MOS管的导通过程与MOS的防浪涌设计

• 探究米勒平台

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  • 管子型号为2SK3141

  • 信号源10V/100HZ矩形波，当信号源是10V时，Vgs电压波形竟然是滞后于信号源，缓慢爬升的， 这是由于Cgs电容的存在。

  • 观察Vds波形，电压缓慢下降，即管子缓慢导通

    

  • 特别地，Vgs电压在爬升过程中，停止了一段时间（米勒平台），继续爬升。为什么？

  • 管子未导通时，Vcc通过D极给Cgd充电，加上信号源给Cgs充电过程中，Vgs电压爬升，爬到门限电压时管子开始导通，此时相当于Cgs与Cgd并联

  • 在MOS管开启之前，D极电压是大于G极电压的，随着输入电压的增大，Vgs在增大，Cgd存储的电荷同时需要和输入电压进行中和，因为MOS管完全导通时，G极电压是大于D极电压的。所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化则很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。

    

  • 米勒平台的危害

    • 导致MOS管工作在不完全导通状态，此时Rds不够小，功耗近40W,就会发热很容易烧毁

  • 提问， VCC-Cgd-Cgs-GND也形成了通路，Vgs也会分得电压，加上信号源后，为什么是从0开始上升的？

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• 何为浪涌电流？

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• 电路初始状态，C2电容相当于短路，管子导通，D~S电流趋近无穷大，这就是浪涌，容易损坏管子

• 如何解决？

  • 软启动，缓慢开通mos管，使Rds电阻慢慢减小

  • 具体做法，关闭S1，接入C1，Vg缓慢下降，管子缓慢导通，浪涌电流减小，降低EMI

  • 思考：电容的ESR,EMI?软起动只适合直流电路吧，交流电路要求快速开关