【ICer必备 1】集成电路发展及其设计制造流程

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【ICer必备 2 】集成电路发展及其设计制造流程

------------------------------------------------文末附往期文章链接--------------------------------------

一、表征集成电路发展水平指标——集成电路规模

小规模集成电路(SSI ,Small Scale Integration): 电路元件 $10^{1}\sim 10^{2}$
中规模集成电路( MSI ,Middle Scale Integration): 电路元件 $10^{2}\sim 10^{3}$
大规模集成电路( LSI ,Large Scale Integration): 电路元件 $10^{3}\sim 10^{5}$
超大规模集成电路(VLSL,Very Large Scale Integration): 电路元件 $10^{6}\sim 10^{7}$
特大规模集成电路(ULSI ,Ultra Large Scale Integration): 电路元件 $10^{7}\sim 10^{9}$
巨大规模集成电路(GSL,Grand Scale Integration): 电路元件 $10^{9}$

二、集成电路制造流程

1.流程框图
在这里插入图片描述

集成电路设计：根据客户需求设计出相应的电路，使电路具有特定功能并满足相关规格条件，最终将设计的电路转化成版图的形式。
集成电路设计包括电路设计和版图设计。
版图最终生成GDS II文件。

掩模版制备：根据设计好的版图数据，制成每步光刻所需要用到的光刻掩模版，用以芯片制造。
最终生成掩模版。

二、集成电路设计的一般流程

在这里插入图片描述
前仿真：设计前端中的电路仿真。
数字电路主要是对时序和状态的仿真；
模拟电路则是对一些相关的模拟量仿真，如瞬态、直流、交流的相关模拟量指标仿真。
集成电路版图设计：将电路翻译成可制造的图形。
集成电路版图验证：主要包括设计规则检查（DRC）和电路版图对比验证（LVS）。

三、集成电路的层次化设计

在这里插入图片描述

四、集成电路的分类

（一）按主要器件分类

双极型集成电路：主要由BJT器件构成。优点：速度高、驱动能力强；缺点：功耗大、集成度低；
MOS集成电路：主要由MOSFET器件构成，包括PMOS集成电路和NMOS集成电路。特点功耗低，便于集成。
BiMOS:由以上两种器件混合构成，兼具二者优点，但制造工艺复杂，成本较高。

（二）按电路类型分类

数字集成电路（Digital）：该电路又称逻辑电路（Logical）,主要由CMOS构成，一般规模较大。
模拟集成电路（Analog）：该电路又称线性电路（Linear）,产品以双极性为主，CMOS是目前研究方向。
数模混合电路（Mixed）:产品以Bi-MOS居多，目前CMOS是主要研究方向。

（三）按设计方法分类

正向设计（Top-Down）:正向设计一般先根据客户的要求，由设计者设计出电路并实现制造，再对实物进行测试优化，实现设计目标。（系统设计->子模块设计->若干子模块又分为若干下级子模块）
反向设计（Bottom-Up）：先对实物芯片进行解剖，提取出相应版图，再通过软件对提取的版图进行验证，从而进行相应的优化和改善。

（四）按自动化程度分类

全定制版图设计：IC按照规定的功能、性能要求，对电路中器件、结构布局、布线均进行专门的最优化设计，以达到芯片的最大利用率。
特点：人工完成版图布局布线；针对电路参数和寄生参数会进行专门的优化；版图结构紧凑，芯片面积小；常用于模拟版图（规模小）。
半定制版图设计：版定制IC由厂家提供统一规格的功能块，如门阵列、标准单元、可编程逻辑器件（PGA，Programmable Gate Array）等，按用户要求利用专门的设计软件进行必要连接。
特点：部分或全部由计算机辅助完成版图布局布线；版图结构相对稀松，芯片面积占用较大；对设计人员的编程能力有一定的要求；常用于大规模数字集成电路；单元采用标准化设计；