cadence IC617仿真记录 MOS晶体管电容

绘制电路图如下：

设置ADE L 窗口如下

其中dc分析只用保留直流工作点

设置参数扫描

设置Vgs从-3V到+3V

（个人存在一个疑问：是不是每次仿真前都要进行current cellview 的check，不然仿真不了？？）

然后点击start simulation或者绿色按钮。

之后返回仿真界面，选Output->Setup

点击open

在弹出的界面选择op，意义为oprating parameters

在电路图界面选择nmos管，在list下拉界面选择cgs

这个时候在Calculator窗口中就出现了Cgs的表达式，这个时候注意要在此表达式前加一个负号

注意是选择±号

同理选择cgd，添加负号

之后点击+号，使得已经添加的两个待测量进行叠加

+号表示待测量相加

用同样的方法加上Cgb电容，最终表达式如下：

最后点击tools ,然后点击plot按钮，仿真图如下

从而得到MOS管电容随栅压变化曲线。