模电学习经验（电子线路-冯军版）第三章 场效应管

场效应管（Field Effect Transistor FET）是一种具有正向受控作用的半导体器件。有结型 Junction FET和金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor FET）两种类型.本章主要讲解MOSFET

3.1 MOS场效应管

结构 

MOS管有增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS），每一类又有P沟道和N沟道，主要讲解N沟道增强型MOS管（N沟道电子迁移率远强于P沟道）

各种符号图如下：

增强型N沟道MOS管结构图如下：P型硅片作衬底，期间扩散两个高掺杂的N+区，分别为S源区和D漏区，各自与P区衬底形成PN+结；衬底表面生长着一层薄层二氧化硅绝缘层，其上引出的电极叫做G栅极。

工作原理（以EMOS为例）

Vg栅极电压大小决定沟道中载流子的数目，即能控制导电能力；要确保载流子在导电沟道中运行，PN结必须反偏（确保载流子不在PN结中运动，而只在沟道中运动），在N沟道中 衬底接最低电位。

 

 MOS管如上有三种工作状态：截止区、饱和区、非饱和区；书上的公式要理解记忆，弄清这些该公式是怎么推出来的。

两种二级效应

 沟道长度调制效应：随着Vds的增大，夹断点左移，沟道电阻减小，漏电流略增 引起输出曲线上翘的现象。

衬底效应：当某些MOS管的源极不能处在电流的最低电位时，源极和衬底极不能相连，期间就会有电压Vbs，Vbs会影响漏电流的大小，但影响很微弱。

漏电流计算公式

小信号等效电路（一定熟记）

 MOS管应用

1.有源电阻：G与S或D相连，产生相应小信号等效输出电阻，自行画出小信号等效电路图分析即可

2.MOS开关：用Vg栅极电压来控制开关的导通

3.逻辑门电路：N沟道串联 实现多个信号的与功能，N沟道并联实现多个信号的或功能；P沟道与N沟道是对偶的，P沟道并联实现与功能；自行画图分析.