场效应管(Field Effect Transistor FET)是一种具有正向受控作用的半导体器件。有结型 Junction FET和金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor FET)两种类型.本章主要讲解MOSFET
3.1 MOS场效应管
结构
MOS管有增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS),每一类又有P沟道和N沟道,主要讲解N沟道增强型MOS管(N沟道电子迁移率远强于P沟道)
各种符号图如下:
增强型N沟道MOS管结构图如下:P型硅片作衬底,期间扩散两个高掺杂的N+区,分别为S源区和D漏区,各自与P区衬底形成PN+结;衬底表面生长着一层薄层二氧化硅绝缘层,其上引出的电极叫做G栅极。
工作原理(以EMOS为例)
Vg栅极电压大小决定沟道中载流子的数目,即能控制导电能力;要确保载流子在导电沟道中运行,PN结必须反偏(确保载流子不在PN结中运动,而只在沟道中运动),在N沟道中 衬底接最低电位。
MOS管如上有三种工作状态:截止区、饱和区、非饱和区;书上的公式要理解记忆,弄清这些该公式是怎么推出来的。
两种二级效应
沟道长度调制效应:随着Vds的增大,夹断点左移,沟道电阻减小,漏电流略增 引起输出曲线上翘的现象。
衬底效应:当某些MOS管的源极不能处在电流的最低电位时,源极和衬底极不能相连,期间就会有电压Vbs,Vbs会影响漏电流的大小,但影响很微弱。
漏电流计算公式
小信号等效电路(一定熟记)
MOS管应用
1.有源电阻:G与S或D相连,产生相应小信号等效输出电阻,自行画出小信号等效电路图分析即可
2.MOS开关:用Vg栅极电压来控制开关的导通
3.逻辑门电路:N沟道串联 实现多个信号的与功能,N沟道并联实现多个信号的或功能;P沟道与N沟道是对偶的,P沟道并联实现与功能;自行画图分析.