内存芯片发展史

作者：鲜枣课堂 小枣君

1958 年 9 月 12 日，来自德州仪器公司的杰克・基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，制作了世界上第一块锗集成电路。

次年 7 月，美国仙童半导体公司的罗伯特・诺伊斯（Robert Norton Noyce），基于硅平面工艺，成功发明了世界上第一块硅集成电路。

杰克・基尔比（左），罗伯特・诺伊斯（右）

正如大家现在所知，这两位大佬的发明，拥有极为重要的意义。集成电路的出现，有力推动了电子器件的微型化，也为芯片时代的全面到来奠定了基础。

DRAM 的诞生

进入 1960 年代后，随着计算机技术的发展，电子行业开始了将集成电路技术用于计算机存储领域的尝试。

当时，半导体存储技术被分为 ROM 和 RAM 两个方向。ROM 是只读存储器，存储数据不会因为断电而丢失，也称外存。而 RAM 是随机存取存储器，用于存储运算数据，断电后，数据会丢失，也称内存。

今天，我们重点说说 RAM 这个领域。

1966 年，来自 IBM Thomas J. Watson 研究中心的罗伯特・丹纳德（Robert H. Dennard），率先发明了DRAM 存储器（动态随机存取存储器）。

罗伯特・丹纳德

这种存储器基于 “MOS 型晶体管 + 电容结构”，具有能耗低、读写速度快且集成度高的特点。直到现在，我们的计算机内存、手机内存、显卡内存等，都是基于 DRAM 技术。

1968 年 6 月，IBM 注册了晶体管 DRAM的专利。但是，正当他们准备进行 DRAM 产业化的时候，美国司法部启动了对他们的反垄断调查。

这些调查拖延了 IBM 的 DRAM 产业化进度，从而给其它公司带来了机会。

不久后，1969 年，美国加州的 Advanced Memory System（先进内存系统）公司捷足先登，成功生产出了世界上第一款 DRAM 芯片（容量仅有 1KB），并将其销售给计算机厂商霍尼韦尔公司（Honeywell）。

霍尼韦尔公司收到这批 DRAM 芯片后，发现工艺上存在一些问题。于是，他们找到了一家新成立的公司，请求帮助。

这家公司，就是 1968 年罗伯特・诺伊斯（前文提到的硅集成电路发明人）和戈登・摩尔（摩尔定律的提出者）等人共同创办的英特尔 （Intel）。

罗伯特・诺伊斯（左）和戈登・摩尔（右）

英特尔公司成立后，主要业务就是研制晶体管半导体存储器芯片。

当时，半导体工艺主要有两个研究方向，分别是双极型晶体管和场效应（MOS）晶体管。英特尔自己也不知道哪个方向正确，于是，成立了两个研究小组，分别跟进两个技术方向。

1969 年 4 月，双极型小组率先有了突破，推出了 64bit 容量的静态随机存储器（SRAM）芯片 ——C3101。这个芯片是英特尔的第一款产品，主要客户就是霍尼韦尔。

Intel C3101

场效应管小组也不甘落后，1969 年 7 月，他们推出了 256bit 容量的静态随机存储器芯片 ——C1101。这是世界第一个大容量 SRAM 存储器。

1970 年 10 月，场效应管小组再接再励，成功推出了自己的第一款 DRAM 芯片（也被认为是世界上第一款成熟商用的 DRAM 芯片）——C1103。

Intel C1103，有 18 个针脚，容量 1Kbit，售价 10 美元。

C1103 推出后，获得极大成功，很快成为全球最畅销的半导体内存，服务于 HP、DEC 等重要客户。

在 C1103 的帮助下，英特尔也迅速发展壮大。1972 年，英特尔的员工人数超过 1000 人，年收入超过 2300 万美元。1974 年，英特尔 DRAM 产品的全球市场份额达到惊人的 82.9%。

英特尔的早期团队

就在英特尔在 DRAM 领域赚得盆满钵满的同时，它的竞争对手也在迅速崛起。

1973 年，美国德州仪器（TI）、莫斯泰克（Mostek）等厂商先后进入 DRAM 市场。

德州仪器在英特尔推出 C1103 之后，就进行了拆解仿制，通过逆向工程，研究 DRAM 的架构和工艺。后来，1971 年和 1973 年，他们先后推出了 2K 和 4K DRAM&#