模拟CMOS集成电路学习笔记:单级放大器(3)总结

        书接上回,讲完了源极跟随器后,接下来就是最后的共栅级放大电路以及cascade电路(折叠共源共栅电路)。我发现我的节奏有一点拖沓了,所以今天这篇博客就将单级放大器彻底的完结吧。话不多说,我们进入正题。

四、共栅级放大电路

        共栅级放大电路是指在源端输入,漏端输出的电路拓扑。同时栅极接直流信号以建立合适的偏置条件。共栅级的输入方式主要有两种:(1)直接耦合的共栅级;(2)电容耦合的共栅级。如图4.1所示。

 图4.1 共栅级放大电路   (a)直接耦合   (b)电容耦合

        老规矩,我们先来通过分析输入输出特性曲线以及电路工作状态。当Vin>Vb-VTH时,M1 off,Vout=VDD;当Vin逐渐减小,M1开始导通,导通后M1即工作在饱和区;随着Vin继续减小,当Vout=Vb-VTH时,M1进入线性区。其输入输出特性曲线如图4.2所示。

图4.2 共栅级放大电路的输入输出电压特性曲线

        我们再来关注一下M1位于饱和区时的增益表达式。这里先进行大信号分析,由饱和区的漏极电流公式以及增益的定义可得增益表达式如下:

         注意,这里是没有考虑体效应以及沟道长度调制效应的结果,我们在下面小信号的分析再考虑进来。如图4.3所示为共栅级电路的小信号模型:

图4.3 共栅级放大电路的小信号模型

        得到这个复杂的表达式后,有的同学表示一脸的懵逼。别急,我们来慢慢拆分。用大信号分析得到的表达式是不是很眼熟?没错,就是共源极的增益。如果共源极考虑了体效应和沟道长度调制效应后其增益应该是:

         我们忽略沟道长度调制效应,即ro无穷大。则此时表达式变为:

        我们看到,在体效应的影响下,共栅级放大电路的等效跨导相当于增加了。这意味着共栅级电路拥有着比共源极放大电路更大的增益。 

接下来我们再关心电路的输入输出阻抗。与前面的电流不同,共栅级电路在源端输入,输入电阻不再是无穷大。我们在源端加入输入电压源计算输入电阻,如图4.4所示:

图4.4 计算输入电阻的小信号等效电路

根据基尔霍夫定律有:

输出电阻:在计算输出电阻时,将Vin和偏置电压接地,则源端电压和栅端电压均为0,最终:

         我们接下来在来看看电路的输入电压摆幅。从图4.2我们已经分析出,为使M1工作在饱和区,Vout的范围应该是[Vb-VTH,VDD],这也是输出电压的摆幅。

        完成了基本的三步曲分析后,我们再来看看共栅级电路的其他特性。在前面的共源极以及源极跟随器,输入信号均是电压信号。而在共栅级放大电路中,由于在源端输入,因此也可以用电流信号作为输入信号,如图4.5所示。

图4.5 输入信号是电流信号的共栅级放大电路

        相关的分析和前面的一致,无非就是由电压源换成了带内阻的电流源。这里就不再赘述。

五、共源共栅级

         在上一节我们看到,共栅级可以是电流输入,而前面学习的共源极电路又是一个电压输入,电流或者电压输出的器件。如果我们将他们组合一下,会是什么样呢?如图5.1所示为共源共栅结构(cascode),前一级电路(共源级)会后一级(共栅级)提供合适的偏置电流。这个电路非常的重要!!!

图5.1 共源共栅结构

        接下来我们来分析一下电路的输入输出特性。当Vin<VTH1时,M1 off。I1=I2=0,Vout=VDD;,X点的电压等于Vb-VTH2(为了保证M2也off);当Vin继续增大到大于VTH1时,M1的漏极电流ID1增加,同时ID2也增加,Vout=VDD-ID2*RD下降,同时Vx=Vb-VGS,VGS随着ID2的增加也增加,所以Vx也同时下降。当然Vout和VX不可能一直下降。为了保证M1和M2都工作在饱和区,我们先忽略体效应和沟道长度调制效应。具体计算过程如下:

最终输入输出特性曲线如图5.2所示。

图5.2 共源共栅的输入输出特性曲线

        我们再来看看该电路的小信号特性,顺便计算增益。首先忽略沟道长度调制效应,画出小信号模型如图5.3所示:

图5.3 共源共栅级电路的小信号模型 

         不难看出,增益与M2的跨导和体跨导无关。

输入电阻:无穷大

输出电阻:计算输出电阻时,我们将Vin短接到地,因此V1=0,因此M1部分可以看作是ro1的电阻。如图5.4所示。

图5.4 计算共源共栅级电路输出电阻的小信号模型  

         假设gmro>>1则上述式子可以简化为:

         可以看到,M2管子将M1管的输出电阻放大为原来的(gm2+gmb2)ro2倍。所以说共源共栅级电路的一个重要特性就是可以放大输出电阻。但这样会消耗额外的电压余度(因为必须保证所有管子都工作在饱和区)。

六、总结

        单级放大器这一章节,拉扎维先生用了非常多的篇幅来着重介绍以及各种眼花缭乱的公式推导,是因为其作为模拟电路的基本组成单元有着无与伦比的重要地位。本周笔者花费了较多时间对所有电路进行了推导以及大信号小信号分析,现在我们来总结一下各类电路的优缺点:

  • 27
    点赞
  • 19
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 4
    评论
### 回答1: CMOS模拟集成电路设计学习笔记 CMOS模拟集成电路设计学习是电子工程领域中的重要一环。CMOS(互补金属氧化物半导体)技术在现代集成电路设计中起着至关重要的作用。在学习CMOS模拟集成电路设计过程中,我对以下几个方面有所收获。 首先,电路的基本理论知识是学习CMOS模拟集成电路设计的基础。了解电路设计中的电压、电流、电阻、电容等基本概念,掌握基本的电路分析方法和技巧,对于有效地进行CMOS模拟集成电路设计非常重要。 其次,掌握CMOS技术的原理和特点。CMOS技术是使用N型和P型MOS管并排组成的电路结构,相比于其他技术,CMOS技术具有功耗低、抗干扰能力强等优势。了解CMOS技术的工作原理和特点,能够更好地应用于模拟集成电路的设计和优化过程中。 再次,学习射极耦合放大器(CAS)的设计和优化方法。CAS是模拟电路设计中常用的基本模块,具有放大增益高、抗干扰能力强等特点。通过学习CAS的设计和优化方法,能够更好地理解和应用于CMOS模拟集成电路设计中。 此外,了解电流镜、共源共排模式放大器、差分放大器、反馈电路等常见的CMOS模拟集成电路结构和设计技巧,对于深入理解CMOS模拟集成电路设计原理和方法非常有帮助。 最后,实践是学习CMOS模拟集成电路设计的重要环节。通过自己动手设计具体的电路实例,理解并解决实际问题,能够增加对理论知识的应用和理解。 总之,学习CMOS模拟集成电路设计需要掌握电路基本知识、了解CMOS技术原理和特点、学习常见的电路结构和设计技巧,并进行实践应用。通过不断学习和实践,我相信在CMOS模拟集成电路设计领域中会有更大的进步。 ### 回答2: cmos模拟集成电路设计是现代电子领域的重要研究方向之一。在学习过程中,我了解到cmos模拟集成电路设计的基本原理和方法,以及在实际应用中的一些注意事项。 首先,cmos模拟集成电路是一种使用cmos(互补金属氧化物半导体)技术制造的集成电路,其中的晶体管由n型和p型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS和PMOS)组成。cmos模拟集成电路设计主要涉及到电流源、放大器、运算放大器、滤波器等模块的设计。 在设计过程中,要考虑电路的性能指标,如增益、带宽、噪声等。同时,为了提高电路的稳定性和可靠性,需要注意电路中的电源抑制、温度补偿、布线规划等方面的问题。 另外,cmos模拟集成电路设计还需要掌握一些基本的设计工具和方法。如Spice仿真工具的使用,可以通过仿真验证设计的正确性和性能指标。还有一些常用的设计技巧,如工作在互补模式、差分放大器、共模反馈电路等,可以有效提高电路的性能。 在实际应用中,cmos模拟集成电路设计广泛应用于各个领域。例如,用于通信系统中的放大器、滤波器等电路设计,用于传感器中的信号处理电路设计等。因此,掌握cmos模拟集成电路设计的知识和技能对于从事电子工程的相关人员来说是非常重要的。 总之,cmos模拟集成电路设计学习笔记包括了基本原理和方法,设计工具和技巧,以及实际应用等方面的内容。通过学习和掌握这些知识和技能,可以提高我们在cmos模拟集成电路设计方面的能力和水平。 ### 回答3: CMOS模拟集成电路设计学习笔记是我在学习过程中记录的一本笔记总结了我对CMOS模拟集成电路设计的理解和经验。 首先,CMOS模拟集成电路是一种重要的集成电路设计技术,它利用CMOS工艺制造出的器件来实现各种模拟电路功能。学习CMOS模拟集成电路设计,首先需要了解CMOS工艺的基本原理和特点。CMOS工艺是一种使用N型细长沟道和P型细长沟道场效应管组成的半导体工艺,它具有电压驱动强、功耗低、噪声小等优点。此外,还需要学习CMOS工艺的制造工艺流程和工艺参数的选择。 在设计CMOS模拟集成电路时,首先需要进行电路的建模与分析。我学习了基本的电路理论与分析方法,如放大电路、逻辑电路、反馈电路等,并学会了使用理想运放进行电路近似分析。此外,还学习CMOS器件的模型和特性,如MOSFET的输出特性曲线、小信号模型等。通过电路建模与分析,可以更好地理解电路的工作原理和设计要素。 然后,学习CMOS模拟电路的常见设计技术和方法。其中,包括源随器的设计与优化、偏置电路设计、放大电路设计、运算放大器设计等。在设计过程中,我学会了使用EDA工具进行电路仿真和验证,以及对电路进行性能指标的评估。通过反复实践和调试,我逐渐掌握了设计方法和技巧。 最后,我还学习了一些高级的CMOS模拟集成电路设计技术,如电压参考电路设计、数据转换电路设计、低功耗设计等。这些技术使得我能够设计更加复杂和高性能的CMOS模拟集成电路,提高了我的设计能力和水平。 通过CMOS模拟集成电路设计学习笔记的记录和总结,我不仅巩固了自己的知识和理解,还积累了更多的设计经验。这本笔记对于我今后的工作和学习都具有重要的参考价值。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 4
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值