种，以下是它们的基本参数公式：

串联谐振电路

• 谐振频率：$f_0=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}$，其中$f_0$是谐振频率，$L$是电感值，$C$是电容值。当电路中的感抗$X_L=2\pi fL$与容抗$X_C=\frac{1}{2\pi fC}$相等时，即$X_L=X_C$，电路发生串联谐振，此时的频率就是谐振频率。
• 品质因数：$Q=\frac{{\omega }_{0}L}{R}=\frac{1}{{\omega }_{0}CR}=\frac{1}{R}\sqrt{\frac{L}{C}}$，其中${\omega }_0=2\pi f_0$，$R$为电路中的电阻。品质因数$Q$反映了谐振电路的储能与耗能之比，$Q$值越大，谐振曲线越尖锐，电路的选择性越好，但通频带越窄。
• 阻抗：在谐振时，电路的阻抗最小，$Z=R$，此时电流达到最大值$I_{max}=\frac{U}{R}$，其中$U$为输入电压。

并联谐振电路

• 谐振频率：$f_0=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}$，与串联谐振电路的谐振频率公式相同，但需注意，在实际应用中，由于电感和电容存在一定的损耗电阻，当这些电阻不能忽略时，并联谐振频率的计算公式会略有变化，不过在一般的理论分析和大多数实际情况中，上述公式都能较好地适用。
• 品质因数：$Q=\frac{R}{{\omega }_{0}L}={\omega }_{0}RC=\frac{R}{\sqrt{\frac{L}{C}}}$，这里的$R$是与电感或电容并联的等效电阻，用于表示电路中的耗能元件。同样，品质因数$Q$越高，谐振电路对频率的选择性越好，通频带越窄。
• 阻抗：在谐振时，电路的阻抗最大，$Z=\frac{L}{RC}$，且为纯阻性。此时，电路对谐振频率的电流呈现高阻抗，阻止该频率的电流通过，而对其他频率的电流则呈现低阻抗，起到选频的作用。

5.1.2 零电流谐振开关 ZCS

零电流谐振开关是软开关技术中的一种，以下是关于它的详细介绍：

工作原理

• 线性阶段：开关导通前，二极管处于续流阶段。开关导通时，电感电流由0开始上升，此阶段电感电压等于输入电压，电流随时间线性上升，直到电流达到负载电流.
• 谐振阶段：当电感电流达到负载电流后，超出部分的电流对谐振电容充电，二极管截止，电感与电容开始串联谐振，谐振电流按正弦规律上升到峰值后再下降至零，此时开关管可在电流为零的时刻关断.
• 恢复阶段：谐振电容电压滞后于电流，在谐振电流归零后，电容仍会通过电感向负载放电，直至电容电压为零.
• 续流阶段：电容放电到零后，二极管因反压消失而导通，对电感及负载进行续流，以保持负载电流连续.

基本公式

• 谐振频率：$f_0=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}$ ，角频率${\omega }_0=2\pi f_0=\frac{1}{\sqrt{LC}}$ ，用于计算电感 $L$ 和电容 $C$ 组成的谐振电路的谐振频率.
• 特性阻抗：$Z_0=\sqrt{\frac{L}{C}}$ ，可衡量谐振电路的特性.
• 谐振电流：$i_1=I_0+\frac{V_i}{Z_0}\sin {\omega }_0(t-t_1)$ ，其中 $I_0$ 为初始电流，$V_i$ 为输入电压，$t_1$ 为进入谐振阶段的时刻.
• 谐振电容电压：$V_{C1}=V_i-V_i\cos {\omega }_0(t-t_1)=V_i(1-\cos {\omega }_0(t-t_1))$.

电路结构

零电流谐振开关的电路主要由开关管、谐振电感、谐振电容以及二极管等元件组成，谐振电感与开关管串联，谐振电容与电路中的其他元件共同作用，形成谐振回路，以实现零电流开关的功能.

优点

• 降低开关损耗：开关管在电流为零时导通和关断，大大减少了开关过程中的能量损耗，提高了电路的效率，尤其在高频开关电路中，效果更为显著.
• 减少电磁干扰：由于开关过程中的电流变化率较小，产生的电磁干扰也相应减少，提高了电路的电磁兼容性，有利于电子设备的稳定运行.
• 延长开关管寿命：降低了开关管的损耗和发热，从而延长了开关管的使用寿命，提高了整个电路的可靠性.

缺点

• 导通损耗：开关管导通时，电容会通过开关管放电，产生一定的导通损耗，且该损耗与开关频率成正比.
• 频率限制：通常情况下，其谐振频率相对较低，当利用变压器漏感作谐振电感时，所需的谐振电容容量较大，导致电容损耗增加，变换器的效率降低.
• 参数敏感性：对电路参数的变化较为敏感，谐振元件参数确定后，开关管的导通时间就基本固定，如果要调整输出电压，往往需要改变开关管的关断时间，这在一定程度上增加了电路设计和控制的复杂性.
• 电流应力大：在谐振过程中会产生较高的峰值电流，这会增加电路中各元件的电流应力，对元件的性能和可靠性提出了更高的要求.

5.1.3 零电压谐振开关ZVS

1. 定义与基本原理

• 零电压谐振开关是一种软开关技术，主要基于谐振原理来实现开关管的零电压开通和关断，从而降低开关损耗。其核心是利用谐振电感和谐振电容组成的谐振电路，使开关管两端的电压在开关动作时谐振到零，为开关管提供零电压开通和关断的条件。
• 例如，在一个典型的零电压谐振开关电路中，当开关管关断时，谐振电感和电容开始谐振，使得开关管两端的电压先上升然后下降到零，此时开关管可以在零电压下开通；当开关管开通一段时间后，再次关断时，同样通过谐振过程使开关管两端电压降为零，从而实现零电压关断。

2. 电路结构组成

   • 开关管：通常采用MOSFET或IGBT等功率半导体器件作为开关管。这些器件的特性对于实现零电压开关非常重要，例如，MOSFET的寄生电容可以作为谐振电路的一部分参与谐振过程。
   • 谐振电感（L）和谐振电容（C）：这是零电压谐振开关的关键元件。谐振电感与开关管串联或者通过变压器耦合等方式连接，谐振电容与开关管并联。它们的取值决定了谐振频率$f_0=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}$，这个频率对于开关管的零电压开关时机至关重要。
   • 二极管：在电路中用于续流等功能。当开关管关断时，二极管可以为电感中的电流提供续流路径，保证电路的正常工作，并且在谐振过程中也起到一定的辅助作用。
   • 辅助电路（可选）：根据具体的电路拓扑和应用需求，可能还会包括一些辅助电路，如钳位电路用于限制开关管两端的电压峰值，或者控制电路用于产生合适的驱动信号来控制开关管的导通和关断时间。

3. 工作过程

   • 开通阶段：在开关管开通之前，谐振电容上存储的电荷使得开关管两端电压不为零。当满足谐振条件时，谐振电感和电容开始谐振，电容开始放电，开关管两端电压逐渐下降。当电压下降到零时，开关管可以在零电压下开通，此时开通损耗几乎为零。
   • 导通阶段：开关管导通后，电流通过开关管和负载，能量从电源传输到负载。在这个阶段，谐振电路可能会根据电路拓扑和控制策略进行充电或者处于待机状态，为下一次关断做准备。
   • 关断阶段：当需要关断开关管时，控制电路发出关断信号。此时，由于谐振电路的存在，电感中的电流不能突变，会继续通过谐振电容等元件形成回路，使得开关管两端电压谐振上升后再下降到零，从而实现零电压关断。

4. 优点

   • 降低开关损耗：零电压开关可以显著降低开关管的开通和关断损耗，提高电路的效率。在高频开关电源等应用中，这对于减少能量损失、提高功率密度非常重要。
   • 减少电磁干扰（EMI）：由于开关过程中的电压和电流变化更加平滑，减少了高频谐波成分，从而降低了电磁干扰。这使得电路在电磁兼容性方面表现更好，有利于在对电磁干扰敏感的环境中使用。
   • 提高开关管寿命：降低开关损耗意味着开关管的发热减少，工作温度降低，从而延长了开关管的使用寿命，提高了整个电路的可靠性。

5. 缺点

   • 电路复杂度增加：为了实现零电压开关，需要添加谐振电感和电容等元件，并且需要精确设计和控制电路，这使得电路结构更加复杂，成本也会相应增加。
   • 对参数变化敏感：谐振电路的性能依赖于电感和电容的参数，这些参数在实际应用中可能会因为温度、制造工艺等因素而发生变化。一旦参数变化，可能会影响零电压开关的效果，导致开关损耗增加。
   • 额外的导通损耗：在一些情况下，为了实现零电压开关，可能会导致开关管在导通时有额外的损耗，例如谐振电容的放电电流通过开关管等情况。

6. 应用场景

   • 开关电源：在各种开关电源中广泛应用，如计算机电源、通信电源等。通过采用零电压谐振开关技术，可以提高电源的效率和功率密度，降低电磁干扰。
   • 逆变器：在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）逆变器等设备中，零电压谐振开关有助于提高逆变器的转换效率和可靠性，减少能量损耗。
   • 高频加热设备：例如电磁炉等高频加热电器，利用零电压谐振开关可以实现高效的功率转换，将电能有效地转换为高频磁场能用于加热。

5.2 变频控制软开关DCDC变换器

用0电流谐振开关或者是0电压谐振开关代替第4章中dc dc变换器中的硬开关，就可以得到相应的0电流准谐振dc dc变换器或者是0电压准谐振dc dc变换器。

5.2.1零电流转谐振降压变换器

• $L_o与C_o$组成输出滤波电路。
• $V{D}_o$为续流二极管。
• S通常为功率开关晶体管。
• $L_r与C_r$为谐振电感与谐振电容。

零电流转谐振降压变换器主要有以下几种工作状态：

1. 起始状态

   • 在t0瞬间，开关s闭合，直流电压$U_i$加到$L_r、C_r$串联电路的输入端。输入电流$I_i$以速率$U_i/L_r$从0开始线性增加，在t1时刻，输入电流增加到输出电流$I_o$。
   • 在t0瞬间，续流二极管$V{D}_0$中的电流$I_{Do}$从$I_o$开始线性下降，到t1瞬间下降到0。
   • 在t1瞬间，输出电流$I_o$全部由输入电源提供。
   • 在t0到t1期间，电感中的电流全部流到输出端，没有电流流入谐振电容$C_r$。因此$C_r$两端电压$U_{cr}=0$。

2. 谐振状态

   • 从t1瞬间开始，谐振电感和电容发生谐振，正弦波谐振电流流过谐振电容$C_r$。
   • 输入电流$I_i$等于谐振电流$I_r$与输出电流$I_o$之和。
   • 经过1/4个谐振周期之后，输入电流$I_i$上升到最大值。
   • 经过半个谐振周期后，在t2瞬间输入电流，按正弦规律下降到$I_o$。

3. 谐振电容放电状态

   • 从t3瞬间开始，谐振电容Cr对电负载放电，谐振电容Cr两端的电压$U_{cr}$线性下降，到t4瞬间，$U_{cr}$下降到0。

4. 滤波电感释放储能状态

   • 在t4到t5之间，输出滤波电感$L_o$通过续流二极管$V{D}_o$释放储能。
   • 流过$V{D}_o$的电流$I_{do}$线性上升，并在t5时刻瞬间到达$I_o$。
   • 此时，开关管再次导通，$I_{VDo}$又开始线性下降，重复上述过程。

开关管导通阶段

• 电流上升：当开关管导通时，输入电压加在谐振电感上，电感电流开始线性上升，此时二极管处于反向截止状态。电流上升的斜率取决于输入电压和电感值，其关系为$\frac{di}{dt}=\frac{V_{in}}{L}$，其中$V_{in}$是输入电压，$L$是谐振电感的值。
• 能量储存：在这个过程中，电感将输入的电能转化为磁能储存起来，为后续的谐振过程做准备。

谐振阶段

• 电容充电与电流振荡：当开关管关断时，谐振电感和电容开始谐振。谐振电感中的电流不能突变，会继续流动，对谐振电容进行充电，同时电流开始振荡。此时，二极管依然处于反向截止状态。谐振电流$i_r$和谐振电容电压$V_c$的变化规律可以用二阶谐振电路的方程来描述：$L\frac{d^2{i}_r}{d{t}^2}+\frac{1}{C}{i}_r=0$，$V_c=\frac{1}{C}\int i_{r}dt$。
• 零电流条件形成：随着谐振的进行，谐振电流逐渐减小，当谐振电流下降到零时，为开关管的零电流关断创造了条件。此时，二极管的反向电压也逐渐降低。

二极管续流阶段

• 二极管导通：当谐振电流过零后，二极管开始正向导通，电感中的能量通过二极管向负载释放，为负载提供电流。此时，谐振电容开始通过负载和二极管放电，电压逐渐下降。
• 能量传输：在这个阶段，能量从电感和电容转移到负载上，实现了降压和能量的传递。负载电流的大小取决于电感电流的峰值、负载电阻以及电路的参数。

下一个周期准备阶段

• 电容放电完毕：随着二极管的持续导通，谐振电容的电压逐渐下降到零，此时电容放电完毕，等待下一次开关管导通时再次充电。
• 电感电流复位：电感电流在二极管导通期间逐渐减小，当电容放电完毕时，电感电流也下降到一个较低的值，但通常不为零。这个剩余的电感电流会在下一次开关管导通时继续上升，开始新的一个周期。

5.2.2 零电压准谐振正激变换器

5.2.3 零电流准谐振半桥变换器

5.3 恒频控制零电压pwm和零电流pwm控制器

5.3.1 降压型零电流pwm变换器

降压型零电流PWM变换器的工作原理如下：

1. 线性阶段（$S_1$、$S_2$导通）：开始时，在谐振电感$L_r$作用下，辅助开关管$S_1$零电流导通。随后，在输入电压$U_{in}$作用下，电感电流$i_{Lr}$线性上升，根据电感电流变化公式$i_{Lr}(t)=\frac{U_{in}}{L_r}t+i_{Lr}(0)$（其中$i_{Lr}(0)$为初始电感电流），当$i_{Lr}=I_O$时，进入下一阶段，此阶段续流二极管$VD$处于导通状态，负载电流$I_O$由输入电源经$S_1$、$L_r$和$VD$提供。

2. 正向谐振阶段（$S_1$、$S_2$导通 - 关断）：当$i_{Lr}=I_O$时，谐振电容$C_r$开始产生电压，续流二极管$VD$在零电流下自然关断。之后，$L_r$与$C_r$开始谐振，设谐振角频率为$\omega =\frac{1}{\sqrt{L_r{C}_r}}$，对于谐振过程，电感电流$i_{Lr}$和电容电压$u_{Cr}$满足谐振电路方程：

   • $L_r\frac{d^2{i}_{Lr}}{d{t}^2}+\frac{1}{C_r}{i}_{Lr}=0$
   • $u_{Cr}=\frac{1}{C_r}\int i_{Lr}dt$
     经过半个谐振周期（$t=\frac{\pi }{\omega }$），$i_{Lr}$再次谐振到$I_O$，电容电压$u_{Cr}$上升到最大值，而电容电流$i_{Cr}$为零，此时辅助开关管$S_2$关断，$u_{Cr}$和$i_{Lr}$将被保持，无法继续谐振。

3. 保持阶段（$S_1$导通、$S_2$关断）：此状态保持时间由PWM电路要求而定，保持期间，$U_{in}$正常向负载以$I_O$供电，电感电流$i_{Lr}$保持为$I_O$，电容电压$u_{Cr}$保持在最大值。

4. 反向谐振阶段（$S_1$导通 - 关断、$S_2$导通）：当需要关断主开关管$S_1$时，控制重新打开辅助开关管$S_2$，此时在$L_r$作用下，$S_2$电流为0。谐振再次开始，当$i_{Lr}$反向谐振到0时，$S_1$可在零电流零电压下完成关断，避免了开关损耗。

5. 恢复阶段（$S_1$关断、$S_2$导通）：$S_1$关断后，$u_{Cr}$在负载电流$I_O$作用下，开始衰减。

6. 续流阶段（$S_1$关断、$S_2$导通 - 关断）：$u_{Cr}$衰减到0后，续流二极管$VD$自然导通开始续流，为负载提供电流。由于$VD$的短路作用，$S_2$可在此后至下一周期到来前以零压零电流方式完成关断。

5.3.2 降压型零电压pwm变换器

1. 电路结构

• 降压型零电压PWM变换器主要由输入电源$U_{in}$、主开关管$S$、续流二极管$D$、输出滤波电感$L$、输出滤波电容$C$和负载$R$组成。同时，为了实现零电压开关，还会有一些辅助元件，如谐振电容$C_r$（与主开关管并联）和可能的辅助电感等。

2. 工作阶段分析
   • 阶段一：主开关管导通阶段（$t_0-t_1$）
     • 当主开关管$S$导通时，输入电压$U_{in}$加在电感$L$上，电感电流$i_L$开始线性上升，其变化率为$\frac{d{i}_L}{dt}=\frac{U_{in}-U_o}{L}$，其中$U_o$为输出电压。此时续流二极管$D$处于反向截止状态，输出滤波电容$C$向负载$R$提供能量，维持输出电压$U_o$。
   • 阶段二：主开关管关断准备阶段（$t_1-t_2$）
     • 在$t_1$时刻，主开关管$S$收到关断信号。此时，由于之前存储在电感$L$中的能量，电感电流$i_L$不能突变。电感$L$和电容$C_r$开始谐振，谐振过程中电容电压$u_{C_r}$（也就是主开关管$S$两端的电压）开始上升，电感电流$i_L$开始下降。根据谐振电路的原理，对于$LC$串联谐振电路，谐振角频率${\omega }_r=\frac{1}{\sqrt{L{C}_r}}$，电容电压$u_{C_r}$和电感电流$i_L$的变化可以用以下公式描述（假设初始条件合适）：
       • $u_{C_r}(t)=U_{C_r}(0)\cos ({\omega }_{r}t)+Z_r{i}_L(0)\sin ({\omega }_{r}t)$，其中$U_{C_r}(0)$是电容$C_r$的初始电压，$i_L(0)$是电感$L$的初始电流，$Z_r=\sqrt{\frac{L}{C_r}}$是谐振阻抗。
       • $i_L(t)=i_L(0)\cos ({\omega }_{r}t)-\frac{U_{C_r}(0)}{Z_r}\sin ({\omega }_{r}t)$
   • 阶段三：零电压开关阶段（$t_2-t_3$）
     • 当电容电压$u_{C_r}$上升到输入电压$U_{in}$时，续流二极管$D$开始导通。此时，主开关管$S$两端的电压被钳位在$U_{in}$，并且由于电容$C_r$的存在，主开关管$S$的电压变化率得到控制，实现了零电压关断。在这个阶段，电感电流$i_L$通过续流二极管$D$继续流动，电感$L$中的能量开始向输出滤波电容$C$和负载$R$转移，电感电流$i_L$线性下降，下降率为$\frac{d{i}_L}{dt}=-\frac{U_o}{L}$。
   • 阶段四：等待阶段（$t_3-t_4$）
     • 主开关管$S$保持关断，电感电流$i_L$继续通过续流二极管$D$向输出滤波电容$C$和负载$R$释放能量，直到下一个开关周期开始。
   • 阶段五：主开关管再次导通阶段（$t_4-t_5$）
     • 在$t_4$时刻，主开关管$S$再次收到导通信号。由于在之前的阶段中，主开关管$S$两端的电压已经被钳位在$U_{in}$，并且电容$C_r$上的电压也为$U_{in}$，当主开关管$S$导通时，电容$C_r$通过主开关管$S$迅速放电，主开关管$S$两端的电压在很短的时间内下降到零，实现了零电压导通。然后，输入电压$U_{in}$再次加在电感$L$上，电感电流$i_L$又开始线性上升，重复上述的工作过程。

5.4恒频控制零转换pwm控制器

在0电流pwm变换器或者是0电压pwm变换器。由于谐振电感串联在主电路中。使得零开关的条件与电源电压和负载变化有关。

• 在轻载的时候有可能变成硬开关，同时谐振电感还会产生较大的磁滞损耗。
• 为了解决这些问题才出现了一类软开关变换器，就是零转换pwm软开关变换器。
• 主要的原理就是通过与主开关的并联，从而解决了由于谐振电感串联引起的问题。

恒频控制零转换PWM控制器是一种先进的电源控制芯片，以下是相关介绍：

工作原理

• 零转换实现：在开关管导通或关断时刻，利用谐振电路使开关管两端电压或流过开关管的电流在自然过零时完成转换。例如在零电压转换中，通过在开关管两端并联电容和辅助电感等组成的谐振电路，在开关管导通前，使电容电压放电至零，实现零电压导通，降低开关损耗。
• 恒频控制原理：采用固定的开关频率，通过调节脉冲宽度（占空比）来控制输出电压或电流。内部的振荡器产生稳定的高频时钟信号，作为PWM信号的基准频率，根据反馈信号与设定值的比较结果，调整PWM信号的占空比，使输出稳定。

性能特点

• 高效率：零转换技术大大降低了开关过程中的损耗，特别是在高频工作时，减少了开关管的发热，提高了电源转换效率。
• 低电磁干扰：开关过程中电压和电流的变化率小，减少了电磁干扰的产生，有利于提高系统的电磁兼容性，降低对其他电子设备的干扰。
• 稳定输出：恒频控制方式使得输出电压或电流的纹波较小，能够提供更稳定的电源输出，满足对电源稳定性要求较高的应用需求。
• 快速响应：对负载变化和输入电压波动具有较快的响应速度，能够及时调整输出，保持稳定。

应用领域

• 开关电源：用于各种电子设备的开关电源中，如计算机电源、手机充电器等，可提高电源效率，减小电源体积和重量。
• 电机驱动：控制电机的驱动电路，实现对电机的精确调速和高效驱动，降低电机驱动过程中的能量损耗和电磁干扰。
• 新能源发电：在太阳能、风能等新能源发电系统中，用于DC-DC变换器和逆变器等电路，实现电能的高效转换和稳定输出，提高新能源发电系统的整体性能和可靠性。

典型芯片

• UC3875：是一款常用的恒频控制零电压转换PWM控制器。它采用双端反激式或正激式拓扑结构，工作频率可达500kHz，具有多种保护功能，如过流保护、过压保护、欠压保护等，适用于中小功率开关电源。
• IR2153：采用半桥拓扑结构，可驱动N沟道MOSFET或IGBT，工作频率范围为10kHz-100kHz，具有内部死区时间控制和过流保护功能，常用于荧光灯镇流器、电机驱动等领域。

5.4.1零电流转换pwm变换器

图只是辅助理解，跟下边的描述对不上哦。

零电流转换PWM变换器的详细工作原理如下，以Boost型零电流转换PWM变换器为例：

1. 电路构成：主要由输入直流电源$U_i$、主开关管$V_1$、升压二极管$D_1$、升压电感$L_f$、滤波电容$C_f$组成基本Boost转换器电路。此外，还有与主开关管相关的反并联二极管$D_{v1}$，以及由辅助开关管$V_a$、辅助二极管$D_a$、辅助电感$L_a$和辅助电容$C_a$构成的辅助电路，$D_{va}$是$V_a$的体内二极管。

2. 工作模式

   • 模式1：主开关管$V_1$导通，输入电源$U_i$通过$V_1$向升压电感$L_f$充电，电感电流$i_{Lf}$线性上升，负载由滤波电容$C_f$供电。此时辅助电路不工作，辅助开关管$V_a$关断，辅助电容$C_a$上电压为零。电感电流上升的表达式为：$\frac{d{i}_{Lf}}{dt}=\frac{U_i}{L_f}$，其中$\frac{d{i}_{Lf}}{dt}$表示电感电流$i_{Lf}$的变化率。
   • 模式2：主开关管$V_1$保持导通，辅助开关管$V_a$导通。由于辅助电感$L_a$的存在，辅助电路开始工作，辅助电容$C_a$通过$V_a$和$L_a$开始充电，电容电压$u_{Ca}$上升，而主开关管电流$i_{V1}$开始下降。
   • 模式3：当主开关管电流$i_{V1}$下降到零后，主开关管$V_1$的反并联二极管$D_{v1}$自然导通，此时电感$L_f$的能量通过$D_{v1}$和辅助电路中的$D_a$向负载和辅助电容$C_a$传输，辅助电容$C_a$继续充电，电压$u_{Ca}$进一步上升。
   • 模式4：辅助电容$C_a$充电到一定电压后，辅助开关管$V_a$关断。由于辅助电感$L_a$的作用，辅助电容$C_a$开始通过$L_a$和主开关管$V_1$的反并联二极管$D_{v1}$放电，电容电压$u_{Ca}$开始下降，同时在辅助电感$L_a$上产生反向电压，使得主开关管$V_1$两端电压为零，为下一次主开关管$V_1$的零电流导通创造条件。辅助电容放电过程中，其电压变化可以用公式$u_{Ca}(t)=U_{Ca0}-\frac{1}{C_a}{\int }_0^t{i}_{Ca}dt$来描述，其中$u_{Ca}(t)$是$t$时刻辅助电容$C_a$的电压，$U_{Ca0}$是辅助电容$C_a$的初始电压，$i_{Ca}$是辅助电容$C_a$的放电电流。
   • 模式5：辅助电容$C_a$放电结束，电容电压$u_{Ca}$下降到零。此时主开关管$V_1$两端电压仍为零，若此时控制信号使主开关管$V_1$导通，则主开关管$V_1$在零电流条件下导通，电路进入下一个工作周期的模式1，开始新的循环。
   • 模式6：若在模式5中主开关管$V_1$不导通，而负载电流较大，滤波电容$C_f$放电较快，使得升压电感$L_f$中的电流不能维持负载电流时，升压二极管$D_1$导通，输入电源$U_i$和升压电感$L_f$一起向负载供电，直到下一个控制周期主开关管$V_1$导通进入模式1。

5.4.2 零电压转换PWM变换器

零电压转换 PWM 变换器（Zero-Voltage-Transition PWM Converter）是一种软开关变换器，它通过在开关管两端并联电容或其他谐振元件，使得开关管在开通和关断时，其两端的电压可以在零电压附近切换，从而降低开关损耗和电磁干扰，提高变换器的效率和可靠性。

零电压转换 PWM 变换器通常由主电路、控制电路和驱动电路组成。主电路包括输入电源、开关管、谐振元件、输出滤波器等部分；控制电路用于产生开关管的驱动信号，控制变换器的输出电压和电流；驱动电路用于放大控制电路产生的驱动信号，驱动开关管的导通和关断。

根据不同的应用场合和要求，零电压转换 PWM 变换器可以采用不同的拓扑结构和控制策略。常见的拓扑结构包括 Buck 变换器、Boost 变换器、Buck-Boost 变换器等；常见的控制策略包括移相控制、频率控制、脉冲宽度调制等。

以升压型零电压转换PWM变换器为例，其详细工作原理如下：

1. $t_0～t_1$时段：辅助开关$S_1$导通，此时二极管$VD$尚处于通态，电感$L_r$两端电压为输出电压$U_o$，电感电流$i_{Lr}$线性增长，即$i_{Lr}=i_{Lr0}+\frac{U_o}{L_r}t$，其中$i_{Lr0}$为电感电流的初始值，$VD$中的电流以同样的速率下降。当$t_1$时刻到来时，$i_{Lr}=I_L$，$VD$中电流下降到零，$VD$自然关断。

2. $t_1～t_2$时段：从$t_1$时刻开始，$L_r$与$C_r$构成串联谐振回路，根据串联谐振电路的特性，电感电流和电容电压按照正弦规律变化。电感电流$i_{Lr}$继续增加，电容$C_r$的电压$u_{Cr}$下降，表达式为$u_{Cr}=U_{Cmax}\cos (\omega t+\phi )$，$i_{Lr}=I_{Lmax}\sin (\omega t+\phi )$，其中$\omega =\frac{1}{\sqrt{L_r{C}_r}}$是谐振角频率，$U_{Cmax}$、$I_{Lmax}$分别是电容电压和电感电流的最大值，$\phi$是初相位。到$t_2$时刻，$u_{Cr}$下降到零，主开关$S$的反并联二极管$VDS$导通，$u_{Cr}$被箝位于零，而电流$i_{Lr}$保持不变。

3. $t_2～t_3$时段：$u_{Cr}$被箝位于零，电流$i_{Lr}$保持不变，这种状态一直持续到$t_3$时刻。

4. $t_3～t_4$时段：$t_3$时刻主开关$S$开通，由于其两端电压为零，所以没有开关损耗。$S$开通的同时辅助开关$S_1$关断，$L_r$中的能量通过二极管$V{D}_1$向负载侧输送，电感电流$i_{Lr}$线性下降，主开关$S$中的电流$i_S$线性上升。到$t_4$时刻$i_{Lr}=0$，$V{D}_1$关断，主开关$S$中的电流$i_S=I_L$，电路进入正常导通状态，此时输入电源向电感$L_r$充电，电感电流线性上升。

5. $t_4～t_5$时段：$t_5$时刻主开关$S$关断，电容$C_r$限制了$S$电压的上升率，根据电容电压变化率与电流的关系$i=C\frac{du}{dt}$，可知电容$C_r$越大，电压上升率越小，从而降低了$S$的关断损耗。

5.6 全软开关pwm变换器

全软开关PWM变换器原理主要涉及以下几个方面：

• PWM控制基本原理：通过调制器根据反馈信号与设定值的差值产生PWM信号，该信号的占空比与差值成比例。PWM信号控制开关器件的导通和关断，当PWM信号为高电平时，开关器件导通；为低电平时，开关器件关断，从而实现对负载的控制，即使在负载变化时也能保持输出电压的稳定。
• 软开关技术原理：其核心是利用电感和电容的谐振特性，使开关器件在电流或电压自然过零时进行导通或关断，避免硬开关过程中的电流、电压突变，减少开关损耗。主要有零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS）两种方式。
• 结合方式：在PWM控制的基础上，通过在电路中增加小电感、电容等谐振元件，引入软开关技术。在开关转换过程中，让电路进入谐振状态，实现开关器件的软开关条件，开关转换结束后又恢复到常规的PWM工作方式。
• 控制策略：常见的有电流模式控制、电压模式控制等。电流模式控制可以实现快速的电流响应和较好的限流保护，电压模式控制则能更精确地控制输出电压。
• 保护机制：通常具备过流、过压、欠压等保护功能。当电路中出现过流情况时，保护电路会及时动作，关断开关器件，防止器件因过流而损坏；当输出电压过高或过低时，也会采取相应的措施，确保系统的安全稳定运行。

所谓全软开关pwm变换器就是主开关辅助开关均以软开关方式工作。

5.6.1双管降压型全软开关pwm变换器

双管降压型全软开关PWM变换器是一种高效、低损耗的DC-DC变换器，以下是其相关介绍：

电路拓扑结构

• 主要由两个开关管、两个续流二极管、一个储能电感、一个输出电容以及负载组成。
• 两个开关管通常采用交错并联的方式连接，即一个开关管导通时，另一个开关管截止，反之亦然。续流二极管分别与开关管反并联，用于在开关管截止时为电感电流提供续流路径。
• 储能电感用于储存和释放能量，输出电容用于平滑输出电压，为负载提供稳定的直流电压。

工作原理

• 开关管导通阶段：当其中一个开关管导通时，输入电压通过导通的开关管加到储能电感上，电感电流线性上升，同时输出电容向负载供电。在这个过程中，由于采用了软开关技术，开关管是在零电压或零电流的条件下导通的，大大降低了开关损耗。
• 开关管截止阶段：当开关管截止时，电感中的电流不能突变，会通过与之反并联的续流二极管继续流通，电感电流逐渐下降，同时电感释放能量，与输入电源一起为输出电容充电并维持负载的供电。在开关管截止过程中，同样实现了软开关，减小了开关损耗和电磁干扰。

软开关实现方式

• 零电压开关（ZVS）实现：通常在开关管的两端并联一个小电容，在开关管导通前，通过控制电路使该电容上的电压逐渐放电至零，这样当开关管导通时，其两端电压为零，实现了零电压导通。
• 零电流开关（ZCS）实现：在电路中加入一个辅助电感，在开关管关断时，利用辅助电感的作用使流过开关管的电流先下降到零，然后再关断开关管，实现零电流关断。

控制策略

• PWM控制：通过调节开关管的导通时间占整个开关周期的比例（占空比）来控制输出电压的大小。当负载变化或输入电压波动时，PWM控制器会实时监测输出电压或电流，并通过调整占空比来保持输出电压的稳定。
• 其他控制策略：还可以结合其他先进的控制策略，如电流模式控制、滞环控制等，以进一步提高变换器的性能。电流模式控制可以实现快速的电流响应和较好的限流保护，滞环控制则具有响应速度快、控制简单等优点。

性能特点

• 高效率：软开关技术的应用大大降低了开关损耗，尤其是在高频工作时，效率提升更为明显，可有效降低变换器的发热问题，提高能源利用率。
• 低电磁干扰：开关过程中电压和电流的变化率小，大大减少了电磁干扰的产生，有利于提高系统的电磁兼容性，减少对其他电子设备的干扰。
• 高开关频率：由于开关损耗小，允许变换器工作在较高的开关频率下，有利于减小储能元件（电感和电容）的体积和重量，实现变换器的小型化和轻量化。

6 控制电路

6.1 电压型脉宽控制器

6.1.2电压型脉宽调制控制器TL494

以下是电压型脉宽调制控制器TL494的基本参数：

• 工作电压范围：一般为7V- 40V，部分型号为2V~6V.
• 工作电流：200mA.
• 基准电压：5V±5%.
• PWM频率范围：通常在1kHz~300kHz之间，部分可达200kHz.
• 占空比范围：每端占空比上限最高为45%左右，工作频率高于150kHz时占空比上限约为42%.
• 死区时间控制：死区时间比较器可提供大约5%的死区时间.
• 工作温度范围：一般为-40℃_{85℃，部分为0℃}70℃.
• 输出电流：非限定输出晶体管可提供200mA的灌电流或拉电流.
• 驱动能力：内置功率晶体管可提供500mA的驱动能力.
• 封装形式：常见的有DIP-16、SO-16等.

6.2 电流型脉宽控制器

常见的电流型脉宽控制器如下：

UC3842系列

• UC3842：单端输出式脉宽调制器，采用固定工作频率脉冲宽度可控调制方式，能直接驱动双极型的功率管或场效应管，适用于无工频变压器的20W-80W的小功率开关电源设计。
• UC3844：双端输出，工作电压范围为8V-30V，振荡频率在100kHz-500kHz，具有双输出配置，可传递PWM信号，连接外部功率器件。

SG3525

• 是美国通用半导体公司推出的性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片，主要用于驱动N沟道功率MOSFET管。工作电压范围为8V-35V，芯片内振荡器工作频率为100Hz-400kHz，具有振荡器外部同步功能，死区时间可调。

GR1234

• GR1234 series是一款电流模式脉宽调制控制器，待机操作时转为节能模式达到低功耗，进而实现高转换效率。拥有极低启动电流，具有过电流保护、过压保护、短路保护和输出二极管短路保护，在IC内部过温保护能为芯片提供充分的保护。

BTP3844D

• 国产基本半导体产品，可应用于反激电源和BOOST变换器等设计。内部集成自动负反馈补偿电路、过流保护功能、欠压锁定功能、用于电流控制的脉宽调制比较器、轨到轨设计的输出极。

KA3842

• 专为脱线和DC-DC开关电源应用设计的恒频电流型PWM控制器。内部包含温度补偿精密基准、供精密占空比调节用的可调振荡器、高增益误差放大器等，具有起动电流小、自动前馈补偿、具有徊滞特性的欠压锁定、最大占空比箝制等特点。

6.3 变频控制转开关控制器

以下是一些常见的变频控制转开关控制器型号及特点：

DFQ-25型

• 特点：自动信号输入回路采用高精度隔离器，输入输出信号无电连接；设有手动、自动切换开关，自动时接受外部调节信号并隔离输出，手动时可操作主令电位器或开关输出调节信号；设有双针指示表或双光柱表头，可指示自动信号和阀位信号；可实现自动跟踪和无扰动切换；有自动时断开、手动时闭合的开关量输出；体积小、重量轻、耗电少、线路简单、调整维护方便。
• 应用：用于远方操作调频电机、气动机构和带伺服的电动执行器，可与调节器或工业控制计算机配套。

YJV81系列

• 特点：采用新32位DSP作为主控CPU，处理速度快、精度高；控制软件采用优化空间矢量VF控制方式；具有节能功能，可调整输出电压使马达负载电流最小；具有输入缺相及输出短路保护功能；有标准MODBUS协议；具备自动电压调整功能；内置PID调节，可实现闭环控制；可分离/组合式操作面板设计，方便本地/远程控制；宽电压设计，适应中国电网状况；顺序式软件菜单设计，编辑、查找更直观高效；低速额转矩输出，运行稳定；可调载波频率，静音运行。
• 应用：适用于0.75-4KW（单/三相220V）、0.75-400KW（三相380V）功率范围的多种工业及民用设备。

BK-3000

• 特点：采用全新微电脑控制技术；参数丰富，近60项功能参数可满足各种复杂要求；功能强大，有定时换泵、定时开关机等功能；配置灵活，循环方式2-4台泵+1台附属小泵，固定方式1台变频泵+1-8台定量泵；使用方便，面板表卡式安装，防尘、防水工业面板，CE标准设计，简化键盘菜单式设定和调整工作状态，调试简单，采用智能PID算法，PID参数自整定，高精度，高可靠性；可靠性高，元器件采用SMT工艺焊接，硬件上采用WATCHDOG电路，软件上引入容错概念和去干扰等算法。
• 应用：主要用于生活、消防或两者共用供水系统。

变频器远程控制器

• 特点：可通过RS485网络远程控制变频器的启动、停止、加速、减速、正反转，并实时显示变频器的工作频率、转速等运行状态信息；单机通讯距离可达1200M（9600bps），有效减少变频器的干扰；可接外置操作按钮，有手动/自动切换及监听等功能，可接入计算机控制系统。
• 应用：适用于电机与操作室距离较远的变频器应用现场。

24伏直流变频智能道闸控制器

• 特点：采用直流电源供电并通过变频控制电动机运行；具有智能化功能，可实现道闸的自动开关、计时控制、车辆识别等操作；支持按钮控制、遥控器控制和计时控制等多种控制方式；具备过载保护、短路保护等安全保护功能；可通过网络远程监控和控制道闸的运行状态。
• 应用：主要应用于道闸控制领域。