数字电子技术基础（十六）——CMOS反相器以及CMOS反相器的电路结构和工作原理

目录

1 单开关电路和双开关电路

2 CMOS反相器

2.1 CMOS反相器的电路结构

2.2 输入和输出的电压工作曲线

2.3 电压和电流的传输特性

2.4 输入噪声容限

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1 单开关电路和双开关电路

如下所示为单开关电路的示意图： 

图1 单开关电路图

对于单开关电路来说，主要的缺点就是功耗比较大，针对这个缺点，设计出了双开关电路，双开关电路可以更好地适应不同负载的需求，合理分配效率，从而提高整体的效率。

双开关电路不仅仅功耗低，而且可以实现多点控制，即在不同的位置通过两个开关来控制同一个电器设备，提高了控制灵活性。同时使用双开关可以节约成本和空间，双开关电路可以节省电路板空间，如下所示为双开关电路：

图2 双开关电路图

CMOS管通常使用的是双开关电路。在CMOS双开关电路中，通常会将NMOS和PMOS管并联使用。由于NMOS和PMOS的导通电阻特性不同，通过合理设计，可以使两个管子的导通电阻并联，从而显著降低整体导通电阻。同时CMOS管本身具有高开关速度和低功耗的特点，双开关电路进一步优化了这些特性。

2 CMOS反相器

2.1 CMOS反相器的电路结构

CMOS管是由PMOS管和NMOS管构成的互补性电路结构，两个异性管栅极连接到一起为输入端子，漏极连在一起，作为输出端子，PMOS的漏极连接电源正极端，NMOS管源极接地，示意图如下所示：

图3 CMOS管反相器的符号示意图

简化结果如下所示：

图4 CMOS的符号简化图

为了保持这个电路可以正常工作，要求供电电源的源电压应该大于两个MOS管的开启点位，即。在上图中NMOS是CMOS管中的驱动管，而PMOS是负载管，即NMOS管的有源负载。

当电路中输入高电平，PMOS管的栅源之间压差之间没有导电沟道产生，PMOS处于截止状态，漏极和源极之间导电沟道是断开的，等效的阻值非常大，可以达到上百兆欧。高电平输入使得栅源之间的压差大于NMOS管的开启电压，因而由导电沟道产生，导通的沟道对外呈现低阻值，此时一端高一端低，两个不同的沟道对于供电电源进行分压，电路输出为低电平0V。

当电路中输入为高电平时，此时PMOS管处于断开状态，而NMOS管处于导通状态，如下图所示：

图5 高点平时CMOS管的开关示意图

电路输入低电平时，PMOS管的栅源之间，是一个负向的栅源电压，因此产生了P型导电沟道，PMOS管导通，NMOS管栅元电压为0V，处于截止状态，电路输入为高电平，约等于源电压值。

当电路中输入为低电平时，此时PMOS管处于导通状态，而PMOS管处于断开状态，如下图所示：